本发明涉及自支撑氧化物薄膜转移技术领域,特别涉及一种二维超薄自支撑薄膜、其转移方法及其物理性质调控方法。背景技术:柔韧性和延展性是未来可穿戴电子器件的重要特征,而氧化物薄膜,特别是二维铁电薄膜作为一种......