一种LPDDR5X的全速自测方法及系统与流程

本发明涉及静态存贮器测试，尤其涉及一种lpddr5x的全速自测方法及系统。

背景技术：

1、随着电子设备和信息技术的迅猛发展，对高性能内存的需求日益增长。作为下一代移动内存标准，lpddr5/5x（low power double data rate 5/5x）以其高速数据传输和低功耗特性，成为了智能手机、平板电脑、笔记本电脑乃至数据中心服务器和人工智能计算平台中不可或缺的组成部分。lpddr5/5x内存相较于前代产品，提供了更高的带宽、更低的延迟以及更先进的电源管理，从而在各种应用场景中实现了数据处理速度和能效的显著提升。

2、然而，lpddr5/5x的高性能特性也带来了新的技术挑战，特别是在phy（physicallayer）性能验证阶段。在这一阶段，传统的依赖dram进行性能测试的方法变得不再充分，尤其是在需要进行ate（automated test equipment）测试或单独的debug时，自测模式（loopback test mode）成为了验证phy性能的关键环节。自测模式下的主要挑战是：在自测模式下，由于缺少dram端的odt，cs io（command and address i/o）的loopback测试速度可能无法达到全速，导致无法全面覆盖和验证最高性能等级，影响芯片的最终品质；在无dram参与的测试环境中，如何模拟dram端的odt功能，以确保在全速下信号的稳定传输和反射最小化，成为了一个亟待解决的问题。

技术实现思路

1、为了解决上述提出的至少一个技术问题，本发明提供一种lpddr5x的全速自测方法及系统，通过集成的接地电阻模块，解决了现有技术中自测模式下速度受限的问题，确保了在无dram环境下也能实现lpddr5x phy的全速性能验证，提高了芯片的出库品质。

2、一方面，提供了一种lpddr5x的全速自测方法，所述方法包括：

3、在所述lpddr5x的rx端的输入端增加一路接地的电阻模块；

4、其中，所述电阻模块在正常操作模式下断开连接，在自测模式下接入工作电路。

5、优选地，所述电阻模块包括：一个场效应管和一个电阻；

6、其中，所述场效应管的栅极连接所述lpddr5x的phy的控制端口，源极接地，漏极连接所述电阻，所述电阻一端连接所述场效应管的漏极，一端连接所述rx端的输入端。

7、优选地，当所述场效应管的栅极接收到的控制信号为有效信号时，所述场效应管传输门导通，将所述电阻接地。

8、优选地，所述电阻模块包括一个场效应管、一个多路选择器和至少两个电阻；

9、其中，所述场效应管的栅极连接所述lpddr5x的phy的控制端口，源极接地，漏极连接所述多路选择器输出端，所述多路选择器的输入端分别连接不同阻值的所述电阻，所述电阻另一端连接所述rx端的输入端。

10、优选地，所述多路选择器的控制输入端接收所述lpddr5x的phy的控制信号以根据不同的测试需求调整不同的阻值。

11、优选地，所述rx端的输入端连接一个输入驱动器。

12、优选地，所述方法还应用于lpddr5。

13、第二方面，提供一种lpddr5x的全速自测系统，所述系统包括：lpddr5x模块和接地电阻模块，所述lpddr5x模块的rx端的输入端连接所述接地电阻模块；

14、其中，所述接地电阻模块在所述lpddr5x模块处于正常操作模式下断开连接，在所述lpddr5x模块处于自测模式下接入工作电路。

15、优选地，所述接地电阻模块包括：一个场效应管和一个电阻；

16、其中，所述场效应管的栅极连接所述lpddr5x的phy的控制端口，源极接地，漏极连接所述电阻，所述电阻一端连接所述场效应管的漏极，一端连接所述rx端的输入端。

17、优选地，所述接地电阻模块包括一个场效应管、一个多路选择器和至少两个电阻；

18、其中，所述场效应管的栅极连接所述lpddr5x的phy的控制端口，源极接地，漏极连接所述多路选择器输出端，所述多路选择器的输入端分别连接不同阻值的所述电阻，所述电阻另一端连接所述rx端的输入端。

19、本发明的有益效果在于：

20、（1）本发明通过集成的接地电阻模块，解决了现有技术中自测模式下速度受限的问题，确保了在无dram环境下也能实现lpddr5x的phy的全速性能验证，提高了芯片的出库品质；

21、（2）本发明在正常工作模式下，电阻模块处于断开状态，不会对信号传输产生影响，也不会增加额外的功耗。只有在进入自测模式时，电阻模块才被激活，实现了性能测试与功耗控制之间的平衡；

22、（3）本发明中接地电阻模块通过集成场效应管、多路选择器和至少两个电阻，能够实现在自测模式下对所述lpddr5x的phy全速性能测试，还提供了灵活的阻值选择，以适应不同的测试条件，有助于提高芯片的测试效率和整体性能。

23、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，而非限制本公开。

技术特征：

1.一种lpddr5x的全速自测方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的一种lpddr5x的全速自测方法，其特征在于，当所述场效应管的栅极接收到的控制信号为有效信号时，所述场效应管传输门导通，将所述电阻接地。

3.根据权利要求1所述的一种lpddr5x的全速自测方法，其特征在于，所述多路选择器的控制输入端接收所述lpddr5x的phy的控制信号以根据不同的测试需求调整不同的阻值。

4.根据权利要求1所述的一种lpddr5x的全速自测方法，其特征在于，所述rx端的输入端连接一个输入驱动器。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的一种lpddr5x的全速自测方法，其特征在于，所述方法还应用于lpddr5。

6.一种lpddr5x的全速自测系统，其特征在于，所述系统包括：lpddr5x模块和接地电阻模块，所述lpddr5x模块的rx端的输入端连接所述接地电阻模块；

技术总结本发明公开了一种LPDDR5X的全速自测方法及系统，所述方法包括：在所述LPDDR5X的RX端的输入端增加一路接地的电阻模块；其中，所述电阻模块在正常操作模式下断开连接，在自测模式下接入工作电路。本发明通过集成的接地电阻模块，解决了现有技术中自测模式下速度受限的问题，确保了在无DRAM环境下也能实现LPDDR5X PHY的全速性能验证，提高了芯片的出库品质。技术研发人员：宋雨,刘德启,于国庆受保护的技术使用者：博越微电子（江苏）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/11/18