减小重掺＜111＞晶棒宽面的拉晶方法与流程

本发明属于重掺单晶硅拉晶方法的，具体涉及一种减小重掺<111>晶棒宽面的拉晶方法。

背景技术：

1、＜111＞晶向的硅单晶普遍采用无位错拉晶工艺。实践表明，生长晶向偏离晶向的偏离角，对直拉无位错硅单晶的外形有很大影响，偏离角愈大，苞也长得愈大；此外，单晶生长棱线经常退化成较宽的扁棱；这两种因素导致晶体不圆度增大，从而增加晶体滚磨的额外损耗，导致晶棒的利用率降低。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明提供一种减小重掺<111>晶棒宽面的拉晶方法，以提高晶棒的利用率。

2、本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

3、一种减小重掺<111>晶棒宽面的拉晶方法，包括以下步骤：

4、s1：将多晶硅料和掺杂剂放置在石英坩埚中，在氩气气氛下加热至稳定的熔硅；

5、s2：在稳定的熔硅中进行引晶、放肩，进入等径生长阶段；

6、s3：在等径的全阶段按照预定拉速曲线、预定补温曲线、预定初始埚位及埚跟比进行晶棒拉制，以减小晶棒的宽面。

7、优选地，所述预定拉速曲线的拉速范围为1.0mm/min-0.5mm/min。

8、优选地，在等径0到500mm，随着晶棒的长度增加，拉速均匀降低，在等径500mm以后，随着晶棒的长度增加，拉速不再变化。

9、优选地，所述预定补温曲线的温度范围为-3℃-55℃。

10、优选地，在等径0到200mm，随着晶棒的长度增加，温度逐渐降低，在等径200mm以后，随着晶棒的长度增加，温度逐渐增加。

11、优选地，所述预定补温曲线根据预定补温幅度曲线进行补温，所述预定补温幅度曲线温度范围为-3℃-45℃。

12、优选地，所述预定初始埚位为30mm。

13、优选地，所述埚跟比随着等径晶棒长度的变化而变化，所述埚跟比的变化范围为0.117-0.156。

14、优选地，在等径0到700mm，随着晶棒的长度增加，埚跟比不变，在等径700mm以后，随着晶棒的长度增加，温度逐渐增加。

15、与现有技术相比，本发明的有益效果在于：

16、本发明提供的一种减小重掺<111>晶棒宽面的拉晶方法，将多晶硅料和掺杂剂放置在石英坩埚中，在氩气气氛下加热至稳定的熔硅；在稳定的熔硅中进行引晶、放肩，进入等径生长阶段；在等径的全阶段按照预定拉速曲线、预定补温曲线、预定初始埚位及埚跟比进行晶棒拉制，使得纵向温度梯度平稳且缓解晶棒生长界面的过冷度，防止宽面增大。

技术特征：

1.一种减小重掺<111>晶棒宽面的拉晶方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的减小重掺<111>晶棒宽面的拉晶方法，其特征在于：所述预定拉速曲线的拉速范围为1.0mm/min-0.5mm/min。

3.如权利要求2所述的减小重掺<111>晶棒宽面的拉晶方法，其特征在于：在等径0到500mm，随着晶棒的长度增加，拉速均匀降低，在等径500mm以后，随着晶棒的长度增加，拉速不再变化。

4.如权利要求1所述的减小重掺<111>晶棒宽面的拉晶方法，其特征在于：所述预定补温曲线的温度范围为-3℃-55℃。

5.如权利要求4所述的减小重掺<111>晶棒宽面的拉晶方法，其特征在于：在等径0到200mm，随着晶棒的长度增加，温度逐渐降低，在等径200mm以后，随着晶棒的长度增加，温度逐渐增加。

6.如权利要求5所述的减小重掺<111>晶棒宽面的拉晶方法，其特征在于：所述预定补温曲线根据预定补温幅度曲线进行补温，所述预定补温幅度曲线温度范围为-3℃-45℃。

7.如权利要求1所述的减小重掺<111>晶棒宽面的拉晶方法，其特征在于：所述预定初始锅位为30mm。

8.如权利要求1所述的减小重掺<111>晶棒宽面的拉晶方法，其特征在于：所述埚跟比随着等径晶棒长度的变化而变化，所述埚跟比的变化范围为0.117-0.156。

9.如权利要求8所述的减小重掺<111>晶棒宽面的拉晶方法，其特征在于：在等径0到700mm，随着晶棒的长度增加，埚跟比不变，在等径700mm以后，随着晶棒的长度增加，温度逐渐增加。

技术总结本发明提供一种减小重掺<111>晶棒宽面的拉晶方法，涉及重掺单晶硅拉晶方法技术领域，将多晶硅料和掺杂剂放置在石英坩埚中，在氩气气氛下加热至稳定的熔硅；在稳定的熔硅中进行引晶、放肩，进入等径生长阶段；在等径的全阶段按照预定拉速曲线、预定补温曲线、预定初始埚位及埚跟比进行晶棒拉制，使得纵向温度梯度平稳且缓解晶棒生长界面的过冷度，防止宽面增大。技术研发人员：刘彦鹏,芮阳,伊冉,曹启刚,王黎光,蔡瑞,王忠保,白园,赵娜受保护的技术使用者：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/29