铁电存储器参考生成的制作方法

背景技术：

1、本公开的实施例涉及用于铁电存储器器件的参考生成。

2、对适用于诸如便携式终端和集成电路(i c)卡之类的各种电子设备的具有高耐久性、低操作电压、低功耗和高速操作的非易失性的存储器的需求已经增加。诸如铁电ram(feram或fram)之类的铁电存储器使用铁电材料层来实现非易失性。铁电材料具有所施加电场与表观存储电荷之间的非线性关系，并且因此可以在电场中切换极性。铁电存储器的优点包括低功耗、快速读写性能、以及极好的最大读写耐久性。

技术实现思路

1、在此公开了用于铁电存储器器件的参考生成。

2、在一方面，存储器器件可以包括多个存储器单元，每个存储器单元包括至少一个晶体管和电耦合到所述至少一个晶体管的一个电容器。电容器可以被配置为存储数据位。存储器器件还可以包括局部位线，该局部位线被配置为输送要从多个存储器单元读取或写入到多个存储器单元的数据。存储器器件可以进一步包括全局位线，该全局位线被配置为与局部位线通信以输送要从多个存储器单元读取或写入到多个存储器单元的数据。局部位线可以连接到多个存储器单元中的第一存储器单元集合。存储器器件可以附加地包括局部感测放大器，该局部感测放大器被配置为基于参考信号放大局部位线中的信号并且将经放大的信号传送到全局位线或从全局位线传送经放大的信号。存储器器件还可以包括缓冲器或放大器，所述缓冲器或放大器被配置成参考电压源以提供参考信号，其中参考电压源在参考信号侧设置有平衡电容器，平衡电容器被配置为平衡局部位线上的第一存储器单元集合的电容。

3、在另一方面，一种运行存储器器件的方法可以包括将数据的相应位存储在多个存储器单元中，每个存储器单元包括至少一个晶体管和电耦合到所述至少一个晶体管的一个电容器。该方法还可以包括在局部位线上输送要从多个存储器单元读取或写入到多个存储器单元的数据。该方法可以进一步包括使用全局位线与局部位线进行通信，以输送要从多个存储器单元读取或写入到多个存储器单元的数据。该方法可以附加地包括使用局部感测放大器基于参考信号放大局部位线中的信号，并传送放大的信号到全局位线。该方法可以进一步包括使用被配置成参考电压源的放大器或缓冲器来提供参考信号。提供参考信号的参考电压源可以在参考信号侧设置有平衡电容器，平衡电容器被配置为平衡第一存储器单元集合在局部位线上的电容。

4、在又一方面，存储器器件可以包括通过全局位线连接的多个存储器单元阵列组，每个阵列组可以包括多个阵列，并且阵列组中的每个阵列具有局部位线。存储器器件还可以包括连接在阵列组的阵列对之间并且连接到阵列组的每个局部位线的局部感测放大器。存储器器件可以进一步包括每个阵列中的多个存储器单元，每个存储器单元包括至少一个晶体管和电耦合到所述至少一个晶体管的一个电容器。电容器可以被配置为存储数据位。局部感测放大器可以被配置为基于参考信号来放大相应阵列的局部位线与全局位线之间的信号。存储器器件还可以包括放大器或缓冲器，该放大器或缓冲器被配置成参考电压源以提供参考信号以驱动包括所述局部感测放大器的多个局部感测放大器。参考电压源可以在参考信号侧设置有平衡电容器，平衡电容器被配置为平衡第一存储器单元集合在局部位线上的电容。

技术特征：

1.一种存储器器件，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述参考电压源包括具有正输入、负输入及输出的运算放大器。

3.根据前述权利要求2所述的存储器器件，其中所述运算放大器包括单位增益放大器。

4.根据权利要求2所述的存储器器件，其中所述运算放大器的输出直接连接到所述运算放大器的负输入。

5.根据权利要求2所述的存储器器件，其中所述运算放大器还包括偏置输入，所述偏置输入被配置为偏置连接到第一电压源的第一晶体管对，其中所述第一晶体管对的第一晶体管直接连接到所述负输入和所述输出。

6.根据权利要求5所述的存储器器件，其中所述第一晶体管对包括p型晶体管。

7.根据权利要求5所述的存储器器件，其中所述运算放大器还包括第二晶体管对，其中所述第一对的第二晶体管直接连接在所述第一电压源与所述第二晶体管对之间。

8.根据权利要求7所述的存储器器件，其中所述第二晶体管对包括p型晶体管。

9.根据权利要求7所述的存储器器件，其中所述运算放大器还包括直接连接到不同于所述第一电压源的第二电压源的三个另外的晶体管。

10.根据权利要求9所述的存储器器件，其中所述三个另外的晶体管包括n型晶体管。

11.根据权利要求9所述的存储器器件，其中所述三个另外的晶体管的第一晶体管直接连接到所述负输入和所述输出。

12.根据权利要求11所述的存储器器件，其中所述三个另外的晶体管的第二晶体管具有源极，所述源极连接到所述三个另外的晶体管的所述第一晶体管的栅极。

13.根据权利要求12所述的存储器器件，其中所述三个另外的晶体管的第三晶体管具有源极，所述源极连接到所述第三晶体管的栅极，并且其中所述第三晶体管的栅极直接连接到所述第二晶体管的栅极。

14.一种运行存储器器件的方法，该方法包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述参考电压源包括具有正输入、负输入和输出的运算放大器。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述运算放大器包括单位增益放大器。

17.根据权利要求14所述的方法，其中所述放大包括当要从所述存储单元读取数据时放大信号，并且当数据要被写入所述存储器单元时放大所述信号。

18.根据权利要求14所述的方法，其中所述多个存储器单元被布置成阵列对，并且其中所述放大包括通过所述局部感测放大器放大所述阵列对的两个阵列的信号。

19.根据权利要求14所述的方法，进一步包括：

20.一种存储器器件，包括：

技术总结一种FRAM存储器器件可以包括多个FRAM存储器单元，每个FRAM存储单元包括一个晶体管和电耦合到所述至少一个晶体管的一个电容器。电容器可以被配置为存储数据位。存储器器件还可以包括局部位线，所述局部位线被配置为输送要被写入到所述多存储器单元中的数据。存储器器件可以进一步包括全局位线，全局位线被配置为与局部位线通信以输送要被写入到多个存储器单元的数据。存储器器件可以附加地包括局部感测放大器，所述局部感测放大器被配置为基于参考信号放大来自全局位线的信号且将经放大的信号传送到局部位线。该局部感测放大器被配置成基于与所述参考信号的比较生成放大的信号。技术研发人员：潘锋受保护的技术使用者：无锡舜铭存储科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/11/14