用于自底而上间隙填充的PVD钼梯度氧化和蚀刻的制作方法

本发明的实施方式涉及一种形成薄膜的方法和装置。更具体地，本公开内容涉及用于半导体器件中的金属间隙填充的方法和装置。背景微电子器件的制造通常涉及复杂的处理序列，需要在半导体、电介质和导电基板上执行数百个......

2024-12-06 41

#梯度#制作方法#而上