用于分离载体基板的方法和基板系统与流程

本发明涉及用于将载体基板与其他层分离的方法、装置和基板系统。载体基板可以在用于处理基板的不同方法中被分离，例如在基板的脱接或转移时被分离。

背景技术：

1、在半导体产业中，开发方法和装置变得越来越重要，借助于所述方法和装置，一方面可以在表面之间产生高度黏着，另一方面在需要时可以再次阻止黏着。这种用于处理基板的方法和装置主要被用于两种不同的技术，即层转移和基板的接合或脱接。

2、在层转移的情况下，尤其是无机的、大多数非常薄的本身不机械稳定的层在自支撑基板之间转移。例如，无机层在特殊生长基板上被产生，但是接着必须被转移到另一基板、尤其是产品基板上，以便能够在那里满足其功能特性。在最罕见的情况下，生长基板和产品基板相同。

3、在现有技术中，使用所谓的释放层(英语：release layer)或分离层，以便执行有用层与载体基板的局部有针对性分离。直到今天，有机聚合物层被用作接合层，所述接合层使得在转移有用基板时耗费地需要附加的清洁步骤，并且增加污染。

4、在基板的接合和脱接时，首先将两个基板相互连接，以便两个基板之一(其由于较小的厚度或较低的强度而通常对于工艺不具有足够的内在稳定性)可以以通过第二基板支持的方式被处理。将经处理的基板称为产品基板，支撑基板被称为载体基板。在此，聚合物主要用于制造所谓的临时接合，即以无破坏的方式可释放的接合。为此，通过方法、尤其是离心涂漆方法，将至少一种聚合物施加在基板上。载体基板主要被涂覆有聚合物(分离层)，并且载体基板被接合到产品基板。在将产品基板接合到载体基板之后，进一步处理产品基板，以便在稍后的方法步骤中再次被与载体基板分离。在现有技术中存在不同的方法用于分离载体基板。

5、在早年，载体基板通常整面地涂覆有聚合物。由此在载体基板与产品基板之间出现了非常好的粘附。如果产品基板具有凸起部，例如焊接凸块(英语：bumps)、晶粒或芯片，则这些凸起部可以被嵌入聚合物中，只要用作分离层的聚合物层具有对应的层厚度。该方法的缺点在将产品基板从载体基板释放时显示。为了分离，必须整面地对聚合物层产生作用，使得完全分离变得更耗费的，尤其是具有多个处理步骤。到目前为止，粘附层的粘附力可能由于侧向或通过载体基板到达粘附层的化学物质而被降低，使得能够实现机械分离。优选地在提高的温度下，化学物质对粘附层产生作用。

6、在分离整面的聚合物层时，此外即使在移除粘附材料时也存在更高的能量需求(例如热、超声波)或溶剂需求，并且因此也存在更高的成本。在该工艺中，分离本身优选地通过法向于基板表面的剥离力被控制。

7、替代的开发是所谓的“滑离脱接”。在该方法中，使用一种装置，所述装置整面地分别利用基板支架固定产品基板和载体基板。接着，使两个基板支架平行地朝向彼此移位，使得基板经由沿着粘附面的力而彼此被分开。为此，有必要加热位于其间的聚合物层。聚合物层由此软化并且失去其粘附强度。该方法的优点在于可以完全不需要溶剂和超声波。缺点是脱接仍必须在提高的温度下来执行。

8、用于脱接的替代方法不需要使用提高的温度，并且仅仅使用溶剂，所述溶剂从两个基板的周边攻击聚合物。溶剂的作用可以借助于超声波来加速。溶解的聚合物优选地通过溶剂的翻转从基板堆叠被运走，并且优选地从溶剂浴连续地被移除。也可能的是，将溶剂仅侧向注射到聚合物上，并且借助于溶剂射束将其移除。

9、溶剂工艺的进一步开发是所谓的zonebondtm方法，其被描述在出版物wo2009094558a2中。在此是其中必须专门制备载体基板的方法。载体基板由两个不同的区组成。占据最大面积的中心区借助于防粘层(英语：anti sticking layer)被涂覆，并且对于每个类型的聚合物均具有低黏着。第二区以圆形方式通常作为闭合环围绕第一区，并且伸到直至载体基板的边缘。圆环厚度仅为几毫米。该非常小的面积足以整面地固定聚合物以及从而固定接合到载体基板的产品基板。在此，在处理步骤期间，内部通过空气压力和侧面的密封被固定。有利的是，为了脱接，仅必须从能更容易地到达的第二区中移除聚合物，以便使得能够将载体基板从产品基板脱接。

10、另一开发在于光敏分离层的使用。所述光敏分离层通常施加在尤其是透明的载体基板上。接着用聚合物层涂覆载体基板，并且接合到产品基板。在产品基板已完成处理后，通过穿过载体基板照射分离层，可以将所述载体基板从产品基板释放。例如，这种方法在出版物us20150035554a1、us20160133486和us20160133495a1中得以描述。在出版物wo2017076682 a1中找到方法的特殊实施方式，其中分离层不施加在载体基板上，而是施加在产品基板上。

11、所提到的方法可以被相互组合。例如，也可以进行产品基板的取向变换。由于载体基板在该方法的情况下被倒置，因此也谈及载体倒置(英语：carrier flip(载体倒装))。例如，wo2011120537a1说明一种方法，其中产品基板借助于聚合物层被固定在第一载体上，且接着被处理。在处理之后，尤其是背面减薄之后，产品基板非常薄，并且为了进一步使用另一基板侧而被接合到第二载体基板上。经由两个聚合物层进行产品基板的转移。在此，在将产品基板固定在第二载体基板处之后，必须将第一载体基板与产品基板分离。

12、所有所提到的方法通常基于：一些部分、而尤其是层被影响，使得与其他部分的黏着被减少、尤其是完全消除。换言之，分离层的粘附特性被降低。

13、因此，在现有技术中描述的装置和方法描述分离工艺，所述分离工艺设置有机层、尤其是聚合物层作为分离层或将有机接合层与无机分离层组合。使用聚合物作为接合层和/或分离层具有多个缺点，所述聚合物将两个基板相互暂时连接。聚合物是长链分子，其主要组分为碳。因为所述有机材料可能污染清洁室环境、尤其是在其中处理基板的装置，所以在半导体产业中，有机材料经常是不利的并且是不期望的。此外，聚合物具有以下缺点：所述聚合物仅直至相对低的温度维持其粘附特性，这对于脱接来说为优点，然而不利的是，产品基板应该在高温下在载体基板上被处理。除了有机层的低的耐温度变化性之外，有机分离层经常必须被涂敷得相对厚，以便提供对应的粘附特性。

14、但是除了在脱接时的问题之外，在现有技术中还存在以下问题：将在基板上产生的层转移到产品基板上，因为为此也使用分离层，以便将产生的基板堆叠与载体基板分隔。

15、不同方法的特点因此在于：一方面，在处理期间与工艺温度无关地需要高粘附力，另一方面，在处理之后必须用尽可能小的力将基板彼此分离。

技术实现思路

1、因此，本发明的任务是表明一种用于分离载体基板的方法和用于处理以及转移基板的基板系统，其至少部分地排除、尤其是完全排除在现有技术中陈述的缺点。尤其是，本发明的任务是表明用于分离基板或用于分离基板处的层的改善的方法和改善的基板系统。此外，本发明的任务是表明替代方法和替代基板系统，借助于所述替代方法和替代基板系统，基板可以简单地并且干净地被处理、尤其是被脱离(英语：debonded(脱接))或转移。此外，本发明的任务是表明一种方法和基板系统，其以低污染的方式工作或使得能够这样的工作。此外，本发明的任务是表明一种基板系统，尤其是载体基板可以以特别简单的方式从所述基板系统分离或脱离。

2、本任务利用并列权利要求的特征来解决。在从属权利要求中说明本发明的有利改进方案。由在说明书中、权利要求中和/或附图中说明的至少两个特征组成的全部组合也落入本发明的范围内。在所说明的取值范围的情况下，位于所提到的极限内的值也应该被视为作为极限值公开，并且可以以任何组合要求保护。

3、因此，本发明涉及一种用于从产品基板分离载体基板的方法，所述方法具有至少以下步骤：

4、i)提供载体基板和产品基板连同布置在其之间的分离层，其中该分离层将该产品基板固定在该载体基板处，

5、ii)利用激光单元的激光射束照射该分离层，和

6、iii)将载体基板与产品基板分离，其特征在于该分离层为无机的。

7、在此，分离层同时用作接合层或粘附层，用于尤其是将载体基板暂时紧固在产品基板处。产品基板可以是基板堆叠、构件或单个功能层。就此而言，用于分离的方法原则上也被设置用于将任意其他基板与载体基板分离。分离层特别优选地直接布置在载体基板上。以这种方式，可以有利地省去其他接合层。此外，除了无机分离层之外，优选地在分离过程时不需要其他层，尤其是不需要有机层。因此，有利地降低污染的程度。

8、在该方法的其他实施方式中规定，至少一个其他层布置在分离层与产品基板之间，并且其中该至少一个其他层为无机的。

9、换言之，至少具有载体基板、分离层和其他层的基板系统可以有利地利用该方法通过有针对性的激光处理被处理为使得载体基板可以简单地且以污染低的方式从至少一个其他层分离或脱离。在此与现有技术相比，借助于激光器给由无碳材料制成的分离层加载激光射束，使得降低该无机分离层的粘附特性，而其他层同样为无机的。通过经由对无机分离层产生作用释放载体基板，基板系统的完全无机层结构是可能的。因此，在用于处理基板的不同方法中，尤其是在对基板进行脱接和转移时，可以有利地省去有机分离层或接合层的使用。

10、无机材料的较高耐温度变化性能够实现更灵活的工艺设计。此外，无机分离层和接合层典型地具有良好的导热性，使得可以经由载体基板进行更好的散热。

11、此外，聚合物基的有机分离层和有机接合层可能不利地弄脏对应的设备，并且不利地影响质量。利用用于分离层和接合层的无机材料，因此可以减少设备的污染。

12、无机分离层和/或接合层的高粘附特性此外能够实现更薄的分离层以及因此总体上在待处理的基板系统中能够实现更薄的层结构。因此，可以引起基板系统的改善的平整度，并且因此可以节省待处理的并且从而污染性的材料。用于分离载体基板的方法的另一优点在于：到待处理的基板系统中的较低能量输入以及对应的较低热负荷，由此尤其是可处理温度敏感的基板系统。

13、分离层在此由无碳材料构成，并且尤其是早先被沉积到载体基板上。就此而言，分离层也可以此外同时用作用于经由至少一个其他层与产品基板连接的接合层(暂时接合)。

14、在此，载体基板可以被理解为适用于涂敷无机分离层的任意基板。载体基板优选地是无机基板，特别优选地是硅晶片。硅晶片是特别优选的。

15、激光单元有针对性地并且以协调的参数作用于不同的、优选地规则地相间隔的区域中的分离层。在此，对于激光单元的激光辐射优选地不可透过的无机分离层吸收激光辐射，使得分离层的粘附特性和/或稳定性局部地被降低。尤其是，由于高的局部能量集中，在分离层中出现横向裂纹，使得载体基板可以简单地从至少一个其他层或产品基板被释放。通过无机分离层，于是在用于分离的方法中可以有针对性地将载体基板与至少一个其他层分离。

16、可能的，即使非优选地的，尤其是连续的大面积激光辐照是可设想的。在该情况下，激光射束不相对于基板移动，而是被加宽，使得所述激光射束整面地射中基板。尤其是，在这样的特殊实施方式中，曝光时间必须被选择得长得多。

17、在该方法的一种优选的实施方式中规定，在产品基板与载体基板之间仅仅布置无机层。以这种方式，该方法可以特别污染低地被执行。

18、在该方法的一种优选的实施方式中规定，在步骤ii)中的照射时，由激光单元发射的激光射束首先穿透载体基板，并且然后射到分离层上。换言之，激光射束首先穿过载体基板，并且随后由分离层吸收。因此，载体基板对于激光辐射至少是部分可透过的。因此，可以有利地将激光单元布置在载体侧后侧上，并且可以从后侧灵活地执行分离，而对产品基板不提出特殊要求。就此而言，应该指出，必要时至少一个其他层也无论如何强烈地吸收激光辐射，使得有利地保护产品基板。

19、在该方法的一种优选的实施方式中规定，至少一个其他层是氧化硅层，其用作接合层。该无机接合层允许污染低的分离过程。

20、在该方法的一种优选的实施方式中规定，至少一个其他层由第一氧化物层和第二氧化物层尤其是通过熔接产生。由两个氧化物层组成的该其他层特别适用于直接和稳定的接合。

21、在该方法的一种优选的实施方式中规定，分离层由金属或氮化物制成，优选地由tin制成。由金属或氮化物制成的无机分离层是特别适合的，因为所述无机分离层尤其是也能够实现稳定的接合。锡基的分离层是特别优选的。

22、在该方法的一种优选的实施方式中规定，激光射束具有在0.1μm与500μm之间、优选地在0.2μm与100μm之间、又优选地在0.3μm与50μm之间、最优选地在0.5μm与10μm之间、最为优选地在1μm与2.5μm之间的波长。以这种方式，可以特别高效且有针对性地照射分离层。载体基板优选地对于激光射束是可透过的。

23、在该方法的一种优选的实施方式中规定，激光射束的脉冲能量为在0.01μj与128μj之间、优选地在0.125μj与64μj之间、又优选地在0.25μj与32μj之间、最优选地在0.5μj与16μj之间、最为优选地在1μj与8μj之间。已经指出，用这种脉冲能量可以避免对产品基板的损坏。

24、在该方法的一种优选的实施方式中规定，激光面积小于2000μm2、优选地小于500μm2、又更优选地小于80μm2、最优选地小于20μm2、最为优选地小于1μm2。激光作用于的分离层的面积有利地是小的且是有针对性的并且是局部的，用以降低分离层的粘附特性或破坏所述分离层。

25、在该方法的一种优选的实施方式中规定，至少0.1μm、优选地至少1μm、更优选地至少5μm、又更优选地至少10μm、最优选地至少50μm位于激光射束在分离层上的作用区域之间，使得激光射束的作用区域不重叠。以这种方式，特别简单和高效的分离是可能的。

26、在该方法的一种优选的实施方式中规定，激光射束的脉冲持续时间为10,000ps与1ps之间、优选地在1000ps与1ps之间、又更优选地在500ps与1ps之间、最优选地在100ps与1ps之间、最为优选地在50ps与1ps之间。该脉冲持续时间允许用于分离的有针对性的作用。

27、此外，本发明涉及尤其是用于产生半导体构件的基板系统，其至少包括，

28、a)载体基板，

29、b)布置在该载体基板上的分离层，和

30、c)布置在该分离层上的产品基板，

31、其中该载体基板可以通过利用激光单元照射该分离层而与该产品基板分离，

32、其特征在于，该分离层为无机层，并且该分离层将该产品基板固定在该载体基板处。

33、换言之，分离层同时用作接合层。因此简单且无碳的结构是可能的。

34、在基板系统的一种优选的实施方式中规定，至少一个其他层布置在分离层与产品基板之间，并且产品基板由至少一个其他层被固定在载体基板出，其中至少一个其他层为无机的。

35、以这种方式，为相应的意图提供具有最优特性的其他功能层。此外，其他层为无机的，使得无碳或无机堆叠的优点继续存在。如果其他层为接合层，则可以有利地调整在载体基板/分离层与产品基板之间的粘附特性。

36、在基板系统的一种优选的实施方式中规定，该至少一个其他层为接合层，其中该接合层至少由第一氧化物层和第二氧化物层尤其是通过熔接来产生。

37、在基板系统的一种优选的实施方式中规定，在载体基板与产品基板之间仅仅布置无机层。以这种方式，可以以与对含碳堆叠的要求无关地处理基板系统。此外，减少污染。

38、在基板系统的一种优选的实施方式中规定，其中分离层具有在10nm与500nm之间的分离层厚度。小的分离层厚度允许载体基板的特别简单且高效的分离。此外，可以有利地提供具有小厚度的特别轻的基板系统，其中同时通过载体基板提供足够的稳定化，并且通过分离层或接合层提供固定。

39、产品基板被理解为每种类型的可转移构件，尤其是晶片、板，但也被理解为小的单独构件，诸如不同复杂度、形式和功能性的芯片、晶粒，诸如led、mems等。载体基板通常是晶片和/或适用于支撑布置在其上的层。

40、在一种特殊的实施方式中规定，尤其是由氧化物、最优选地由氧化硅制成的无机接合层位于无机分离层上，所述无机接合层本身是由两个单独的无机层的熔接产生的，而优选地由半导体材料制成的其他层、尤其是功能层位于该无机接合层上。由于无机接合层由两个层组成，因此所述无机接合层可以被称为层堆叠。因此，另一实施方式按顺序由以下元件组成：载体基板、无机分离层、通过熔接产生的由至少两个无机层组成的层堆叠、功能层或产品基板。

41、此外，本发明涉及用于分离载体基板的装置，其至少包括：

42、a)提供单元，用于提供载体基板，

43、b)激光单元，用于照射布置在载体基板上的分离层，其中至少一个其他层布置在分离层的背离载体基板的侧上，

44、其中该载体基板可以通过照射该分离层与该至少一个其他层分离，

45、其特征在于，该分离层和该其他层为无机的。

46、装置适用于降低无机分离层的粘附特性，并且因此脱离或分离基板系统的载体基板。在此，激光单元以及载体基板和分离层的材料彼此协调。尤其是，结合最优选的材料组合使用红外辐射范围内的激光辐射提供最优结果。激光参数和材料的最优组合可能性在本公开中作为优选的实施方式表格式地被表示。

47、重要方面是：利用该方法和该装置可以破坏无机层或可以改变无机层的粘附特性。无机层被用作分离层，以便将两个相互连接的基板/层彼此分离，或使布置在分离层上的层从基板或载体基板脱离。因此，基板和层可以通过分离层被分开。因此，具有分离层的基板也可以被使用，以便可以转移其他基板/层。

48、该方法、装置和基板系统可以被使用用于处理基板，尤其是用于将产品基板与载体基板分离。在此，单个基板的概念也包含多层基板系统或基板堆叠。

49、用于分离载体基板的方法和装置的重要方面在于：仅仅将无机层沉积在至少一个载体基板上，其中至少一个层是分离层(英语：release layer(释放层))。

50、分离层小于10μm，但是典型地小于100nm，优选地小于50nm，又更优选地小于25nm，最优选地小于10nm，最为优选地小于1nm。

51、在分离基板时，该分离层尤其是受射束、尤其是激光射束或可比的高强度电磁辐射源或粒子射束轰击。优选地使用电磁射束、尤其是激光射束、不太优选地使用粒子射束。

52、激光参数优选地满足特定条件，以便通过优选地以光学方式影响无机分离层以针对产品基板和载体基板的小负荷将两个基板或布置在分离层的背离载体基板的侧上的层干净地彼此分离。以这种方式，可以有利地完全省去在待处理的基板中使用有机层。因此，耐高温无机分离层的使用能够实现处理步骤，而不消极地影响粘附力，所述处理步骤包含对于有机的并且因此不太耐温度变化的层、尤其是聚合物层将会不可达的温度范围。

53、另一重要方面在于：激光器的能量如何被聚焦到分离层上，以便引起粘附减少和/或甚至引起分离层的值得期望的升华，其通过附加的气体压力越过横向辐射区域将层驱散开，并且因此能够实现在脱离时的高效率，只要上和下邻接的层的凝聚力高于毗邻材料的黏着，并且因此使得能够沿着层而非相对其横向地形成裂纹的话。在此有必要使载体基板材料、载体基板的表面特性、激光波长、激光能量并且尤其作用持续时间(在脉冲式激光器的情况下主要由激光脉冲持续时间限定)彼此协调。由于在红外和可见光谱范围中(与紫外光谱范围相比)仅存在非常少的高效的特定转移工艺，所述转移工艺通过对化学键的直接相互作用导致分子分裂(光化学解离)，所以“冷化学”分离不是如此容易地可能的。因此，在该光子能量低的长波光谱范围中，使用非线性光学效应或短的热脉冲。后者有意地被保持得短，使得在脉冲的相互作用持续时间内的热传播尽可能地被限制到分离层上。因此并且通过横向限制，也防止热以高浓度作用于有用基板，而是要么在转化工艺中(例如在气相中)被束缚，要么在耗散之前分布到大得多的体积以及更大的横截面面积上，使得温度下降多个数量级，并且不导致对基板的不期望的损害。

54、尤其是，脉冲持续时间应该处于1至2位数皮秒范围内，因为热浓度可以在层内在＜1μm层厚度的情况下在时间上被捕获。另一方面，因此可以抑制载体基板中的不期望的非线性工艺。

55、该方法和装置的进一步开发描述除了无机分离层之外，使用纯无机接合层用于连接两个基板或层。于是，无机接合层布置在分离层的背离载体基板的侧上。无机接合层使得能够与现有技术进一步划界，在所述现有技术中作为接合层仅仅使用有机层、尤其是不使用聚合物层。以这种方式，基板的转移同样可以在更高的温度下干净地被执行，因为分离层以及接合层都不由有机材料、尤其是趋于碳化的聚合物组成。无机层的特点也尤其是在于具有非常高的吸附(线性或非线性)，所述非常高的吸附能够实现特别薄的层或也能够实现更复杂的层系统。

56、在此，所产生的基板堆叠优选地仅仅是无机的。通过无机结构，可以在非常高的温度下处理基板堆叠、尤其是产品基板。另一优点是在两个基板或无机层之间存在着的相对高的粘附强度。因此，无机分离层以及必要时无机接合层可以被设计得更薄。因此，可以使分离层的无机材料有利地与激光单元的不同参数协调。因此，激光单元可以有利地有针对性地作用于分离层，并且在此不影响或仅最小程度地影响其他层和/或载体基板。

57、用于处理基板的方法在于至少部分移除或破坏或降低无机分离层的粘附。因此，使得能够转移其他层和/或将基板、尤其是载体基板与另一基板分离。

58、在该方法的一种实施方式中，除了无机分离层之外，使用无机接合层。无机接合层引起两个基板或多个层的连接。

59、在以下段中，描述参数范围，利用所述参数范围可以执行该方法或装置利用所述参数范围工作。

60、该方法基于：激光器、特别优选地红外激光器的激光射束被聚焦到分离层上。在此，激光参数必须尤其是满足以下准则中的一些准则。

61、在用于分离载体基板的方法和装置中，优选以下激光器或激光单元：

62、-在紫外光谱中

63、-f2、arf、nd:yag、he-ag、krf、xecl、he-cd、xef

64、-在可见光谱中

65、-he-cd、ar、铜蒸气、he-ne、kr、红宝石

66、-在近红外光谱中

67、nd:yag、he-ne、er:玻璃、tm:yag、ho:yag、er:ysgg、er:yag

68、-在远红外光谱中

69、-甲醇、甲胺、甲基氟

70、由激光单元发射的激光射束的波长处于0.1μm与500μm之间、优选地0.2μm与100μm之间、又更优选地0.3μm与50μm之间、最优选地0.5μm与10μm之间、最为优选地1μm与2.5μm之间。

71、以下材料种类和材料优选地被用于分离层

72、●半导体，尤其是

73、ge

74、●金属，尤其是

75、ti、w、al、ta、cu

76、●氮化物，尤其是

77、tin、tan、wn、w2n、wn2

78、激光器或激光单元优选地以脉冲模式被运行。尽可能短的脉冲持续时间是特别令人感兴趣的。短脉冲持续时间引起到分离层中的局部热输入，并且最大限度地防止热传导到其他层中。激光的脉冲持续时间处于10,000ps与1ps之间、优选地1000ps与1ps之间、又更优选地500ps与1ps之间、最优选地100ps与1ps之间、最为优选地50ps与1ps之间。

79、激光面积(英语：spot size(光斑尺寸))是激光射束在分离层中的有效横截面面积。

80、如果激光面积为圆形的，则优选地通过激光面积直径来说明所述激光面积。激光面积直径小于50μm、优选地小于25μm、又更优选地小于10μm、最优选地小于5μm、最为优选地小于1μm。

81、如果激光面积为方形的，则通过激光面积边长说明所述激光面积。激光面积边长小于100μm、优选地小于80μm、又更优选地小于50μm、最优选地小于25μm、最为优选地小于15μm。

82、如果激光面积通常为矩形的，则通过第一和第二激光面积边长说明所述激光面积。第一和/或第二激光面积边长小于100μm、优选地小于80μm、又更优选地小于50μm、最优选地在25μm之间、最为优选地小于15μm。

83、平均激光面积小于2000μm2、优选地小于500μm2、又更优选地小于80μm2、最优选地小于20μm2、最为优选地小于1μm2。

84、在忽略收敛的情况下，激光面积大约对应于沿着激光射束的路段的激光射束直径。

85、每脉冲所引入的能量处于0.01μj与128μj之间、优选地0.125μj与64μj之间、又更优选地0.25μj与32μj之间、最优选地0.5μj与16μj之间、最为优选地1μj与8μj之间。每脉冲对应的激光面积能量密度计算为每脉冲能量与激光面积的商。

86、载体基板表面的粗糙度影响激光辐射的散射。优选地粗糙度可以被调整为使得最大量的光子侵入到载体基板中。

87、粗糙度被说明为平均粗糙度、平方粗糙度(quadratische rauheit)或平均粗糙深度。通常对于相同的测量段或测量面而言，平均粗糙度、平方粗糙度和平均粗糙深度的所确定的值不同，但是处于相同的数量级范围内。因此，粗糙度的以下数值范围可以被理解为平均粗糙度、均方根粗糙度或平均粗糙深度的值。

88、在此，粗糙度大于10nm、优选地大于100nm、又更优选地大于1μm、最优选地大于10μm、最为优选地大于100μm。

89、激光面积能量沿着位置的分布不一定是均匀的。激光面积能量尤其是由以下分布函数之一表征：

90、·高斯(gaussian)分布，

91、·柯西(cauchy)分布，

92、·洛兰兹(lorentz)分布

93、·皮尔逊(pearson)分布或

94、·均匀分布

95、用于分离载体层的方法的另一重要方面是在利用激光单元照射分离层时出现的非线性光学效应。

96、通过正确组合正确的物理参数、尤其是载体基板材料、脉冲长度、激光波长、激光能量，电磁波或光子在载体材料中的行为可以被调整为使得在分离层中对激光射束进行聚焦。电光克尔(kerr)效应对此决定性地负责，其根据电场强度描述材料的光学特性、尤其是折射率的变化。

97、由于所选择的激光参数和由此产生的空间上聚焦的短时高能能量输入，出现以下物理效应的至少一个。

98、极端温度升高导致在分离层和与分离层毗邻的至少一个其他层或基板之间的热膨胀。分离层和毗邻的层或基板的热膨胀系数中的差越大，该效应就越高效。膨胀系数是与温度有关的，但是处于为10-6k-1的数量级范围中。因此，比率说明是适宜的。分离层的膨胀系数与至少一个毗邻的至少一个其他层或至少一个毗邻的基板的膨胀系数之间的差的绝对值大于0.1*10-6k-1、优选地大于1.0*10-6k-1、又更优选地大于2.5*10-6k-1、最优选地大于5.0*10-6k-1、最为优选地大于10.0*10-6k-1。如果热膨胀超过临界值，则分离层或布置在分离层的另一侧上的载体基板可以与至少一个其他层或基板分离或脱离。

99、通过选择得非常小的脉冲持续时间，每单位时间可以将比带走到周围环境中的热量更多的热量引入到分离层中。由此，发生升华以及部分地发生等离子体形成。如果脉冲持续时间将会被选择得太大，则无机分离层将会熔化。由于热量被更快地带走到周围环境中，非常快速地再次发生熔体的固化，并且由此发生分离层与周围环境的重新焊合。

100、无机分离层的熔化也是可设想的。如已提及的，在熔化时，必须确保熔体的重新固化不使分离层与其周围环境再次焊合。

101、在一种特别优选的操作模式中，激光面积(英语：laser spot(激光光斑))在分离层中不重叠。在该情况下，在两个所产生的激光面积之间的步宽必须大于激光射束的激光面积。在此，给分离层或作用区域中的每个激光面积加载激光单元的对应的激光射束。以下参数集应该示范性地被提到。在具有10μm的激光面积直径的优选地圆形的激光面积的情况下，步宽处于10μm与30μm之间、优选地10μm与25μm之间、又更优选地10μm与20μm之间、最优选地10μm与15μm之间、最为优选地10μm与12μm之间。在此，应该选择大于激光面积直径的步宽，但仍足够大，以便引起分离层的高效弱化或分离层的粘附特性。例如在激光面积直径为10μm的情况下，可以保证分离层的弱化或破坏即使在30μm的步宽的情况下也进行。尤其是，于是不需要将步宽减小到例如15μm或甚至12μm。

102、如果激光面积将会相交，则激光面积的分离层的经升华的无机材料可能在邻近的激光面积中浓缩或再升华，并且导致重新焊合。在现有技术中，聚合物将会吸收经升华的分离层材料。因此，用于分离载体基板的方法和装置的所有实施方式的重要方面是：在预先给定的激光面积的情况下通过正确地选择两个激光面积之间的步宽可以防止重新焊合。此外，应该提及，在具有有机层的系统的情况下，具有对应小的脉冲持续时间的激光器不起作用。

103、设置以下层系统或基板系统用于在接合或脱接时分离。

104、在第一实施方式中，层系统仅由无机分离层组成。分离层优选地施加在基板、尤其是载体基板上。分离层同时用作接合层。

105、在第二实施方式中，层系统至少由分离层和接合层组成。分离层优选地施加在基板、尤其是载体基板上。接合层施加在分离层上。接合层的任务在于建立与另一基板(至少一个其他层)、尤其是产品基板的连接，而分离层具有通过激光单元被弱化或被破坏的任务。

106、设置以下层系统或基板系统用于层转移。因此，至少一个其他层或基板堆叠可以有利地被转移，并且为此使用分离载体基板的方法。

107、在第三实施方式中，层系统至少由分离层和转移层组成。分离层优选地施加在基板、尤其是载体基板上。转移层施加在分离层上。

108、在第四实施方式中，层系统至少由分离层、生长层和转移层组成。分离层优选地施加在基板、尤其是分离层上。生长层施加在分离层上，并且被使用用于在其上制造、尤其是培育转移层。

109、在第五实施方式中，层系统至少由分离层、生长层、掩模和转移层组成。分离层优选地施加在基板、尤其是载体基板上。生长层施加在分离层上。尤其是，在生长层上产生掩模、尤其是硬质材料掩模，其通过溶胶-凝胶沉积、压印方法和固化方法的组合来制造。通过沉积方法，产生过生长层，其从生长层开始穿过掩模的孔径生长。该生长层表示转移层。

110、所提及的层系统或基板系统现在可以被使用用于实施用于分离的方法。

111、在第一方法中，使用分离层用于两个基板的脱接。为了明朗和总览起见，根据两个基板、即载体基板和产品基板来描述该方法。然而，可以使用该方法，用于产生具有多个基板的基板堆叠。尤其是可设想的是，无机层、尤其是分离层在分别两个基板之间变化。在多个基板的情况下，优选地存在载体基板和安置在其上的多个产品基板。也可设想的是，基板堆叠仅由产品基板组成。但是，在该情况下，要么产品基板中的至少一个产品基板应该如此厚，以致于基板堆叠在机械上足够稳定，要么基板堆叠应该在其整体上如此厚，以致于机械稳定化存在。

112、在第一方法步骤中，将分离层施加在载体基板上。将接合层施加在分离层上。将产品基板接合到该接合层。

113、在第二方法步骤中，处理产品基板。

114、在第三方法步骤中，将产品基板利用其经处理的产品基板表面接合到另一基板、尤其是转移基板。

115、在第四方法步骤中，利用激光器的激光射束穿过载体基板轰击分离层。

116、在第五方法步骤中，取下或脱离载体基板。

117、在特殊的第一方法中，使用包括分离层和接合层的层系统。

118、在载体基板上产生分离层。在分离层上产生接合层。将尤其是同样配备有接合层的产品基板接合到载体基板的接合层。接合优选地是熔接。产品基板尤其是已经具有功能单元。在其他方法步骤中，处理第二、未经接合的产品基板表面。尤其是，背面减薄到小于100μm、优选地小于50μm、又更优选地小于25μm、最优选地小于10μm、最为优选地小于5μm。尤其是即使在高温下也可以在已背面减薄的产品基板上执行其他方法步骤。优选地，发生第二产品基板表面的氧化并且产生tsv，使得第二产品基板表面变为混合接合表面。第二产品基板与第一产品基板的第二产品基板表面的进一步熔接将会是可设想的。于是，该接合优选地是混合接合，即将第一产品基板的电触点直接与第二产品基板的电触点连接，而电触点的介电周围环境通过熔接被相互连接。在此，第二产品基板的产品基板表面优选地再次具有接合层。如果由第一和第二产品基板组成的基板堆叠在机械上足够稳定，则可以将分离层弱化的方法应用于分离层。在此，激光射束优选地通过对于激光的特定波长可透过或透明的载体基板被聚焦到分离层上。分离层由此失去其粘附强度或至少部分地、优选地完全被移除。接着，可以将相互连接的两个产品基板从载体基板移除。

119、在此仅仅使用无机层，即分离层以及所有接合层为无机的。

120、在第二方法中，使用分离层用于转移转移层。该过程被称为层转移(英语：layertransfer(层转移))。

121、在第一方法步骤中提供载体基板。在载体基板上施加至少一个分离层。至少一个转移层位于分离层上。可设想以及也优选的是，首先将生长层施加在分离层上并且将转移层施加在生长层上。也可设想的是，转移层是过生长层(英语：over growth layer)，其必须通过掩模生长。在出版物wo2016184523a1中详尽地描述这样的过生长层的产生。也可设想的是，必须在分离层与转移层之间沉积扩散层(英语：diffusion layer(扩散层)、diffusion barrier(扩散壁垒))，以便在其他方法步骤的情况下不彼此混合两者。

122、在第二方法步骤中，将转移层以其自由的转移层表面与产品基板对准。产品基板可以已经具有功能单元和/或其他层。也将会可设想的是，基板是仅暂时接纳转移层并且在其他方法步骤中转移到产品基板上的转移基板。在该情况下，同样可以在转移基板上产生对应的无机分离层。

123、在第三方法步骤中，将转移层与产品基板接合。

124、在第四方法步骤中，利用激光射束轰击分离层，使得所述分离层失去粘附强度和/或至少部分地被破坏。

125、在第五方法步骤中，移除载体基板，并且转移层保留在产品基板上。尤其是，生长层也仍保留在转移层上。

126、在第六方法步骤中，从转移层移除可能仍存在的生长层。

127、用于分离的示例性方法的差异尤其是在于：一方面，两个基板彼此分离，并且另一方面，层被转移。对于所有所提到的方法都需要无机分离层。

128、下面公开优选材料和工艺参数的示例性列表，借助于所述列表，分离层可以特别最优地通过激光轰击被用于分离。

129、