本发明涉及半导体制造,特别是涉及提升面内均一性的方法。背景技术:1、化学机械研磨(cmp)是晶圆在研磨盘(platen)与研磨头(head)、研磨液(slurry)之间相互作用的过程,三者任意状态出现......