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阵列基板、显示面板以及显示装置的制作方法

  • 国知局
  • 2024-06-21 13:52:35

本公开至少一实施例涉及一种阵列基板、显示面板以及显示装置。

背景技术:

1、有源矩阵有机发光二极管(amoled,active matrix organic light-emittingdiode)显示器与传统的液晶显示器(lcd)相比,具有自发光、广色域、高对比度、轻薄等优点,使其广泛应用于手机、平板电脑等领域,另外也广泛应用于智能手表等柔性可穿戴领域。通常在显示区中设置有像素电路,在边框区设置有栅驱动电路例如goa驱动电路以向像素电路提供驱动信号。

技术实现思路

1、本公开至少一实施例提供一种阵列基板,该阵列基板包括衬底基板,衬底基板上设置有呈阵列排布的多个像素;所述多个像素的每个包括多个子像素,所述多个子像素的每个包括像素电路,所述像素电路包括发光器件、存储电容、驱动晶体管和数据写入晶体管,以及数据线和第一连接结构。所述驱动晶体管和所述数据写入晶体管的每个包括有源层、栅极、第一极和第二极,所述驱动晶体管配置为控制所述发光器件发光;数据线与所述数据写入晶体管的第一极连接且配置为给所述数据写入晶体管提供数据信号;所述数据写入晶体管配置为响应于施加在所述数据写入晶体管的栅极的第一扫描信号而将所述数据信号写入所述驱动晶体管的栅极;第一连接结构与所述驱动晶体管的栅极以及所述存储电容的第一极板连接,所述第一连接结构与所述数据线异层设置。

2、例如,在本公开至少一实施例提供的阵列基板中,所述数据线和所述第一连接结构均沿第一方向延伸,且所述第一连接结构在所述衬底基板上的正投影与所述数据线在所述衬底基板上的正投影在横向上至少部分彼此相对,所述横向平行于所述衬底基板且垂直于所述第一方向。

3、例如,在本公开至少一实施例提供的阵列基板中,所述第一连接结构在所述衬底基板上的正投影与所述数据线在所述衬底基板上的正投影之间的距离小于一个所述子像素的在所述横向上的尺寸。

4、例如,在本公开至少一实施例提供的阵列基板中,所述第一连接结构在所述衬底基板上的正投影与所述数据线在所述衬底基板上的正投影之间存在间隔或者基本不存在间隔。

5、例如,在本公开至少一实施例提供的阵列基板中,所述驱动晶体管的栅极与所述存储电容的第一极板同层设置。

6、例如,在本公开至少一实施例提供的阵列基板中,所述驱动晶体管的栅极和所述存储电容的第一极板位于所述驱动晶体管的有源层的远离所述衬底基板的一侧;所述存储电容的第二极板位于所述驱动晶体管的栅极和所述存储电容的第一极板的远离所述有源层的一侧。

7、例如,在本公开至少一实施例提供的阵列基板中,所述数据线位于所述第一连接结构的远离所述衬底基板的一侧。

8、例如,本公开至少一实施例提供的阵列基板还包括:半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层、第一过孔和第二过孔。半导体层包括所述驱动晶体管的有源层;第一绝缘层位于所述有源层,与所述驱动晶体管的栅极和所述存储电容的第一极板之间;第二绝缘层位于所述存储电容的第一极板与所述存储电容的第二极板之间;第三绝缘层位于所述存储电容的第二极板与所述第一连接结构之间;第四绝缘层位于所述第一连接结构与所述数据线之间;第一过孔贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层和所述第四绝缘层且暴露部分所述半导体层,所述数据线通过所述第一过孔与所述半导体层电连接;第二过孔贯穿所述第二绝缘层和所述第三绝缘层且暴露部分所述存储电容的第一极板;所述第一连接结构通过所述第二过孔与所述存储电容的第一极板连接。

9、例如,在本公开至少一实施例提供的阵列基板中,所述数据线位于所述第一连接结构的靠近所述衬底基板的一侧。

10、例如,本公开至少一实施例提供的阵列基板还包括:半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层、第一过孔和第二过孔。半导体,包括所述驱动晶体管的有源层;第一绝缘层位于所述有源层,与所述驱动晶体管的栅极和所述存储电容的第一极板之间;第二绝缘层位于所述存储电容的第一极板与所述存储电容的第二极板之间;第三绝缘层位于所述存储电容的第二极板与所述数据线之间;第四绝缘层位于所述数据线与所述第一连接结构之间;第一过孔贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层且暴露部分所述半导体层,所述数据线通过所述第一过孔与所述半导体层电连接;第二过孔贯穿所述第二绝缘层、所述第三绝缘层和所述第四绝缘层且暴露部分所述存储电容的第一极板;所述第一连接结构通过所述第二过孔与所述存储电容的第一极板连接。

11、例如,在本公开至少一实施例提供的阵列基板中,所述第四绝缘层的在垂直于所述衬底基板的方向上的厚度大于所述第一绝缘层的在垂直于所述衬底基板的方向上的厚度、所述第二绝缘层的在垂直于所述衬底基板的方向上的厚度、所述第三绝缘层的在垂直于所述衬底基板的方向上的厚度和所述第四绝缘层的在垂直于所述衬底基板的方向上的厚度三者中的至少之一。

12、例如,本公开至少一实施例提供的阵列基板还包括第一电源线。第一电源线连接第一电压端以及所述存储电容的第二极板,且配置为给所述发光控制晶体管提供第一电压;所述第一电源线包括沿所述第一方向延伸的第一子走线和沿第二方向延伸的第二子走线,所述第一方向与所述第二方向相交,所述第一子走线与所述第二子走线电连接。

13、例如,在本公开至少一实施例提供的阵列基板中,所述第一子走线与所述第一连接结构同层设置,与所述数据线异层设置;所述第二子走线与所述存储电容的第二极板同层设置。

14、例如,在本公开至少一实施例提供的阵列基板中,在一个所述子像素中,在所述横向上,所述第一连接结构位于所述第一子走线与所述数据线之间。

15、例如,在本公开至少一实施例提供的阵列基板中,所述第一连接结构在所述衬底基板上的正投影与所述数据线在所述衬底基板上的正投影不重叠,所述第一走线在所述衬底基板上的正投影与所述数据线在所述衬底基板上的正投影上不重叠。

16、例如,本公开至少一实施例提供的阵列基板还包括第三过孔。所述第一子走线通过所述第三过孔与所述第二子走线电连接。

17、例如,在本公开至少一实施例提供的阵列基板中,所述数据线和所述第一连接结构的材料均为金属材料。

18、例如,本公开至少一实施例提供的阵列基板还包括复位信号线;所述多个子像素包括第一子像素和与所述第一子像素相邻的第二子像素,并且,所述像素电路还包括复位晶体管和第二连接结构。复位晶体管配置为给所述子像素提供复位信号,包括有源层、栅极、第一电极和第二电极;所述复位晶体管的有源层包括沟道区和电极区;第二连接结构沿所述第一方向延伸,包括在所述第一方向上彼此相对的第一端和第二端;所述第二子像素的像素电路的第二连接结构在所述横向上位于所述第一子像素的像素电路的所述复位晶体管的有源层的沟道区的靠近所述第一子像素的像素电路的所述数据线的一侧,其中,所述第二子像素的像素电路的第二连接结构的第一端与所述复位信号线电连接,所述第二连接结构的第二端与所述第二子像素的像素电路的所述复位晶体管的有源层的电极区电连接。

19、例如,在本公开至少一实施例提供的阵列基板中,所述第二子像素的像素电路的所述复位晶体管的有源层的电极区从所述第一子像素沿所述横向延伸到所述第二子像素中,且所述第二子像素的像素电路的所述复位晶体管的有源层的电极区在所述衬底基板上的正投影与属于所述第一子像素的像素电路的所述数据线在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。

20、例如,在本公开至少一实施例提供的阵列基板中,所述第二连接结构与所述第一连接结构同层设置。

21、本公开至少一实施例提供还一种显示面板,该显示面板包括本公开实施例提供的任意一种阵列基板。

22、本公开至少一实施例提供还一种显示装置,该显示装置包括本公开实施例提供的任意一种显示面板。

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