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一种半导体的减薄装置的制作方法

国知局
2024-11-12 13:45:03

本技术涉及半导体领域，特别是涉及一种半导体的减薄装置。

背景技术：

1、在半导体设备关于grinding(研磨)制程的工艺流程中，在两片晶圆经过bondingwafer(键合技术)加工之后，可对其中一片晶圆进行研磨、抛光或者化学腐蚀等方法进行减薄处理。在对晶圆的研磨制程中，研磨机台上可设置有多个研磨加工工位，并可通过研磨垫、研磨砂轮或者研磨液等方式对晶圆进行研磨处理。在晶圆的晶背研磨过程中，由于抛光头对晶圆的晶背压力固定，并且晶圆的晶背厚度不断减薄，从而导致晶圆的边缘容易发生破碎的现象。因此，存在待改进之处。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种半导体的减薄装置，用于解决现有技术中晶圆在减薄加工时，其边缘易发生裂痕的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种半导体的减薄装置，包括：

3、承载台；

4、多个抛光台，设置于所述承载台上，所述抛光台上设有抛光垫；

5、多个抛光头，位于所述抛光台的顶部上，以减薄所述抛光台上的晶圆；以及

6、多个吹气机构，其吹气口朝向所述半导体基板的顶部表面。

7、在本发明的一个实施例中，所述吹气机构的吹气口延长线与所述抛光台的顶部表面形成一夹角，所述夹角在0°～90°范围之间。

8、在本发明的一个实施例中，所述夹角呈一固定角度。

9、在本发明的一个实施例中，所述夹角在30°～60°范围之间往复变化。

10、在本发明的一个实施例中，所述吹气机构吹气口的气流量在500sccm～2000sccm范围之间。

11、在本发明的一个实施例中，所述吹气机构与所述抛光台相对应，所述吹气机构位于对应的所述抛光台的一侧。

12、在本发明的一个实施例中，所述抛光台上设有研磨砂轮或者抛光垫。

13、在本发明的一个实施例中，还包括：

14、装载平台口，位于所述承载台的一侧，以装卸晶圆盒；以及

15、传送机器人，位于所述装载平台口和所述抛光台之间，以将晶圆盒中的晶圆取出。

16、在本发明的一个实施例中，还包括晶圆对位平台，位于所述抛光台的一侧，所述传送机器人将晶圆盒中的晶圆放置到所述晶圆对位平台上，所述晶圆对位平台以进行晶圆的对位。

17、在本发明的一个实施例中，还包括晶面清洗机和晶背清洗机，所述晶面清洗机和所述晶背清洗机位于所述抛光台的一侧，所述晶面清洗机用以清洗晶圆正面，所述晶背清洗机用以清洗晶圆背面。

18、如上所述，本实用新型的半导体的减薄装置，具有以下有益效果：本实用新型通过对吹气机构和抛光头之间的位置关系进行相应的布置，并且可对吹气机构出气口的角度以及吹气口的气流量范围进行调整，在半导体基板的边缘位置处形成气膜，以降低抛光台直接作用在半导体基板的边缘位置处的压力，改善了半导体基板在研磨过程中出现的裂痕现象，提高了半导体基板的产品良率，提高了半导体基板的制程稳定性。

技术特征：

1.一种半导体的减薄装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体的减薄装置，其特征在于，所述吹气机构的吹气口延长线与所述抛光台的顶部表面形成一夹角，所述夹角在0°～90°范围之间。

3.根据权利要求2所述的半导体的减薄装置，其特征在于，所述夹角呈一固定角度。

4.根据权利要求2所述的半导体的减薄装置，其特征在于，所述夹角在30°～60°范围之间往复变化。

5.根据权利要求1所述的半导体的减薄装置，其特征在于，所述吹气机构吹气口的气流量在500sccm～2000sccm范围之间。

6.根据权利要求1所述的半导体的减薄装置，其特征在于，所述吹气机构与所述抛光台相对应，所述吹气机构位于对应的所述抛光台的一侧。

7.根据权利要求1所述的半导体的减薄装置，其特征在于，所述抛光台上设有研磨砂轮或者抛光垫。

8.根据权利要求1所述的半导体的减薄装置，其特征在于，还包括：

9.根据权利要求8所述的半导体的减薄装置，其特征在于，还包括晶圆对位平台，位于所述抛光台的一侧，所述传送机器人将晶圆盒中的晶圆放置到所述晶圆对位平台上，所述晶圆对位平台以进行晶圆的对位。

10.根据权利要求1所述的半导体的减薄装置，其特征在于，还包括晶面清洗机和晶背清洗机，所述晶面清洗机和所述晶背清洗机位于所述抛光台的一侧，所述晶面清洗机用以清洗晶圆正面，所述晶背清洗机用以清洗晶圆背面。

技术总结本技术提供一种半导体的减薄装置，半导体的减薄装置包括：承载台；多个抛光台，设置于所述承载台上，所述抛光台上设有抛光垫；多个抛光头，位于所述抛光台的顶部上，以减薄所述抛光台上的晶圆；以及多个吹气机构，其吹气口朝向所述半导体基板的顶部表面。本技术改善了半导体基板在减薄过程中出现的裂痕现象，提高了半导体基板的产品良率，提高了半导体基板的制程稳定性。技术研发人员：张政,刘文彬,王新贵受保护的技术使用者：合肥晶合集成电路股份有限公司技术研发日：20231030技术公布日：2024/11/7