层叠晶片的制造方法和层叠晶片与流程

本发明涉及层叠晶片的制造方法和层叠晶片。

背景技术：

1、以往提出了在单晶硅晶片的表面形成用于捕捉在高频工作中产生的载流子并使其消亡的多晶硅膜来作为载流子捕捉层(例如参照文献1：日本特开2015-211061号公报、文献2：日本特开2021-190660号公报)。

2、文献1、2中公开了：通过将多晶硅膜的成膜时的成膜温度设为两个阶段，从而能够降低单晶硅晶片的翘曲。

3、然而，文献1、2的技术虽然作为降低翘曲的技术是有效的，但现状是寻求进一步降低翘曲，例如，直径300mm的单晶硅晶片的翘曲量也显著增大，因此，寻求进一步改善翘曲的技术。

技术实现思路

1、本发明的目的在于，提供能够降低层叠晶片的翘曲的层叠晶片的制造方法和翘曲得以降低的层叠晶片。

2、本发明的层叠晶片的制造方法是在单晶硅晶片上形成有多晶硅膜的层叠晶片的制造方法，其中，在氢气与原料来源气体的混合气氛下，在形成于前述单晶硅晶片的表面的氧化膜上形成多晶硅膜，在氢气气氛下，对形成有前述多晶硅膜的前述单晶硅晶片进行1000℃以上且1300℃以下以及10秒以上且180秒以下的热处理。

3、本发明的层叠晶片的制造方法中，优选的是：在同一个气相生长装置内形成前述多晶硅膜后，进行前述热处理。

4、本发明的所述的层叠晶片的制造方法中，优选的是：前述原料来源气体为三氯硅烷气体，前述混合气氛中的前述三氯硅烷气体相对于前述氢气的含有率为3％以上且20％以下。

5、本发明的层叠晶片的制造方法为在单晶硅晶片的表面形成有多晶硅膜的层叠晶片的制造方法，其中，在三氯硅烷气体相对于氢气的含有率为3％以上且20％以下的混合气氛下，在形成于前述单晶硅晶片的表面的氧化膜上形成多晶硅膜。

6、本发明的层叠晶片的制造方法中，优选的是：在形成前述多晶硅膜时，在890℃以上且900℃以下的温度下，使第一多晶硅膜在在前述氧化膜上生长后，在1000℃以上且1075℃以下的温度下，使第二多晶硅膜在前述第一多晶硅膜上生长。

7、本发明的层叠晶片是在直径300mm的单晶硅晶片形成有厚度为0.3μm以上且3.0μm以下的多晶硅膜的层叠晶片，其中，该层叠晶片的warp-bf值为40μm以下。

8、本发明的层叠晶片中，优选的是：前述多晶硅膜的表面粗糙度rms为0.1nm以上且0.15nm以下。

技术特征：

1.层叠晶片的制造方法，其为在单晶硅晶片上形成有多晶硅膜的层叠晶片的制造方法，其中，

2.根据权利要求1所述的层叠晶片的制造方法，其中，

3.根据权利要求2所述的层叠晶片的制造方法，其中，

4.层叠晶片的制造方法，其为在单晶硅晶片的表面上形成有多晶硅膜的层叠晶片的制造方法，其中，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的层叠晶片的制造方法，其中，

6.层叠晶片，其为在直径300mm的单晶硅晶片上形成有厚度为0.3μm以上且3.0μm以下的多晶硅膜的层叠晶片，其中，

7.根据权利要求6所述的层叠晶片，其中，

技术总结层叠晶片的制造方法是在单晶硅晶片上形成有多晶硅膜的层叠晶片的制造方法，其中，在氢气与原料来源气体的混合气氛下，在形成于前述单晶硅晶片的表面的氧化膜上形成多晶硅膜，在氢气气氛下，对形成有前述多晶硅膜的前述单晶硅晶片进行1000℃以上且1300℃以下以及10秒以上且180秒以下的热处理。技术研发人员：森雄登,中村元宜受保护的技术使用者：胜高股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/19