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一种大功率SiCMOSFET并联均温均流电路的制作方法
本发明涉及电力电子器件领域，具体涉及一种大功率sic mosfet并联均温均流电路。背景技术：1、为了平均并联sic功率器件的电流，目前大多采用“主动”均流方法和“被动”均流方法。对于高功率大电流场合......
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一种SiCMOSFET器件的制作方法
本发明属于半导体元器件制备，具体涉及一种sic mosfet器件。背景技术：1、碳化硅（sic）是一种第三代半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿电场强度高、热导率高等优异特性。基于sic材料制备的功率......
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一种五相SiCMosfet驱动控制器
本发明涉及电机驱动控制，尤其是涉及一种五相sic mosfet驱动控制器。背景技术：1、sic电子器件的漂移层阻抗比si电子器件低，因此使用sic制成的mosfet具有更高的耐压以及更低的导通电阻，不......
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一种SiCMOSFET串扰抑制驱动电路
本发明涉及电力电子，具体涉及一种sic mosfet串扰抑制驱动电路。背景技术：1、近年来，随着新能源技术的蓬勃发展以及世界对电力电子产业需求的进一步增加，功率半导体器件作为电子产业链中最核心的一类器......
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2024-10-15精选技术
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