本发明属于三维微电子封装,具体涉及一种用于tsv-cu的本构关系构建方法。背景技术:1、随着晶体管特征尺寸的不断缩小,平面集成电路开始出现发展上的瓶颈。面对集成电路在发展与创新上的需求,基于穿透硅通孔......