一种TMBS器件的制作方法

本发明涉及功率半导体器件，特别涉及一种tmbs器件。背景技术：1、肖特基二极管是由金属和n型半导体形成肖特基接触，从而实现正向导通，反向截止的功能，主要电参数为正向压降、击穿电压和反向漏电流。其中压降......

2024-07-31 33

#制作方法#器件#TMBS