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一种碳纳米管包覆Ⅱ型无水石膏的微波煅烧制备方法

  • 国知局
  • 2024-06-20 12:43:42

本发明属于建筑材料领域,具体涉及一种碳纳米管包覆ⅱ型无水石膏的微波煅烧制备方法。

背景技术:

1、ⅱ型无水石膏,也被称为硬石膏,是一种新型的石膏胶凝材料。主要成分是硫酸钙,与普通建筑石膏相比,ⅱ型无水石膏耐水性更好且硬度更高。在建筑中,它常被用作地面、墙体、天花板的装饰材料;ⅱ型无水石膏在固化过程中产生的热量较少,固化时间较长,通常需要借助激发剂进行活性激发。ⅱ型无水石膏一般是将天然二水石膏或工业副产石膏在500~900℃的高温下煅烧制备得到。由于采用了高温煅烧,可以有效除去工业副产石膏中的可溶性磷、氟和有机质等有害杂质,从而提升石膏胶凝材料的品质。

2、目前,现有的高温煅烧制备方法存在缺陷,首先ⅱ型无水石膏早期水化慢、强度低且功能性单一;并且ⅱ型无水石膏在工业窑炉中煅烧时,煅烧时间长且容易受热不均匀,造成能耗高和品质不稳定的问题。因此,如何提升ⅱ型无水石膏早期水化活性和综合使用性能,降低生产制备能耗并拓宽其应用范围是目前该领域亟待解决的难题。

技术实现思路

1、本发明提供一种碳纳米管包覆ⅱ型无水石膏的微波煅烧制备方法。

2、本发明采用的技术方案如下:

3、s1:将原状二水石膏加入盐酸搅拌分散,加入导电聚合物单体继续搅拌,加入引发剂,然后进行分离、干燥和洗涤,得到导电聚合物包覆二水石膏颗粒;

4、s2:将导电聚合物包覆二水石膏颗粒与金属有机配合物粉体混合,得到共混料;

5、s3:将共混料微波煅烧得到碳纳米管包覆ⅱ型无水石膏。

6、进一步的,所述的二水石膏和盐酸的质量比为1:10,导电聚合物单体和二水石膏的质量比为1:1~1:2,所述引发剂为过硫酸铵,过硫酸铵和二水石膏的质量比为1:100~3:100。

7、进一步的,s1中使用磁力搅拌机搅拌2~5min,加入导电聚合物单体后继续搅拌5~10min,加入过硫酸铵之后再搅拌2~4h,干燥时间为12~24h。

8、进一步的,所述s2中导电聚合物包覆二水石膏颗粒与金属有机配合物粉体的质量比为1:0.5~1:1。

9、进一步的,s3中所述微波煅烧的功率为500~900w,微波时间为10~30s。

10、进一步的,所述ⅱ型无水石膏为天然二水石膏和脱硫石膏、磷石膏、钛石膏、柠檬酸石膏以及工业副产二水石膏中的一种。

11、进一步的,所述导电聚合物单体为聚乙炔、聚噻吩和聚吡咯的一种。

12、进一步的,所述金属有机配合物粉体为二茂铁和二茂镍中的一种。

13、一种碳纳米管包覆ⅱ型无水石膏,所述碳纳米管包覆ⅱ型无水石膏为冠状结构,表面凸起部分为原位生长的纳米级的碳纳米管,内部颗粒状的为微米级的ⅱ型无水石膏。

14、一种碳纳米管包覆ⅱ型无水石膏的应用,所述碳纳米管包覆ⅱ型无水石膏应用于地暖回填自流平材料和储电功能材料中。

15、有益效果

16、(1)通过在ⅱ型无水石膏表面原位生长一层碳纳米管,碳纳米管作为晶核剂可以促进ⅱ型无水石膏的水化反应进程,同时,碳纳米管能够改善材料的抗压和抗折强度,最后,碳纳米管赋予ⅱ型无水石膏良好的导热、导电性能,拓宽了ⅱ型无水石膏的应用领域。

17、(2)通过对碳纳米管的微波合成过程和ⅱ型无水石膏的煅烧过程的同步耦合,实现了ⅱ型无水石膏的高温煅烧和碳纳米管原位生长改性,同时采用微波合成显著降低了ⅱ型无水石膏的烧成能耗,对提高了产品质量和生产效率都十分有利。

技术特征:

1.一种碳纳米管包覆ⅱ型无水石膏的微波煅烧制备方法,其特征在于,其步骤如下:

2.如权利要求1所述的一种碳纳米管包覆ⅱ型无水石膏的微波煅烧制备方法,其特征在于,所述的二水石膏和盐酸的质量比为1:10,导电聚合物单体和二水石膏的质量比为1:1~1:2,所述引发剂为过硫酸铵,过硫酸铵和二水石膏的质量比为1:100~3:100。

3.如权利要求1所述的一种碳纳米管包覆ⅱ型无水石膏的微波煅烧制备方法,其特征在于,所述的s1中使用磁力搅拌2~5min,加入导电聚合物单体后继续搅拌5~10min,加入过硫酸铵之后再搅拌2~4h;干燥时间为12~24h。

4.如权利要求1所述的一种碳纳米管包覆ⅱ型无水石膏的微波煅烧制备方法,其特征在于,所述s2中导电聚合物包覆二水石膏颗粒与金属有机配合物粉体的质量比为1:0.5~1:1。

5.如权利要求1所述的一种碳纳米管包覆ⅱ型无水石膏的微波煅烧制备方法,其特征在于,s3中所述微波煅烧的功率为500~900w,微波时间为10~30s。

6.如权利要求1所述的一种碳纳米管包覆ⅱ型无水石膏的微波煅烧制备方法,其特征在于,所述ⅱ型无水石膏为天然二水石膏和脱硫石膏、磷石膏、钛石膏、柠檬酸石膏以及工业副产二水石膏中的一种。

7.如权利要求1所述的一种碳纳米管包覆ⅱ型无水石膏的微波煅烧制备方法,其特征在于,所述导电聚合物单体为聚乙炔、聚噻吩和聚吡咯的一种。

8.如权利要求1所述的一种碳纳米管包覆ⅱ型无水石膏的微波煅烧制备方法,其特征在于,所述金属有机配合物粉体为二茂铁和二茂镍中的一种。

9.如权利要求1-8任一所述制备方法得到的一种碳纳米管包覆ⅱ型无水石膏,其特征在于,所述碳纳米管包覆ⅱ型无水石膏为冠状结构,表面凸起部分为原位生长的纳米级的碳纳米管,内部颗粒状的为微米级的ⅱ型无水石膏。

10.如权利要求9所述的一种碳纳米管包覆ⅱ型无水石膏的应用,其特征在于,所述碳纳米管包覆ⅱ型无水石膏应用于地暖回填自流平材料和储电功能材料中。

技术总结一种碳纳米管包覆Ⅱ型无水石膏的微波煅烧制备方法,其特征在于,其步骤如下:S1:将原状二水石膏加入盐酸搅拌分散,加入导电聚合物单体继续搅拌,最后加入引发剂,然后进行分离、干燥和洗涤,得到导电聚合物包覆二水石膏颗粒;S2:将导电聚合物包覆二水石膏颗粒与金属有机配合物粉体混合,得到共混料;S3:将共混料微波煅烧得到碳纳米管包覆Ⅱ型无水石膏。本发明的制备方法实现了碳纳米管在Ⅱ型无水石膏上原位生长改性,并且可以促进Ⅱ型无水石膏的水化反应进程,改善材料的抗压和抗折强度,对于提高产品质量和生产效率十分有利。技术研发人员:刘川北,周英,张杰,邓劲虓,刘来宝,张礼华,祝嘉豪,胡逸威受保护的技术使用者:西南科技大学技术研发日:技术公布日:2024/5/27

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