半导体装置和包括其的堆叠型半导体存储器装置的制作方法

本技术的实施例总体上涉及一种半导体电路，并且更具体地，涉及一种半导体装置和包括该半导体装置的堆叠型半导体存储器装置。

背景技术：

1、在最近的半导体技术中，正在使用一种通过贯通电极(例如穿硅通孔(tsv))堆叠多个存储器芯片并且传送各种信号的方法。

2、这种堆叠型半导体存储器装置需要多个信号线、发送/接收电路等，用于将信号传输到贯通电极并且从贯通电极接收信号。需要开发一种用于正确设置多个信号线、发送/接收电路等的技术。

技术实现思路

1、在实施例中，一种半导体存储器装置可以包括：核心块，包括多个单位存储器块；外围电路块，包括数据输入/输出焊盘；贯通电极，被配置成与另一个半导体存储器装置交换信号；以及数据输入/输出电路，其耦接到贯通电极、核心块和外围电路块，并且被配置成共用一个接收器，以便将信号从贯通电极传送到外围电路块以及以便将信号从贯通电极传送到核心块。

2、在实施例中，一种半导体存储器装置可以包括：核心块，包括多个单位存储器块；外围电路块，包括数据输入/输出焊盘；贯通电极，被配置成与另一个半导体存储器装置交换信号；接收器，耦接至贯通电极；以及读取多路复用器，被配置成在读取操作开始之后响应于多芯片操作信号将接收器输出的输出信号传送到外围电路块。

3、在实施例中，一种堆叠型半导体存储器装置可以包括：多个半导体芯片，其通过多个贯通电极耦接，其中，多个半导体芯片中的至少一个包括：核心块，其包括多个单位存储器块；外围电路块，其包括数据输入/输出焊盘；贯通电极，被配置成与另一个半导体芯片交换信号；以及数据输入/输出电路，被配置成共用一个接收器和一个传送器，以便在贯通电极、核心块和外围电路块之间交换信号。

技术特征：

1.一种半导体存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述外围电路块包括：

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述数据输入/输出电路包括读取多路复用器，所述读取多路复用器：在读取操作开始之后，响应于多芯片操作信号将由所述一个接收器输出的信号传送到所述外围电路块。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述数据输入/输出电路共用一个传送器，以将信号从所述核心块传送到所述贯通电极以及将信号从所述外围电路块传送到所述贯通电极。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述数据输入/输出电路：在写入操作开始之后，响应于多芯片操作信号将由所述外围电路块输出的信号传送到所述一个传送器。

6.一种半导体存储器装置，包括：

7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，还包括：由所述接收器和所述读取多路复用器共用的外部处理信号线。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，所述接收器：响应于写入信号、所述多芯片操作信号、主芯片区分信号和另一芯片管道控制信号而被激活，以及向所述外部处理信号线输出通过所述贯通电极传送的信号。

9.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，所述读取多路复用器响应于所述多芯片操作信号、所述写入信号和管道控制信号而选择性地向所述外围电路块或所述外部处理信号线输出多个信号。

10.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，还包括：

11.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中，所述外部处理信号线由所述写入多路复用器、所述传送器、所述接收器和所述读取多路复用器共用。

12.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中，所述传送器：响应于写入信号、主芯片区分信号和管道控制信号而被激活，以及将所述外部处理信号线的信号传送到所述贯通电极。

13.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中，所述写入多路复用器响应于所述多芯片操作信号、写入信号和主芯片区分信号而选择性地向所述外围电路块或所述外部处理信号线输出多个信号。

14.一种堆叠型半导体存储器装置，包括：

15.根据权利要求14所述的堆叠型半导体存储器装置，其中，所述多个半导体芯片中的至少一个还包括读取多路复用器，所述读取多路复用器：在读取操作开始之后，响应于多芯片操作信号和管道控制信号而选择性地向所述外围电路块或外部处理信号线输出多个信号。

16.根据权利要求15所述的堆叠型半导体存储器装置，其中，所述多个半导体芯片中的至少一个还包括写入多路复用器，所述写入多路复用器：在写入操作开始之后，响应于所述多芯片操作信号和主芯片区分信号而选择性地向所述外围电路块或所述外部处理信号线输出多个信号。

17.根据权利要求16所述的堆叠型半导体存储器装置，其中，所述外部处理信号线由所述写入多路复用器、所述一个传送器、所述一个接收器和所述读取多路复用器共用。

18.根据权利要求16所述的堆叠型半导体存储器装置，其中：

19.根据权利要求18所述的堆叠型半导体存储器装置，其中，在对于所述从芯片的读取操作开始之后，所述主芯片的所述读取多路复用器阻止来自所述核心块的输入。

技术总结本公开涉及半导体装置和包括其的堆叠型半导体存储器装置。一种半导体存储器装置，包括：核心块，包括多个单位存储器块；外围电路块，包括数据输入/输出焊盘；贯通电极，被配置成与另一个半导体存储器装置交换信号；以及数据输入/输出电路，其耦接到贯通电极、核心块和外围电路块并且被配置成共用一个接收器，以便将信号从贯通电极传送到外围电路块以及以便将信号从贯通电极传送到核心块。技术研发人员：韩愍植受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/11/14