半导体装置及其制造方法以及电力转换装置与流程

本公开涉及半导体装置及其制造方法以及电力转换装置。

背景技术：

1、日本特表2017-522739号公报(专利文献1)公开了具备包括电极的半导体元件、铜箔以及铜线的半导体装置。在该半导体装置中，在半导体元件的电极和铜线之间配置有铜箔。具体而言，铜箔经由银系的烧结膏与半导体元件接合。铜线与铜箔键合。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特表2017-522739号公报

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、为了制造专利文献1的半导体装置，需要与键合铜线的工序完全不同的、使用银系的烧结膏将铜箔与半导体元件的电极接合的工序。因此，专利文献1的半导体装置的生产率低。本公开是鉴于上述课题而完成的，其第一方面的目的在于提供一种能够改善可靠性和生产率的半导体装置及其制造方法。本公开的第二方面的目的在于提供一种能够改善可靠性和生产率的电力转换装置。

3、用于解决课题的手段

4、本公开的半导体装置具备半导体元件、下方配线部件以及上方配线部件。半导体元件包括具有主面的半导体元件主体和设置在主面上的金属层。下方配线部件包括第一端面和与第一端面相反的一侧的第二端面。第一端面和第二端面是上方配线部件的长边方向上的下方配线部件的两端面。在主面的平面图中，第一端面以及第二端面位于比半导体元件的外缘靠内侧的位置。上方配线部件层叠在下方配线部件上。在主面的平面图中，上方配线部件的一部分位于比半导体元件的外缘靠外侧的位置。上方配线部件经由下方配线部件与金属层接合。

5、本公开的半导体装置的制造方法具备将下方配线部件与半导体元件的金属层临时接合的工序。半导体元件包括具有主面的半导体元件主体和设置在主面上的金属层。下方配线部件包括第一端面和与第一端面相反的一侧的第二端面。在主面的平面图中，第一端面以及第二端面位于比半导体元件的外缘靠内侧的位置。本实施方式的半导体装置的制造方法具备将上方配线部件层叠在下方配线部件上的工序。在主面的平面图中，上方配线部件的一部分位于比半导体元件的外缘靠外侧的位置。第一端面和第二端面是上方配线部件的长边方向上的下方配线部件的两端面。本实施方式的半导体装置的制造方法具备将上方配线部件经由下方配线部件与半导体元件的金属层正式接合的工序。

6、本公开的电力转换装置具备主转换电路和控制电路。主转换电路具有本公开的半导体装置，对输入的电力进行转换并输出。控制电路将控制主转换电路的控制信号输出到主转换电路。

7、发明的效果

8、在本公开的半导体装置及其制造方法中，由于上方配线部件和下方配线部件都是配线部件，因此，上方配线部件和下方配线部件可以使用同样的接合方法接合。因此，半导体装置的生产率提高。另外，由于在半导体元件的金属层和上方配线部件之间配置有下方配线部件，因此，能够防止在接合上方配线部件时对半导体元件造成损伤。半导体装置的可靠性提高。并且，在半导体元件主体的主面的平面图中，下方配线部件的第一端面和第二端面位于比半导体元件的外缘靠内侧的位置。因此，能够防止半导体元件通过下方配线部件与位于半导体元件周围的导电部件短路。半导体装置的可靠性提高。

9、本公开的电力转换装置包括本公开的半导体装置。因此，能够改善电力转换装置的可靠性和生产率。

技术特征：

1.一种半导体装置，其中，

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，

8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其中，

9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其中，

10.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，

11.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，

12.如权利要求1～11中任一项所述的半导体装置，其中，

13.一种半导体装置的制造方法，其中，

14.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中，

15.一种电力转换装置，其中，所述电力转换装置具备：

技术总结半导体装置(1)具备半导体元件(10)、下方配线部件(20)以及上方配线部件(30)。半导体元件(10)包括具有主面(11a)的半导体元件主体(11)和金属层(12)。下方配线部件(20)包括端面(21)和端面(22)。在主面(11a)的平面图中，端面(21)以及端面(22)位于比半导体元件(10)的外缘(10e)靠内侧的位置。上方配线部件(30)层叠在下方配线部件(20)上。在主面(11a)的平面图中，上方配线部件(30)的一部分(33)位于比半导体元件(10)的外缘(10e)靠外侧的位置。上方配线部件(30)经由下方配线部件(20)与金属层(12)接合。技术研发人员：佐藤祐司受保护的技术使用者：三菱电机株式会社技术研发日：技术公布日：2024/11/4