写入前弱预充电双轨SRAM写入优化的制作方法

背景技术：1、参考图1，存储器单元140是耦接到相关联电路的示例性六晶体管双轨静态随机存取存储器(sram)单元。存储器单元140包括具有由字线wl驱动的栅极的传输晶体管101和传输晶体管103。存储......

2024-07-31 42

#双轨#制作方法#前弱预