一种光刻胶烘烤装置的制作方法

本技术涉及半导体制造，尤其涉及一种光刻胶烘烤装置。

背景技术：

1、晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆，晶圆可进一步加工制作成各种电路元件结构，而使晶圆成为有特定电性功能的芯片产品。

2、在晶圆加工制作过程中，通常会涉及到光刻工艺，光刻工艺是将芯片设计的图案转移到晶圆上。在光刻工艺过程中，操作人员会在晶圆表面涂抹光刻胶，然后对光刻胶进行加热固化，以使晶圆表面的光刻胶形成均匀、稳定的薄膜，提高晶圆的耐化学性和机械强度。

3、然而加热固化光刻胶的过程中，由于电热丝在加热板的中心部分分布集中，而在加热板的边缘部分分布稀疏，造成电热丝对各处的光刻胶产生的热量不均匀，导致光刻胶受热不均匀，从而导致光刻胶形成的薄膜厚度不均匀，导致影响晶圆的性能，甚至导致晶圆报废。此外，在对光刻胶进行烘烤时，晶圆与加热板之间的距离由运送晶圆的机构直接控制，操作人员需要控制运送晶圆的机构来调节晶圆与加热板之间的距离，在此过程中，晶圆与加热板之间的距离如果调节不合适会影响加热板对晶圆的加热，从而影响晶圆表面光刻胶的挥发，进而影响光刻胶在晶圆表面形成薄膜的厚薄，最终影响晶圆的性能。

4、因此，亟需研究一种光刻胶烘烤装置来解决上述问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种光刻胶烘烤装置，能够对晶圆表面的光刻胶进行均匀加热的同时，对晶圆与加热板之间的距离进行精准控制，使光刻胶形成厚度均匀的薄膜。

2、为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

3、一种光刻胶烘烤装置，包括：

4、支架；

5、加热组件，所述加热组件与所述支架连接，所述加热组件包括加热板，所述加热板上设置有电热丝，所述电热丝的宽度在1mm-3mm之间，所述电热丝均匀间隔地盘设于所述加热板，相邻所述电热丝之间的间隔距离在3mm-4mm之间；

6、承托组件，所述承托组件设置于所述支架上，所述承托组件能够承托位于第一位置的所述晶圆；

7、支撑件，所述支撑件设置于所述加热组件上，所述支撑件能够支撑位于第二位置的所述晶圆；所述第一位置高于所述第二位置。

8、作为优选，所述加热组件还包括第一导热板，所述第一导热板与所述加热板之间通过连接件连接，且所述第一导热板位于所述加热板上方，所述第一导热板的材质为紫铜。

9、作为优选，所述加热组件还包括第二导热板，所述第二导热板与所述第一导热板之间通过连接件连接，且所述第二导热板位于所述第一导热板上方，所述第二导热板的材质为铝6063。

10、作为优选，所述承托组件包括至少三个承托件，所述承托件包括承托端，所述承托端具有第一承托位置和第二承托位置，位于所述第一承托位置的所述承托端位于所述晶圆的下方，位于所述第二承托位置的所述承托端能将所述晶圆承托至所述第一位置，所述第一承托位置低于所述第二承托位置。

11、作为优选，所述承托件设置为顶针，所述顶针均竖直设置；

12、所述加热板上开设有第一通孔，所述第一导热板上开设有第二通孔，所述第二导热板上开设有第三通孔，所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔的数量均与所述顶针的数量相等；

13、所述顶针同时穿设于所述第一通孔、所述第二通孔和所述第三通孔，所述承托端为所述顶针的顶端，所述承托端能穿出于所述第三通孔。

14、作为优选，所述承托组件还包括连接板和驱动件，所述驱动件设置于所述支架，所述连接板设置于所述驱动件的输出端，所述承托件连接于所述连接板；所述驱动件能够驱动所述连接板在竖直方向往复移动，以使所述承托端在所述第一承托位置和所述第二承托位置之间移动。

15、作为优选，所述支撑件设置为支撑凸块，所述支撑凸块设置有至少三个，所述支撑凸块在竖直方向上高出所述第二导热板的上板面。

16、作为优选，所述支撑凸块的支撑面至少包括第一支撑位置和第二支撑位置，在所述竖直方向上，所述第一支撑位置低于所述第二支撑位置。

17、作为优选，所述支架包括底板和连接于所述底板上并且依次首尾连接的多个侧板，所述底板和多个所述侧板围设形成顶部为开口的容纳腔，所述加热组件设置于所述容纳腔内部。

18、作为优选，所述加热板为圆形板，所述电热丝在所述加热板上沿环状的同心圆轨迹排布，所述电热丝在所述加热板的投影的外接圆的直径大于所述晶圆的直径。

19、本实用新型的有益效果：

20、本实用新型所提供的光刻胶烘烤装置通过在加热板上设置电热丝对晶圆表面的光刻胶进行烘烤，将电热丝的宽度在1mm-3mm之间能够相较于现有技术而言减小电热丝的宽度，并将电热丝均匀间隔地盘设于加热板，相邻电热丝之间的间隔距离控制在3mm-4mm之间，能够使得电热丝在加热板上的分布更加均匀密集，从而实现对晶圆的均匀烘烤。此外，通过设置承托组件和支撑件，能够由承托组件支撑位于第一位置的晶圆，以便于晶圆的取放，由支撑件支撑位于第二位置的晶圆，以便于晶圆的烘烤，通过单独设置支撑件的方式实现对晶圆与加热组件之间的距离精准控制，从而控制加热组件对晶圆的加热，控制晶圆表面光刻胶的挥发，从而形成厚度均匀的薄膜，保证晶圆的性能。

技术特征：

1.一种光刻胶烘烤装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光刻胶烘烤装置，其特征在于，所述加热组件(2)还包括第一导热板(22)，所述第一导热板(22)与所述加热板(21)之间通过连接件连接，且所述第一导热板(22)位于所述加热板(21)上方，所述第一导热板(22)的材质为紫铜。

3.根据权利要求2所述的光刻胶烘烤装置，其特征在于，所述加热组件(2)还包括第二导热板(23)，所述第二导热板(23)与所述第一导热板(22)之间通过连接件连接，且所述第二导热板(23)位于所述第一导热板(22)上方，所述第二导热板(23)的材质为铝6063。

4.根据权利要求3所述的光刻胶烘烤装置，其特征在于，所述承托组件(3)包括至少三个承托件(31)，所述承托件(31)包括承托端，所述承托端具有第一承托位置和第二承托位置，位于所述第一承托位置的所述承托端位于所述晶圆的下方，位于所述第二承托位置的所述承托端能承托位于所述第一位置的所述晶圆，所述第一承托位置低于所述第二承托位置。

5.根据权利要求4所述的光刻胶烘烤装置，其特征在于，所述承托件(31)设置为顶针，所述顶针均竖直设置；

6.根据权利要求4所述的光刻胶烘烤装置，其特征在于，所述承托组件(3)还包括连接板(32)和驱动件(33)，所述驱动件(33)设置于所述支架(1)，所述连接板(32)设置于所述驱动件(33)的输出端，所述承托件(31)连接于所述连接板(32)；所述驱动件(33)能够驱动所述连接板(32)在竖直方向往复移动，以使所述承托端在所述第一承托位置和所述第二承托位置之间移动。

7.根据权利要求3所述的光刻胶烘烤装置，其特征在于，所述支撑件(4)设置为支撑凸块，所述支撑凸块设置有至少三个，所述支撑凸块在竖直方向上高出所述第二导热板(23)的上板面。

8.根据权利要求7所述的光刻胶烘烤装置，其特征在于，所述支撑凸块的支撑面至少包括第一支撑位置和第二支撑位置，在所述竖直方向上，所述第一支撑位置低于所述第二支撑位置。

9.根据权利要求1所述的光刻胶烘烤装置，其特征在于，所述支架(1)包括底板(11)和连接于所述底板(11)上并且依次首尾连接的多个侧板(12)，所述底板(11)和多个所述侧板(12)围设形成顶部为开口的容纳腔(13)，所述加热组件(2)设置于所述容纳腔(13)内部。

10.根据权利要求1-9任一项所述的光刻胶烘烤装置，其特征在于，所述加

技术总结本技术公开了一种光刻胶烘烤装置，属于半导体制造技术领域。光刻胶烘烤装置包括支架、加热组件、承托组件和支撑件。加热组件与支架之间相互连接，加热组件包括加热板，加热板上设置有电热丝，电热丝能够产生热量以烘烤晶圆表面的光刻胶，电热丝的宽度在1mm‑3mm之间，电热丝均匀间隔地盘设于加热板上，相邻电热丝之间的间隔在3mm‑4mm之间。承托组件设置于支架上，承托组件能够承托位于第一位置的晶圆。支撑件设置于加热组件上，支撑件能够支撑位于第二位置的晶圆，第一位置高于第二位置。光刻胶烘烤装置能够对晶圆表面的光刻胶进行均匀加热的同时，对晶圆与加热板之间的距离进行精准控制，使光刻胶形成厚度均匀的薄膜。技术研发人员：张怀宣受保护的技术使用者：上海众鸿半导体设备有限公司技术研发日：20230927技术公布日：2024/5/29