阵列基板及显示面板的制作方法

本技术涉及显示，具体涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术：

1、为了降低液晶显示器的能耗，在液晶面板上需提升其光线的穿透率。而在高分辨的液晶面板中，由于阵列基板上的公共电极和数据线均不透光，像素开口率相对较低，光线穿透率提升难度大。

2、为了解决上述技术问题，相关技术采用双数据线设置在像素电极的正下方，像素电极包括两个子像素电极，每个子像素电极包括两条相互错开的竖直主干电极，两条竖直的主干电极和一条横向的主干电极将子像素电极分为四畴区，并采用像素电极中竖直的主干电极对应遮挡数据线，来达到提高开口率的效果。但是因为子像素电极中各个畴区的透光面积差异较大，导致各方向的视角差异较大。

技术实现思路

1、本技术实施例提供一种阵列基板及显示面板，可以改善子像素电极中各个畴区的透光面积差异较大的问题。

2、本技术实施例提供一种阵列基板，其包括第一像素电极，所述第一像素电极包括第一主像素电极，所述第一主像素电极包括第一主畴区、第二主畴区、第三主畴区和第四主畴区，所述第一主像素电极包括：

3、第一主干和第二主干，沿着第一方向延伸设置，所述第二主干与所述第一主干间隔设置，在所述阵列基板的俯视视角上，在与所述第一方向垂直的方向上，所述第一主干与所述第二主干部分重叠；

4、第三主干和第四主干，沿着第二方向延伸设置，所述第二方向与所述第一方向相交，所述第三主干和所述第四主干之间间隔有所述第一主干和所述第二主干，所述第三主干与所述第二主干靠近所述第一主干的端部连接，所述第四主干与所述第一主干靠近所述第二主干的端部连接；

5、第一连接主干，设于所述第一主干和所述第二主干之间，所述第一连接主干的一端连接于所述第一主干，所述第一连接主干的另一端连接于所述第二主干，所述第一主干、所述第一连接主干和所述第三主干界定形成所述第一主畴区，所述第一主干和所述第四主干界定形成所述第二主畴区，所述第二主干和所述第三主干界定形成所述第三主畴区，所述第二主干、所述第一连接主干和所述第四主干界定形成所述第四主畴区；

6、其中，在与所述第一方向垂直的方向上，所述第三主干远离所述第一主干一端的边界到所述第一主干边缘的距离为第一距离，所述第四主干远离所述第一主干一端的边界到所述第一主干边缘的距离为第二距离；在所述第一方向上，所述第一主干远离所述第四主干一端的边界到所述第三主干边缘的距离为第三距离，所述第一主干远离所述第四主干一端的边界到所述第四主干边缘的距离为第四距离；

7、所述第一距离大于所述第二距离，所述第三距离小于所述第四距离。

8、可选的，在本技术的一些实施例中，在与所述第一方向垂直的方向上，所述第三主干远离所述第二主干一端的边界到所述第二主干边缘的距离为第五距离，所述第四主干远离所述第二主干一端的边界到所述第二主干边缘的距离为第六距离；在所述第一方向上，所述第二主干远离所述第三主干一端的边界到所述第三主干边缘的距离为第七距离，所述第二主干远离所述第三主干一端的边界到所述第四主干边缘的距离为第八距离；

9、所述第五距离小于所述第六距离，所述第七距离大于所述第八距离。

10、可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一距离等于所述第六距离，所述第二距离等于所述第五距离，所述第三距离等于所述第八距离，所述第四距离等于所述第七距离。

11、可选的，在本技术的一些实施例中，所述阵列基板还包括沿着所述第一方向延伸的第一数据线和所述第二数据线，所述第一数据线和所述第二数据线间隔设置，所述第一主干遮挡所述第二数据线，所述第二主干遮挡所述第一数据线；

12、所述第一主畴区的面积为z1，所述第二主畴区的面积为z2，所述第三主畴区的面积为z3，所述第四主畴区的面积为z4，所述第一数据线于所述第一主畴区的面积为za，所述第二数据线于所述第四主畴区的面积为zc，其中，z1-za＝z2＝z3＝z4-zc。

13、可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一像素电极包括第一辅像素电极，所述第一辅像素电极包括第一辅畴区、第二辅畴区、第三辅畴区和第四辅畴区，所述第一辅像素电极包括：

14、第五主干和第六主干，沿着所述第一方向延伸设置，所述第六主干与所述第五主干间隔设置，在所述阵列基板的俯视视角上，在与所述第一方向垂直的方向上，所述第五主干与所述第六主干部分重叠；

15、第七主干和第八主干，沿着所述第二方向延伸设置，所述第七主干和所述第八主干之间间隔有所述第五主干和所述第六主干，所述第七主干与所述第六主干靠近所述第五主干的端部连接，所述第八主干与所述第五主干靠近所述第六主干的端部连接；

16、第二连接主干，设于所述第五主干和所述第六主干之间，所述第二连接主干的一端连接于所述第五主干，所述第二连接主干的另一端连接于所述第六主干，所述第五主干、所述第二连接主干和所述第七主干界定形成所述第一辅畴区，所述第五主干和所述第八主干界定形成所述第二辅畴区，所述第六主干和所述第七主干界定形成所述第三辅畴区，所述第六主干、所述第二连接主干和所述第八主干界定形成所述第四辅畴区；

17、其中，在与所述第一方向垂直的方向上，所述第七主干远离所述第五主干一端的边界到所述第五主干边缘的距离为第一长度，所述第八主干远离所述第五主干一端的边界到所述第五主干边缘的距离为第二长度；在所述第一方向上，所述第五主干远离所述第八主干一端的边界到所述第七主干边缘的距离为第三长度，所述第五主干远离所述第八主干一端的边界到所述第八主干边缘的距离为第四长度；

18、所述第一长度大于所述第二长度，所述第三长度小于所述第四长度。

19、可选的，在本技术的一些实施例中，在与所述第一方向垂直的方向上，所述第七主干远离所述第六主干一端的边界到所述第六主干边缘的距离为第五长度，所述第八主干远离所述第六主干一端的边界到所述第六主干边缘的距离为第六长度；在所述第一方向上，所述第六主干远离所述第七主干一端的边界到所述第七主干边缘的距离为第七长度，所述第六主干远离所述第七主干一端的边界到所述第八主干边缘的距离为第八长度；

20、所述第五长度小于所述第六长度，所述第七长度大于所述第八长度。

21、可选的，在本技术的一些实施例中，所述阵列基板还包括公共电极，所述公共电极与所述第一像素电极异层设置，所述公共电极的部分沿着与所述第一方向垂直的方向延伸，且遮挡所述第一辅畴区远离所述第三辅畴区的部分和所述第二辅畴区远离所述第四辅畴区的部分，所述第五主干与所述公共电极重叠部分的长度为重叠长度；

22、所述第一长度等于所述第六长度，所述第二长度等于所述第五长度，所述第三长度与所述重叠长度之差等于所述第八长度，所述第四长度与所述重叠长度之差等于所述第七长度。

23、可选的，在本技术的一些实施例中，所述第五主干遮挡所述第二数据线，所述第六主干遮挡所述第一数据线；

24、所述第一辅畴区的面积为f1，所述第二辅畴区的面积为f2，所述第三辅畴区的面积为f3，所述第四辅畴区的面积为f4，所述第一数据线于所述第一辅畴区的面积为fa，在所述第一辅畴区中所述第一数据线与所述公共电极重叠的面积为fz，所述第二数据线于所述第四辅畴区的面积为fc，所述公共电极于所述第一辅畴区的面积为fd，所述公共电极于所述第二辅畴区的面积为fg，其中，f1-fa-fd+fz＝f2-fg＝f3＝f4-fc。

25、可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一主像素电极还包括第一主侧框、第二主侧框、第三主侧框、第一主分支、第二主分支、第三主分支和第四主分支，所述第一主分支位于所述第一主畴区，所述第二主分支位于所述第二主畴区，所述第三主分支位于所述第三主畴区，所述第四主分支位于所述第四主畴区，所述第一主侧框沿着所述第一方向延伸且连接于部分的所述第一主分支、所述第三主干远离所述第一主干的一端和部分的所述第三主分支，所述第二主侧框沿着所述第二方向延伸且连接于部分的所述第一主分支、所述第一主干远离所述第四主干的一端和部分的所述第二主分支，所述第三主侧框沿着所述第一方向延伸且连接于部分的所述第二主分支、所述第四主干远离所述第一主干的一端和部分的所述第四主分支；

26、所述第一辅像素电极还包括第一辅侧框、第二辅侧框、第三辅侧框、第一辅分支、第二辅分支、第三辅分支和第四辅分支，所述第一辅分支位于所述第一辅畴区，所述第二辅分支位于所述第二辅畴区，所述第三辅分支位于所述第三辅畴区，所述第四辅分支位于所述第四辅畴区，所述第一辅侧框沿着所述第一方向延伸且连接于部分的所述第一辅分支、所述第七主干远离所述第五主干的一端和部分的所述第三辅分支，所述第二辅侧框沿着所述第二方向延伸且连接于部分的所述第三辅分支、所述第六主干远离所述第七主干的一端和部分的所述第四辅分支，所述第三辅侧框沿着所述第一方向延伸且连接于部分的所述第二辅分支、所述第八主干远离所述第五主干的一端和部分的所述第四辅分支；

27、所述第一方向垂直于所述第二方向。

28、可选的，在本技术的一些实施例中，所述阵列基板还包括第二像素电极，在所述第二方向上，所述第一像素电极与所述第二像素电极交替设置，所述第一数据线与所述第二数据线交替设置；

29、所述第二像素电极包括第二主像素电极，所述第二主像素电极包括第五主畴区、第六主畴区、第七主畴区和第八主畴区，所述第二主像素电极包括：

30、第九主干和第十主干，所述第九主干沿着所述第一方向延伸设置，所述第十主干与所述第九主干间隔设置，所述第十主干的延伸方向与所述第九主干的延伸方向平行，在所述阵列基板的俯视视角上，在与所述第一方向垂直的方向上，所述第九主干与所述第十主干部分重叠；

31、第十一主干和第十二主干，沿着所述第二方向延伸设置且与所述第四主干相邻设置，所述第十一主干和所述第十二主干之间间隔有所述第九主干和所述第十主干，所述第十一主干与所述第九主干靠近所述第十主干的端部连接，所述第十二主干与所述第十主干靠近所述第九主干的端部连接；

32、第三连接主干，设于所述第九主干和所述第十主干之间，所述第三连接主干的一端连接于所述第九主干，所述第三连接主干的另一端连接于所述第十主干，所述第九主干和所述第十一主干界定形成所述第五主畴区，所述第九主干、所述第三连接主干和所述第十二主干界定形成所述第六主畴区，所述第十主干、所述第三连接主干和所述第十一主干界定形成所述第七主畴区，所述第十主干和所述第十二主干界定形成所述第八主畴区；

33、其中，在所述第二方向上，所述第十一主干远离所述第九主干一端的边界到所述第九主干边缘的距离为第九距离，所述第十二主干远离所述第九主干一端的边界到所述第九主干边缘的距离为第十距离；在所述第一方向上，所述第九主干远离所述第十一主干一端的边界到所述第十一主干边缘的距离为第十一距离，所述第九主干远离所述第十二主干一端的边界到所述第十二主干边缘的距离为第十二距离；所述第九距离小于所述第十距离，所述第十一距离大于所述第十二距离。

34、在所述第二方向上，所述第十一主干远离所述第十主干一端的边界到所述第十主干边缘的距离为第十三距离，所述第十二主干远离所述第十主干一端的边界到所述第十主干边缘的距离为第十四距离；在所述第一方向上，所述第十主干远离所述第十二主干一端的边界到所述第十一主干边缘的距离为第十五距离，所述第十主干远离所述第十二主干一端的边界到所述第十二主干边缘的距离为第十六距离；所述第十三距离大于所述第十四距离，所述第十五距离小于所述第十六距离。

35、在相邻的所述第一像素电极和所述第二像素电极中，所述第一主像素电极的所述第四主干与所述第二主像素电极的所述第十一主干对齐设置，所述第一主像素电极的所述第三主干与所述第二主像素电极的所述第十二主干对齐设置。

36、可选的，在本技术的一些实施例中，所述第二像素电极包括第二辅像素电极，所述第二辅像素电极包括第五辅畴区、第六辅畴区、第七辅畴区和第八辅畴区，所述第二辅像素电极包括：

37、第十三主干和第十四主干，沿着所述第一方向延伸设置，所述第十四主干与所述第十三主干间隔设置，在所述阵列基板的俯视视角上，在与所述第一方向垂直的方向上，所述第十三主干与所述第十四主干部分重叠；

38、第十五主干和第十六主干，沿着所述第二方向延伸设置且与所述第八主干相邻设置，所述第十五主干和所述第十六主干之间间隔有所述第十三主干和所述第十四主干，所述第十五主干与所述第十三主干靠近所述第十四主干的端部连接，所述第十六主干与所述第十四主干靠近所述第十三主干的端部连接；

39、第四连接主干，设于所述第十三主干和所述第十四主干之间，所述第四连接主干的一端连接于所述第十三主干，所述第四连接主干的另一端连接于所述第十四主干，所述第十三主干和所述第十五主干界定形成所述第五辅畴区，所述第十三主干、所述第四连接主干和所述第十六主干界定形成所述第六辅畴区，所述第十四主干、所述第四连接主干和所述第十五主干界定形成所述第七辅畴区，所述第十四主干和所述第十六主干界定形成所述第八辅畴区；

40、其中，在所述第二方向上，所述第十五主干远离所述第十三主干一端的边界到所述第十三主干边缘的距离为第九长度，所述第十六主干远离所述第十三主干一端的边界到所述第十三主干边缘的距离为第十长度；在所述第一方向上，所述第十三主干远离所述第十四主干一端的边界到所述第十五主干边缘的距离为第十一长度，所述第十三主干远离所述第十四主干一端的边界到所述第十六主干边缘的距离为第十二长度；所述第九长度小于所述第十长度，所述第十一长度大于所述第十二长度。

41、在所述第二方向上，所述第十五主干远离所述第十四主干一端的边界到所述第十四主干边缘的距离为第十三长度，所述第十六主干远离所述第十四主干一端的边界到所述第十四主干边缘的距离为第十四长度；在所述第一方向上，所述第十四主干远离所述第十三主干一端的边界到所述第十五主干边缘的距离为第十五长度，所述第十四主干远离所述第十三主干一端的边界到所述第十六主干边缘的距离为第十六长度；所述第十三长度大于所述第十四长度，所述第十五长度小于所述第十六长度。

42、在相邻的所述第一像素电极和所述第二像素电极中，所述第一辅像素电极的所述第八主干与所述第二辅像素电极的所述第十五主干对齐设置，所述第一辅像素电极的所述第七主干与所述第二辅像素电极的所述第十六主干对齐设置。

43、可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一主干的长度等于所述第二主干的长度，所述第三主干的长度等于所述第四主干的长度。

44、相应的，本技术实施例还提供一种显示面板，其包括如上述任意一项实施例所述的阵列基板。

45、本技术实施例的阵列基板包括第一像素电极，所述第一主像素电极包括沿着第一方向延伸设置的第一主干和第二主干、沿着第二方向延伸设置的第三主干和第四主干以及所述第三主干；第一连接主干连接于所述第一主干和所述第二主干之间；所述第一主干与所述第二主干部分重叠；其中，在与所述第一方向垂直的方向上，所述第三主干远离所述第一主干一端的边界到所述第一主干边缘的距离为第一距离，所述第四主干远离所述第一主干一端的边界到所述第一主干边缘的距离为第二距离；在所述第一方向上，所述第一主干远离所述第四主干一端的边界到所述第三主干边缘的距离为第三距离，所述第一主干远离所述第四主干一端的边界到所述第四主干边缘的距离为第四距离；所述第一距离大于所述第二距离，所述第三距离小于所述第四距离。

46、其中，本技术实施例的阵列基板通过第三主干和第四主干非同线的设计搭配第一主干、第二主干和第一连接主干，以调整畴区之间的面积，以使得畴区之间发光面积趋于一致。