透明导电性薄膜的制作方法

本发明涉及透明导电性薄膜。

背景技术：

1、以往，沿着厚度方向依次具备树脂制透明基材和透明的导电层(透明导电层)的透明导电性薄膜是已知的。透明导电层被用作例如用于形成显示器面板、触摸面板和太阳能电池等各种设备中的透明电极的导体膜。透明导电层通过例如利用溅射法在透明基材上将导电性氧化物进行成膜而以结晶质或非晶质的导电性氧化物层的形式形成。关于涉及这种透明导电性薄膜的技术，例如在下述专利文献1中有所记载。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2016-157021号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、对于透明导电性薄膜的透明导电层要求低电阻。尤其是，对于透明电极用透明导电性薄膜而言，该要求严格。从低电阻性的观点出发，相较于透明导电层为非晶质而言，透明导电层为结晶质时更好。另一方面，对于透明导电性薄膜的透明导电层，也要求其在弯曲时不易产生裂纹(弯曲性)。尤其是，对于被反复折弯的设备(可折叠设备)用的透明导电性薄膜要求优异的弯曲性。从弯曲性的观点出发，相较于透明导电层为结晶质而言，透明导电层为非晶质时更好。透明导电层的低电阻性与弯曲性存在这种此消彼长的关系。

3、本发明提供适合于兼顾透明导电层的低电阻性和弯曲性的透明导电性薄膜。

4、用于解决问题的方案

5、本发明[1]包括一种透明导电性薄膜，其沿着厚度方向依次具备透明基材和透明导电层，前述透明导电层具有100nm以上的厚度，前述透明导电层从前述透明基材侧起依次具有非晶质层和结晶质层，前述非晶质层厚于前述结晶质层。

6、本发明[2]包括上述[1]所述的透明导电性薄膜，其中，前述非晶质层的厚度相对于前述结晶质层的厚度的比率为1.2以上。

7、本发明[3]包括上述[1]或[2]所述的透明导电性薄膜，其中，前述非晶质层的厚度相对于前述结晶质层的厚度的比率为5以下。

8、本发明[4]包括上述[1]～[3]中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，前述透明导电层为铟锡复合氧化物层。

9、本发明[5]包括上述[4]所述的透明导电性薄膜，其中，前述非晶质层的氧化锡比例高于前述结晶质层的氧化锡比例。

10、发明的效果

11、本发明的透明导电性薄膜中，如上所述那样，透明导电层具有100nm以上的厚度，透明导电层从透明基材侧起依次具有非晶质层和结晶质层，非晶质层厚于结晶质层。透明导电层具有100nm以上的厚度，这适合于确保透明导电层的低电阻性。在厚度100nm以上的透明导电层中，非晶质层厚于结晶质层，这适合于确保透明导电层的弯曲性。透明导电层从透明基材侧起依次具有非晶质层和结晶质层，这适合于同时实现透明导电层的低电阻性和弯曲性。这种透明导电性薄膜适合于兼顾透明导电层的低电阻性和弯曲性。

技术特征：

1.一种透明导电性薄膜，其沿着厚度方向依次具备透明基材和透明导电层，

2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述非晶质层的厚度相对于所述结晶质层的厚度的比率为1.2以上。

3.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述非晶质层的厚度相对于所述结晶质层的厚度的比率为5以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，所述透明导电层为铟锡复合氧化物层。

5.根据权利要求4所述的透明导电性薄膜，其中，所述非晶质层的氧化锡比例高于所述结晶质层的氧化锡比例。

技术总结一种透明导电性薄膜。本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(H)依次具备透明基材(10)和透明导电层(20)。透明导电层(20)具有100nm以上的厚度。透明导电层(20)从透明基材(10)侧起依次具有非晶质层(21)和结晶质层(22)。非晶质层(21)厚于结晶质层(22)。技术研发人员：田边凌祐,竹安智宏,藤野望,鸦田泰介受保护的技术使用者：日东电工株式会社技术研发日：技术公布日：2024/10/10