一种基于SIM卡的射频刷卡增强电路的制作方法

本技术涉及通信，尤其涉及一种基于sim卡的射频刷卡增强电路。

背景技术：

1、nfc(nearfield communication)也叫近距离无线通信，是一项无线技术。nfc由非接触式射频识别(rfid)及互联互通技术整合演变而来,在单一芯片上结合感应式读卡器、感应式卡片和点对点的功能，利用移动终端能在短距离内与兼容设备进行识别和数据交换。

2、nfc具有距离近、带宽高、能耗低等特点。适用于一些敏感信息或个人数据的传输等，在安全性上具有优势，nfc与现有非接触智能卡技术兼容，已经成为得到越来越多主要厂商支持的正式标准。利用nfc功能，可以实现消费、门禁等多种应用，代替卡包里的多种卡片，如移动支付、电子票务、门禁、移动身份识别、防伪等应用。

3、目前市场上有一部分通信设备不支持nfc刷卡，但面临门禁、身份证刷卡等场景时不得不使用刷卡这一技术，于是出现了将nfc芯片集成于sim的装置，但由于sim卡的大小限制，导致nfc的磁通量只有有限大小，并且由于手机壳大多为金属，sim卡座的材质不同，信号从手机内部的sim卡座出来的更小，如果卡座更加深入手机内部，则会形成几乎无法刷卡的局面。

技术实现思路

1、本实用新型的主要目的在于提供一种基于sim卡的射频刷卡增强电路，有效增强nfc的刷卡信号强度。

2、为实现上述目的，本申请提供一种基于sim卡的射频刷卡增强电路，包括nfc芯片、射频功率放大器、双工器、天线、低噪声放大器、基带芯片以及sim卡外围电路，其中：

3、所述双工器的公共端连接所述天线，以进行信号的发射和接收；所述基带芯片分别与所述nfc芯片、所述射频功率放大器和所述低噪声放大器连接；所述nfc芯片的第一信号端与所述射频功率放大器的输入端连接，所述射频功率放大器的输出端与所述双工器的第一信号端连接，所述双工器的第二信号端与所述低噪声放大器的输入端连接，所述低噪声放大器的输出端与所述nfc芯片的第二信号端连接；所述sim卡外围电路与所述基带芯片连接；

4、所述基带芯片，用于控制所述nfc芯片、所述射频功率放大器和所述低噪声放大器工作；

5、所述nfc芯片，用于进行nfc信号的发射和接收；

6、所述射频功率放大器，用于对所述nfc芯片的发射信号进行信号放大处理，输出到所述双工器；

7、所述低噪声放大器，用于放大接收信号，输出到所述nfc芯片；

8、所述双工器，用于隔离所述接收信号和所述发射信号，避免信号干扰。

9、在一种可选的实施方式中，所述nfc芯片、所述射频功率放大器、所述双工器、所述天线、所述低噪声放大器以及所述基带芯片均集成于sim卡内部。

10、在一种可选的实施方式中，所述sim卡外围电路对应的i/o触点均在所述sim卡的背面，且与终端设备的sim卡槽匹配；所述终端设备通过所述sim卡槽对所述sim卡外围电路进行供电。

11、在一种可选的实施方式中，所述射频功率放大器的增益为5dbm，其中心频率为13.56mhz，工作频率为13.553mhz～13.567mhz。

12、在一种可选的实施方式中，所述双工器由两个滤波器组成，其中发射部分滤波器的频带范围为13.55mhz～13.57mhz，接收部分滤波器的频带范围宽于所述发射部分滤波器的频带范围。

13、在一种可选的实施方式中，所述低噪声放大器的增益为3dbm。

14、在一种可选的实施方式中，所述基于sim卡的射频刷卡增强电路，还包括开关。

15、本申请提供一种基于sim卡的射频刷卡增强电路，包括nfc芯片、射频功率放大器、双工器、天线、低噪声放大器、基带芯片以及sim卡外围电路，其中：

16、所述双工器的公共端连接所述天线，以进行信号的发射和接收；所述基带芯片分别与所述nfc芯片、所述射频功率放大器和所述低噪声放大器连接；所述nfc芯片的第一信号端与所述射频功率放大器的输入端连接，所述射频功率放大器的输出端与所述双工器的第一信号端连接，所述双工器的第二信号端与所述低噪声放大器的输入端连接，所述低噪声放大器的输出端与所述nfc芯片的第二信号端连接；所述sim卡外围电路与所述基带芯片连接；所述基带芯片，用于控制所述nfc芯片、所述射频功率放大器和所述低噪声放大器工作；所述nfc芯片，用于进行nfc信号的发射和接收；所述射频功率放大器，用于对所述nfc芯片的发射信号进行信号放大处理，输出到所述双工器；所述低噪声放大器，用于放大接收信号，输出到所述nfc芯片；所述双工器，用于隔离所述接收信号和所述发射信号，避免信号干扰；该装置在nfc发射信号时通过射频放大器将信号放大，以达到刷卡距离的提升，在接收nfc信号时通过低噪声放大器增加接收信号的距离，通过该装置能够有效增强nfc的刷卡信号强度。

技术特征：

1.一种基于sim卡的射频刷卡增强电路，其特征在于，包括nfc芯片、射频功率放大器、双工器、天线、低噪声放大器、基带芯片以及sim卡外围电路，其中：

2.根据权利要求1所述基于sim卡的射频刷卡增强电路，其特征在于，所述nfc芯片、所述射频功率放大器、所述双工器、所述天线、所述低噪声放大器以及所述基带芯片均集成于sim卡内部。

3.根据权利要求2所述基于sim卡的射频刷卡增强电路，其特征在于，所述sim卡外围电路对应的i/o触点均在所述sim卡的背面，且与终端设备的sim卡槽匹配；所述终端设备通过所述sim卡槽对所述sim卡外围电路进行供电。

4.根据权利要求1所述基于sim卡的射频刷卡增强电路，其特征在于，所述射频功率放大器的增益为5dbm，其中心频率为13.56mhz，工作频率为13.553mhz～13.567mhz。

5.根据权利要求1所述基于sim卡的射频刷卡增强电路，其特征在于，所述双工器由两个滤波器组成，其中发射部分滤波器的频带范围为13.55mhz～13.57mhz，接收部分滤波器的频带范围宽于所述发射部分滤波器的频带范围。

6.根据权利要求1所述基于sim卡的射频刷卡增强电路，其特征在于，所述低噪声放大器的增益为3dbm。

7.根据权利要求1所述基于sim卡的射频刷卡增强电路，其特征在于，所述基于sim卡的射频刷卡增强电路，还包括开关。

技术总结本技术公开了一种基于SIM卡的射频刷卡增强电路，包括NFC芯片、射频功率放大器、双工器、天线、低噪声放大器、基带芯片以及SIM卡外围电路，其中：所述双工器的公共端连接所述天线，以进行信号的发射和接收；所述基带芯片分别与所述NFC芯片、所述射频功率放大器和所述低噪声放大器连接；所述NFC芯片的第一信号端与所述射频功率放大器的输入端连接，所述射频功率放大器的输出端与所述双工器的第一信号端连接，所述双工器的第二信号端与所述低噪声放大器的输入端连接，所述低噪声放大器的输出端与所述NFC芯片的第二信号端连接；所述SIM卡外围电路与所述基带芯片连接，可以有效增强NFC的刷卡信号强度。技术研发人员：朱琳琳,朱超凡,张俊周,潘起明受保护的技术使用者：四川科道芯国智能技术股份有限公司技术研发日：20240402技术公布日：2024/12/23