立体高集成肖特基势垒二极管及制备方法

本发明属于半导体器件领域，尤其涉及立体高集成肖特基势垒二极管及制备方法。背景技术：1、随着电子技术的不断扩展和进步，功率半导体器件正经历着持续的创新和发展，以满足不断增长的应用需求。为了应对这一趋势，......

2024-07-31 29

#制备方法#肖特基#势垒二极管