一种真空干燥装置及发光器件的成膜方法与流程

本技术涉及真空干燥，更具体地，涉及一种真空干燥装置及发光器件的成膜方法。

背景技术：

1、喷墨印刷工艺，能够大幅地提高材料的利用率，降低生产成本，且能实现大尺寸面板的生产，因此被行业看好，是大尺寸oled(organic light-emitting diode，有机电致发光二极管)面板生产工艺的研究热点。

2、现有的oled喷墨印刷制备过程，通常是在已进行ito(indium tin oxide，氧化铟锡)图案化的基板上，通过喷墨打印技术，在基板的像素坑中，形成各有机功能层，打印后的有机功能层需要进行真空干燥处理。然而在真空干燥过程中，基板边缘像素与中间像素的溶剂氛围不一致，基板边缘像素的干燥速度会比中间像素的干燥速度快，容易引起边缘mura问题(指显示器亮度不均匀，造成各种痕迹的现象)，造成打印的有机薄膜厚度不均匀，从而影响了oled的显示。

3、专利cn201510131712公开了一种打印基台及喷墨打印方法，通过在载物基台的四周增加扩展基台，可以去除基板中显示区域四周的测试区域，增大了显示区域的面积，进而也缩小了液晶显示面板的边框宽度。

4、而面板实际生产过程中，还面临要提高玻璃基板利用率的问题。如图1所示，主流的g8.5所用的玻璃尺寸为2250*2500mm，切成6片55吋的电视基板时，玻璃基板利用率为89％，切成3片65吋的电视基板，加上6片32吋的电脑显示器基板时，玻璃基板利用率为92％。可见，整个g8.5玻璃上待切割下的基板，彼此之间是存在间隙的，若在高世代面板产线使用喷墨印刷工艺制作oled基板，还需要解决基板间隙的mura问题。

技术实现思路

1、本技术实施例所要解决的技术问题是相关技术中在提高玻璃基板利用率的时候造成的基板间隙的mura问题。

2、为了解决上述技术问题，本技术实施例提供一种真空干燥装置，采用了如下所述的技术方案：

3、该装置包括真空干燥腔体、泵体、处理机构、溶剂存储机构以及设置在所述真空干燥腔体内部的载台和溶剂挥发控制机构；

4、所述泵体设置在所述真空干燥腔体外部，与所述真空干燥腔体连通；所述载台用于放置待干燥基板；所述溶剂挥发控制机构分别与所述处理机构和所述溶剂存储机构连接，并与所述载台正对设置，用于对所述待干燥基板进行溶剂浓度探测，得到浓度结果反馈至所述处理机构，并基于所述处理机构的加热温度进行控温加热以及溶剂挥发；所述处理机构用于根据获得的所述溶剂挥发控制机构探测的所述浓度结果，控制所述溶剂存储机构中溶剂进入溶剂挥发控制机构的溶剂量以及所述溶剂挥发控制机构的加热温度。

5、进一步的，所述溶剂挥发控制机构的水平投影面积大于所述待干燥基板的水平投影面积。

6、进一步的，所述溶剂挥发控制机构包括至少两个按照矩阵排布的溶剂挥发控制单元，所有所述溶剂挥发控制单元的总面积大于所述待干燥基板的面积。

7、进一步的，所述溶剂挥发控制单元包括连接管道、阀门、溶剂浓度探测器、温控层、溶剂吸附层以及控制主体；

8、所述连接管道设置在所述控制主体上，连通所述溶剂挥发控制单元与所述溶剂存储机构；

9、所述阀门与所述处理机构连接，用于根据所述处理机构的开合指令控制所述连接管道的开合；

10、所述溶剂浓度探测器设置在所述控制主体上，连接所述处理机构，用于探测所述待干燥基板上与所述溶剂挥发控制单元对应区域的溶剂浓度；

11、所述温控层设置在所述控制主体朝向所述待干燥基板的面上，与所述处理机构连接，用于在所述处理机构的控制下，对所述溶剂吸附层进行控温加热；

12、所述溶剂吸附层与所述温控层连接，用于在所述温控层的控温加热下进行溶剂挥发。

13、进一步的，所述溶剂挥发控制单元还包括升降杆，所述升降杆连接所述控制主体和所述处理机构，用于根据所述处理机构的驱动指令驱动所述控制主体，以调整所述溶剂吸附层与所述待干燥基板之间的垂直间距；所述垂直间距的调节范围为2mm～50cm。

14、进一步的，所述溶剂吸附层由高吸湿性材料与耐热性材料构成，其中，所述高吸湿性材料为纤维素，所述耐热性材料为聚苯醚、聚苯硫醚、聚砜、聚芳酯以及聚芳砜中的至少一种。

15、为了解决上述技术问题，本技术实施例还提供一种发光器件的成膜方法，采用了如下所述的技术方案：

16、将打印有墨水的待干燥基板放置于真空干燥腔体内的载台上；

17、通过处理机构控制所述升降杆调整所述溶剂吸附层与所述待干燥基板的垂直间距为预设高度；

18、使用所述溶剂浓度探测器探测所述待干燥基板的溶剂浓度，得到初始溶剂浓度分布结果；

19、开启泵体对所述待干燥基板进行真空干燥处理，并通过所述溶剂浓度探测器探测所述待干燥基板的溶剂浓度，得到溶剂浓度分布结果；

20、通过所述处理机构将获得的所述溶剂浓度分布结果与所述初始溶剂浓度分布结果进行对比，确定溶剂浓度降低速度大于整体平均速度的区域所对应的所述溶剂挥发控制单元，开启所述溶剂挥发控制单元连接溶剂存储机构的所述连接管道上的阀门，使溶剂进入对应的溶剂吸附层，并控制对应的温控层加热，使所述溶剂吸附层吸附的溶剂挥发，形成溶剂氛围，关闭所述阀门；

21、真空干燥处理结束后，关闭泵体，取走所述待干燥基板。

22、进一步的，所述开启所述溶剂挥发控制单元连接溶剂存储机构的所述连接管道上的阀门的步骤之后还包括：

23、待所述溶剂浓度探测器探测到所述溶剂挥发控制单元对应的区域的溶剂浓度降低速度等于整体平均速度时，关闭所述溶剂挥发控制单元对应的所述阀门。

24、进一步的，所述温控层的加热控温范围为0～300℃。

25、进一步的，在所述真空干燥处理结束后，关闭泵体，取走所述待干燥基板的步骤之后还包括：

26、通过所述处理机构保持连接所述溶剂存储机构的阀门为关闭状态，并控制所述温控层进行加热，使所述溶剂吸附层残留的溶剂完全挥发，通过所述泵体抽走真空干燥腔体内残留的溶剂。

27、与现有技术相比，本技术实施例主要有以下有益效果：

28、本技术提供的真空干燥装置，包括真空干燥腔体、泵体、处理机构、溶剂存储机构以及设置在所述真空干燥腔体内部的载台和溶剂挥发控制机构；泵体设置在真空干燥腔体外部，与真空干燥腔体连通；载台用于放置待干燥基板；溶剂挥发控制机构分别与处理机构和溶剂存储机构连接，并与载台正对设置，用于对待干燥基板进行溶剂浓度探测，得到浓度结果反馈至处理机构，并基于处理机构的加热温度进行控温加热以及溶剂挥发；处理机构用于根据获得的溶剂挥发控制机构探测的浓度结果，控制溶剂存储机构中溶剂进入溶剂挥发控制机构的溶剂量以及溶剂挥发控制机构的加热温度；本技术在真空干燥处理过程中，通过溶剂挥发控制机构对待干燥基板进行溶剂浓度探测，处理机构根据探测到的浓度分布结果控制溶剂存储机构中溶剂进入溶剂挥发控制机构的溶剂量，并控制溶剂挥发控制机构的加热温度，进而控制溶剂的挥发速度，能够在提高待干燥基板利用率的基础上，解决待干燥基板间隙以及边缘存在的显示器亮度不均匀及造成各种痕迹的问题。