一种新型碳化硅UMOSFET及其制备方法

本发明属于半导体功率器件领域，具体涉及一种新型碳化硅umosfet及其制备方法。背景技术：1、在电力电子行业整体向好的大环境下，在电力电子中起决定性作用的功率半导体器件成为影响电力电子设备成本和效率的......

2024-07-31 19

#碳化硅#制备方法#UMOSFET