可测定边缘区域的特性的监测设备及其制造方法与流程

本发明涉及能够测定被诊断体的边缘区域的特性的监测设备及其制造方法。

背景技术：

1、静电卡盘是半导体设备内的核心部件。这种静电卡盘由于每个工程中发生温度的升降、内部加热电极的电阻成分发生变化而可能温度均匀度发生偏差。

2、另外，在更换所述静电卡盘的过程中可能发生的静电卡盘倾斜度的偏差会影响等离子体的分布。另外，所述静电卡盘的内部电极的电成分的变化会影响静电力，或者半导体设备的振动会影响工程结果。

3、当所述静电卡盘处于未形成期望的温度或温度分布的状态、静电力不恒定的状态、所述半导体设备本身有振动的状态或所述静电卡盘或喷淋头发生了偏差的状态下执行半导体工程或显示工程的情况下，尤其执行蚀刻工程时，晶圆会发生缺陷，从而可引发所有晶圆都得丢弃的严重的问题。

4、因此，出现了能够测定静电卡盘的特性的如图1所示的监测设备。所述监测设备为传感器等元件102排列在空心的晶圆100的内部空间的结构。在这种结构中，传感器由于晶圆100的侧面而无法测定静电卡盘的边缘区域的特性。

技术实现思路

1、要解决的技术问题

2、本发明提供能够测定被诊断体的边缘区域的特性的监测设备及其制造方法。

3、技术方案

4、为了达到如上所述的目的，根据本发明的一个实施例的监测设备包括：下盖；排列于所述下盖之上的引导部；至少一个电子元件排列于电路板的上部的电路模块；以及排列于所述引导部和所述电路模块之上的上盖。其中，在所述引导部形成有空间，所述电路模块排列于所述空间内。

5、根据本发明的另一实施例的监测设备包括：下盖；排列于所述下盖之上的电路模块；排列于所述电路模块上的元件；以及排列于所述元件之上的上盖。其中，所述元件具有高度相对低的第一元件和高度相对高的第二元件，通过在所述第一元件之上填充填料，被填充所述填料的第一元件和所述第二元件的高度相同。

6、根据本发明的又一实施例的监测设备包括：下盖；排列于所述下盖之上的电路模块；排列于所述电路模块上的至少一个电子元件；以及排列于所述电子元件之上的上盖。其中，作为所述电子元件的传感器排列在与工程中使用的晶圆的极限边缘区域相对应的电路模块的区域上。

7、根据本发明的一个实施例的监测设备制造方法包括：在下盖上排列电路板的步骤；在所述电路板上排列高度相对低的第一元件和高度相对高的第二元件的步骤；在所述第一元件之上填充填料使得与所述第二元件的高度相同的步骤；以及在所述第一元件和所述第二元件之上排列上盖的步骤。

8、在根据本发明的监测设备及其制造方法中，传感器可以配置在与用于后续工程的晶圆的极限边缘区域相对应的区域，因此所述监测设备能够测定被诊断体的边缘区域的特性。

技术特征：

1.一种监测设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的监测设备，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的监测设备，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的监测设备，其特征在于：

5.根据权利要求1所述的监测设备，其特征在于：

6.根据权利要求5所述的监测设备，其特征在于：

7.根据权利要求1所述的监测设备，其特征在于：

8.根据权利要求1所述的监测设备，其特征在于：

9.根据权利要求1所述的监测设备，其特征在于：

10.根据权利要求1所述的监测设备，其特征在于：

11.一种监测设备，其特征在于，包括：

12.根据权利要求11所述的监测设备，其特征在于：

13.一种监测设备，其特征在于，包括：

14.一种监测设备制造方法，其特征在于，包括：

15.根据权利要求14所述的监测设备制造方法，其特征在于：

技术总结公开能够测定边缘区域的特性的监测设备及其制造方法。所述监测设备包括下盖、排列于所述下盖上的引导部、在上部排列至少一个电子元件的电路模块以及排列于所述引导部及所述电路模块上的上盖。其中，所述引导部形成有空间，所述电路模块排列于所述空间内。技术研发人员：金宰焕,吴宰源受保护的技术使用者：维特株式会社技术研发日：技术公布日：2025/1/13