使用特征图像进行三维掩模仿真中的掩模制造效应的制作方法

本公开涉及光刻掩模仿真，包括用于全芯片或大规模计算光刻应用。

背景技术：

1、半导体晶片的制造中的一个步骤涉及光刻。在通常的光刻过程中，光源产生光，该光由收集/照射光学器件收集和引导，以照射光刻掩模。投影光学器件将照射掩模产生的图案中继到晶片上，根据照射图案曝光晶片上的抗蚀剂。然后，图案化的抗蚀剂被用在制造晶片上的结构的过程中。

2、各种技术旨在改进光刻过程，包括改进光刻掩模的设计。在计算光刻中，光刻掩模设计被用作三维掩模模型的输入，该模型用于计算掩模函数，掩模函数描述由光源照射的掩模的电磁场散射特性。然后，掩模函数可以被用作光学成像模型(例如，阿贝(abbe)成像模型或霍普金斯(hopkins)成像模型)的输入，以预测抗蚀剂中的印刷图案。期望三维掩模模型准确和快速。

技术实现思路

1、在某些方面，表示光刻掩模的布局几何形状的特征图像被接收。通过将特征图像与对应的三维掩模(m3d)滤波器进行卷积，来计算各个特征图像的掩模函数(mf)贡献。m3d滤波器表示该特征图像的电磁散射效应。至少一个m3d滤波器是还考虑由用于光刻掩模的制造过程产生的效应的m3d滤波器。

2、其他方面包括组件、设备、系统、改进、方法、过程、应用、计算机可读介质以及与上述中的任一个相关的其他技术。

技术特征：

1.一种方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述经掩模校正的m3d滤波器被参数化，并且所述经掩模校正的m3d滤波器的参数基于使用光刻掩模制造的晶片的测量结果被调谐，所述光刻掩模使用所述制造过程被制造。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述经掩模校正的m3d滤波器是区域滤波器，并且用于所述区域滤波器的参数是加法常数或乘法常数。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述经掩模校正的m3d滤波器是单边缘滤波器，并且用于所述单边缘滤波器的参数是空间移位。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述经掩模校正的m3d滤波器是边缘到边缘滤波器，并且用于所述边缘到边缘滤波器的参数是空间移位。

6.根据权利要求1所述的方法，其中用于所述经掩模校正的m3d滤波器的参数是空间移位、加法常数或乘法常数。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

8.一种非暂态计算机可读介质，包括所存储的指令，所述指令在由处理器设备执行时，使得所述处理器设备：

9.根据权利要求8所述的非暂态计算机可读介质，其中修改所述原始m3d滤波器包括：

10.根据权利要求9所述的非暂态计算机可读介质，其中修改所述原始m3d滤波器包括：基于将(a)与(b)进行匹配，修改所述原始m3d滤波器，(a)为通过使用所述经掩模校正的m3d滤波器的晶片的仿真而预测的结果，(b)为晶片的所述测量结果。

11.根据权利要求8所述的非暂态计算机可读介质，其中修改所述原始m3d滤波器包括：基于将(a)与(b)进行匹配，修改所述原始m3d滤波器，(a)为通过使用所述经掩模校正的m3d滤波器的晶片的仿真而预测的结果，(b)为通过其中晶片结构的模型包括由所述制造过程产生的制造效应的晶片的仿真而预测的结果。

12.根据权利要求8所述的非暂态计算机可读介质，其中所述光刻掩模包括具有侧壁的特征，表示所述掩模特征的所述特征图像包括单边缘图像和/或多边缘图像，并且修改所述原始m3d滤波器包括：对用于那些特征图像的所述原始m3d滤波器进行移位，以考虑所述侧壁的角度上的变化。

13.根据权利要求8所述的非暂态计算机可读介质，其中所述光刻掩模包括膜堆叠，表示吸收体的所述特征图像包括单边缘图像和/或多边缘图像，并且修改所述原始m3d滤波器包括：对用于那些特征图像的所述原始m3d滤波器进行移位，以考虑所述膜堆叠的厚度上的变化。

14.根据权利要求8所述的非暂态计算机可读介质，其中所述光刻掩模包括由折射率和介电常数表征的吸收体，表示所述吸收体的所述特征图像包括单边缘图像和/或多边缘图像，并且修改所述原始m3d滤波器包括：对用于那些特征图像的所述原始m3d滤波器进行移位，以考虑所述折射率或介电常数上的变化。

15.根据权利要求8所述的非暂态计算机可读介质，其中所述特征图像包括单边缘图像和/或多边缘图像，并且修改所述原始m3d滤波器包括：对用于那些特征图像的所述原始m3d滤波器应用特征依赖的移位，以考虑用于所述光刻掩模的所述制造过程中的短距离邻近效应。

16.一种系统，包括：

17.根据权利要求16所述的系统，还包括：将所述掩模函数作为输入应用到阿贝成像模型或霍普金斯成像模型。

18.根据权利要求16所述的系统，其中所述布局几何形状包括用于整个集成电路裸片的布局几何形状。

19.根据权利要求16所述的系统，其中所述光刻掩模的光源照射是极紫外(euv)照射或深紫外(duv)照射。

20.根据权利要求16所述的系统，其中所述布局几何形状包括多个形状，并且表示每个形状的所述特征图像至多包括：区域图像、单边缘图像和双边缘图像。

技术总结表示光刻掩模的布局几何形状的特征图像被接收。通过将特征图像与对应的三维掩模(M3D)滤波器进行卷积，来计算各个特征图像的掩模函数(MF)贡献。M3D滤波器表示该特征图像的电磁散射效应。至少一个M3D滤波器还考虑了由光刻掩模的制造过程产生的效应。技术研发人员：刘鹏受保护的技术使用者：美商新思科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/12