具可去除式涂层的物件和相关方法与流程

本公开大体上涉及具有可去除式涂层的物件和相关方法。

背景技术：

1、半导体制造工艺利用经涂布的衬底。涂层和衬底通常具有类似化学组成以确保涂层粘附于衬底。然而，正因为在化学上类似于衬底，故无法在不对衬底造成损坏的情况下去除涂层。

技术实现思路

1、在第一方面中，公开一种用于从物件去除涂层的方法，所述方法包括：获得物件，其中所述物件包括衬底，其中所述衬底包括含镁金属体，其中所述含镁金属体包括第一金属组分；涂层，其中所述涂层包括第二金属组分；并且蚀刻终止层，其中所述蚀刻终止层包括氟化镁并且位于所述含镁金属体与涂层之间；以及从所述物件去除至少一部分所述涂层。

2、根据第一方面的第二方面，其中所述衬底包括充气室(plenum)、沟槽、界定孔的结构、界定通道的结构、界定空腔(cavity)的结构或其任何组合中的至少一个。

3、根据前述方面中的任一个的第三方面，其中所述衬底不为晶片衬底。

4、根据前述方面中的任一个的第四方面，其中所述衬底不为集成电路。

5、根据前述方面中的任一个的第五方面，其中所述涂层为以下中的至少一种：已从先前状态经化学改性的涂层、具有已从先前状态经改性的表面的涂层、具有已从先前状态经改性的厚度的涂层、具有非均匀厚度的涂层、不符合应用规格的涂层、具有制造缺陷的涂层或其任何组合。

6、根据前述方面中的任一个的第六方面，其中所述第二金属组分和所述第一金属组分均包括镁、铝、钒、铁、镍、铬、锌、钼、钛、锂、铜、锰、硅、铜、锰或其任何组合中的至少一种。

7、根据前述方面中的任一个的第七方面，其中所述第一金属组分包括铝；并且所述第二金属组分包括铝。

8、根据前述方面中的任一个的第八方面，其中所述蚀刻终止层为位于所述衬底的表面处和下方的蚀刻终止区域。

9、根据前述方面中的任一个的第九方面，其中所述去除包括使所述涂层与蚀刻剂接触。

10、根据前述方面中的任一个的第十方面，其中所述蚀刻剂去除至少一部分所述蚀刻终止层。

11、根据前述方面中的任一个的第十一方面，其中所述方法进一步包括：使所述物件暴露于反应性气相以重新形成至少一部分所述蚀刻终止层，其中所述反应性气相包括氟组分。

12、根据前述方面中的任一个的第十二方面，其中所述氟组分包括或衍生自以下中的至少一种：cf4、c2f4、c3f6、c4f8、chf3、c2h2f2、c2f6、hf、ch3f、具有c1-c10全氟烷基的聚合全氟烷基乙烯、聚四氟乙烯(ptfe)、四氟乙烯/全氟(烷基乙烯醚)共聚物(pfa)、四氟乙烯/六氟丙烯共聚物(fep)、四氟乙烯/全氟(烷基乙烯醚)/六氟丙烯共聚物(epa)、聚六氟丙烯、乙烯/四氟乙烯共聚物(etfe)、聚三氟乙烯、聚偏二氟乙烯(pvdf)、聚氟乙烯(pvf)、聚氯三氟乙烯(pctfe)、乙烯/氯三氟乙烯共聚物(ectfe)或其任何组合。

13、根据前述方面中的任一个的第十三方面，其中所述反应性气相的氟组分与存在于所述含镁金属体内的镁反应以重新形成所述蚀刻终止层。

14、根据前述方面中的任一个的第十四方面，其中去除的涂层厚度与去除的蚀刻终止层厚度的比率至少为2:1。

15、根据前述方面中的任一个的第十五方面，其中所述蚀刻终止层具有均匀厚度。

16、根据前述方面中的任一个的第十六方面，其中所述方法进一步包括在所述蚀刻终止层上形成置换涂层。

17、根据前述方面中的任一个的第十七方面，其中所述置换涂层为热原子层沉积(ald)涂层。

18、根据前述方面中的任一个的第十八方面，其中所述置换涂层包括氧化铝、氧化钇、二氧化钛、氧化锆、氧化钽或其任何组合中的至少一种。

19、本文所公开的第十九方面为一种用于形成物件的方法，所述方法包括：获得衬底，其中所述衬底包括含镁金属体，其中所述含镁金属体包括第一金属组分；使所述衬底暴露于反应性气相以在所述衬底的表面处和下方形成蚀刻终止层，其中所述反应性气相包括与所述含镁金属体的镁反应以形成氟化镁的氟组分；以及在所述蚀刻终止层上形成涂层，其中所述涂层包括第二金属组分。

20、本文所公开的第二十方面涉及一种物件，其包括：衬底，其中所述衬底包括含镁金属体，其中所述含镁金属体包括第一金属组分，其中所述衬底不为晶片衬底，其中所述衬底不为集成电路；涂层，其中所述涂层包括第二金属组分；以及位于所述衬底与所述涂层之间的蚀刻终止层，其中所述蚀刻终止层包括在所述衬底的表面处和下方形成的氟化镁。

技术特征：

1.一种用于从物件去除涂层的方法，所述方法包含：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包含充气室、沟槽、界定孔的结构、界定通道的结构、界定空腔的结构或其任何组合中的至少一个。

3.根据权利要求1至2所述的方法，其中所述衬底不为晶片衬底。

4.根据权利要求1至3所述的方法，其中所述衬底不为集成电路。

5.根据权利要求1至4所述的方法，其中所述涂层为以下中的至少一种：

6.根据权利要求1至5所述的方法，其中所述第二金属组分和所述第一金属组分均包含镁、铝、钒、铁、镍、铬、锌、钼、钛、锂、铜、锰、硅、铜、锰或其任何组合中的至少一种。

7.根据权利要求1至6所述的方法，其中所述第一金属组分包含铝；并且所述第二金属组分包含铝。

8.根据权利要求1至7所述的方法，其中所述蚀刻终止层为位于所述衬底的表面处和下方的蚀刻终止区域。

9.根据权利要求1至8所述的方法，其中所述去除包含使所述涂层与蚀刻剂接触。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述蚀刻剂去除至少一部分所述蚀刻终止层。

11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包含：

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述氟组分包含或衍生自以下中的至少一种：cf4、c2f4、c3f6、c4f8、chf3、c2h2f2、c2f6、hf、ch3f、具有c1-c10全氟烷基的聚合全氟烷基乙烯、聚四氟乙烯(ptfe)、四氟乙烯/全氟(烷基乙烯醚)共聚物(pfa)、四氟乙烯/六氟丙烯共聚物(fep)、四氟乙烯/全氟(烷基乙烯醚)/六氟丙烯共聚物(epa)、聚六氟丙烯、乙烯/四氟乙烯共聚物(etfe)、聚三氟乙烯、聚偏二氟乙烯(pvdf)、聚氟乙烯(pvf)、聚氯三氟乙烯(pctfe)、乙烯/氯三氟乙烯共聚物(ectfe)或其任何组合。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述反应性气相的氟组分与存在于所述含镁金属体内的镁反应以重新形成所述蚀刻终止层。

14.根据权利要求1至13所述的方法，其中去除的涂层厚度与去除的蚀刻终止层厚度的比率至少为2:1。

15.根据权利要求1至14所述的方法，其中所述蚀刻终止层具有均匀厚度。

16.根据权利要求1至15所述的方法，其进一步包含在所述蚀刻终止层上形成置换涂层。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述置换涂层为热原子层沉积(ald)涂层。

18.根据权利要求16至17所述的方法，其中所述置换涂层包含氧化铝、氧化钇、二氧化钛、氧化锆、氧化钽或其任何组合中的至少一种。

19.一种用于形成物件的方法，所述方法包含：

20.一种物件，其包含：

技术总结一些实施例涉及具有可去除式涂层的物件。所述物件可包含衬底和所述衬底上的涂层。可将蚀刻终止层设置于所述衬底与所述涂层之间，以允许在不损坏所述衬底的情况下去除所述涂层。一些实施例涉及从物件去除涂层的方法。所述方法可包含：获得包含介于衬底与所述衬底上的涂层之间的蚀刻终止层的物件，并且从所述物件去除至少一部分所述涂层。其它实施例进一步提供物件和相关方法。技术研发人员：C·瓦尔德弗里德受保护的技术使用者：恩特格里斯公司技术研发日：技术公布日：2024/6/13