磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置与流程

本发明涉及一种磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置。

背景技术：

1、作为记录各种数据而用于保存的记录介质，广泛使用磁记录介质。磁记录介质一般而言在非磁性基板上，依次层叠软磁性层、基底层、垂直磁性层和保护层而构成。

2、垂直磁性层一直以来使用cocr系合金，作为具有与cocr系合金相比高的垂直磁各向异性的材料，例如，已知具有l10规则结构的fept合金。而且，已知fept合金的l10规则化需要在400℃以上的高温下的热处理(例如，参照专利文献1)。

3、作为使用了包含fept合金的垂直磁性层的磁记录介质，例如，公开了一种热辅助磁记录方式的磁记录介质，其依次层叠有使用将cr作为主成分的bcc结构的合金而形成的取向控制基底层、进行了(100)取向的含有w的结晶质的基底层、包含具有nacl型结构的mgo的阻挡层以及包含具有l10结构的fept合金的磁性层(例如，参照专利文献2)。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开2011-40121号公报

7、专利文献2：日本特开2015-88197号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、伴随着磁记录再生装置的适用范围扩大，要求磁记录介质的记录密度的进一步的提高。作为提高磁记录介质的记录密度的方法，具有提高磁性层形成时的加热温度，提高垂直磁性层的结晶取向性的方法。

3、然而，如果提高垂直磁性层的加热温度，则存在对于基底层、软磁性层和非磁性基板产生加热效果以及接下来的问题这样的问题。即，构成基底层的元素扩散至其它层，损害其它层的功能。构成软磁性层的合金结晶化而软磁性特性受损。非磁性基板中的应变被缓和，非磁性基板所包含的结晶粗大化而磁记录介质的表面产生起伏。

4、本发明的一方式的目的在于提供能够抑制垂直磁性层的加热时的热对于其它层和基板带来影响的磁记录介质的制造方法。

5、用于解决课题的方法

6、本发明具备以下所示的构成。

7、(1)一种磁记录介质的制造方法，为依次具备有基板、基底层以及具有l10结构的垂直磁性层的磁记录介质的制造方法，其包括：

8、上述垂直磁性层形成之后，通过由led光源放射的led光，将上述垂直磁性层的表面进行加热，以提高上述垂直磁性层的结晶取向性的工序，

9、上述基底层包含nacl型化合物，

10、上述led光的中心波长小于500nm。

11、(2)根据(1)所述的磁记录介质的制造方法，上述led光源不含中心波长为500nm以上的led光。

12、(3)根据(1)或(2)所述的磁记录介质的制造方法,上述led光的中心波长小于500nm，加热区域的直径为90mm以上，光强度为1.5w/cm2～15w/cm2，上述加热区域内的上述光强度的均匀性为±15％以内。

13、(4)根据(1)～(3)的任一项所述的磁记录介质的制造方法，上述基底层从上述基板侧起依次层叠而具备：

14、将cr作为主成分的bcc合金进行(100)取向的第1基底层，

15、将w作为主成分的bcc合金进行(100)取向的第2基底层，以及

16、将作为上述nacl型化合物的mgo设为主成分的第3基底层，

17、上述第2基底层的膜厚在将上述中心波长设为λnm时，为(λ×0.1)nm以上。

18、(5)一种磁记录再生装置，其具备：由(1)～(4)的任一项所述的磁记录介质的制造方法制造的磁记录介质。

19、发明的效果

20、本发明的一方式能够提供能够抑制垂直磁性层的加热时的热对于其它层和基板带来影响的磁记录介质的制造方法。

技术特征：

1.一种磁记录介质的制造方法，为依次具备有基板、基底层以及具有l10结构的垂直磁性层的磁记录介质的制造方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，

3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质的制造方法，

4.根据权利要求1～3的任一项所述的磁记录介质的制造方法，

5.一种磁记录再生装置，其具备：

技术总结本发明涉及的磁记录介质的制造方法为依次具备有基板、基底层以及具有L1<subgt;0</subgt;结构的垂直磁性层的磁记录介质的制造方法，其包括：在上述垂直磁性层形成之后，通过由LED光源放射的LED光，将上述垂直磁性层的表面进行加热，以提高上述垂直磁性层的结晶取向性的工序，上述基底层包含NaCl型化合物，上述LED光的中心波长小于500nm。技术研发人员：福岛隆之,黑川刚平,茂智雄,金津桂太受保护的技术使用者：株式会社力森诺科硬盘技术研发日：技术公布日：2024/12/23