一种半导体封装结构、电子线路板及电子设备的制作方法

本技术涉及半导体封装，尤其涉及一种半导体封装结构、电子线路板及电子设备。

背景技术：

1、半导体芯片的封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片(die)，然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板(引线框架)架的小岛上，再利用超细的金属(金锡铜铝)导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘(bond pad)连接到基板的相应引脚(lead)，并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护。

2、但是这种封装过程会使半导体芯片的寄生电感大，电阻大，进而使半导体芯片无法满足大功率和超高频的应用场景。因此如何降低被封装的半导体芯片的寄生电感和电阻是业界急需解决的问题。

技术实现思路

1、本实用新型提供一种半导体封装结构、电子线路板及电子设备，用以解决现有技术中的半导体封装过程中导致半导体芯片的寄生电感大的缺陷。

2、本实用新型提供一种半导体封装结构，包括：

3、封装层；

4、散热板，所述散热板的一侧嵌设于所述封装层内；

5、第一芯片，封装于所述封装层内，所述第一芯片贴装于所述散热板的一侧，所述第一芯片设置有电极的一侧位于所述第一芯片背离所述散热板的一侧；

6、第一布线组件，设置于所述第一芯片设置有电极的一侧，并与所述第一芯片的电极电连接；

7、第二芯片，封装于所述封装层内，所述第二芯片设置有管脚的一侧朝向所述第一芯片设置有电极的一侧，所述第二芯片的管脚与所述第一布线组件电连接；

8、连接件，与所述第一布线组件电连接，并延伸至所述封装层的外部，用于将所述第一芯片的电极，以及所述第二芯片的管脚引出所述封装层。

9、根据本实用新型提供的半导体封装结构，还包括：

10、焊球，所述第二芯片通过所述焊球与所述第一布线组件电连接。

11、根据本实用新型提供的半导体封装结构，所述第一布线组件包括：

12、第一导电层，设置于所述第一芯片设置有电极的一侧，与所述第一芯片的电极电连接；

13、第二导电层，设置于所述第一导电层背离所述第一芯片的一侧，用于保护所述第一导电层，且与所述第一导电层、所述第二芯片的管脚以及所述连接件电连接。

14、根据本实用新型提供的半导体封装结构，所述第一导电层包括镀金层；所述第二导电层包括镀镍层。

15、根据本实用新型提供的半导体封装结构，还包括：

16、第二布线组件，设置于所述封装层的表面，与所述连接件露出所述封装层的一端电连接。

17、根据本实用新型提供的半导体封装结构，所述第二布线组件包括：

18、第三导电层，铺设于所述封装层的表面，与所述连接件露出所述封装层的一端电连接；

19、第四导电层，设置与所述第三导电层背离所述封装层的一侧面，与所述第三导电层电连接，用于保护所述第三导电层。

20、根据本实用新型提供的半导体封装结构，所述第三导电层包括镀铜层，所述第四导电层包括镀锡层。

21、根据本实用新型提供的半导体封装结构，所述第一芯片包括功率芯片，所述第二芯片包括驱动芯片。

22、根据本实用新型提供的半导体封装结构，所述第一芯片包括氮化镓基半导体芯片；所述第二芯片的一个管脚与所述第一芯片的栅极电连接。

23、根据本实用新型提供的半导体封装结构，所述封装层包括绝缘树脂层；所述散热板包括铜板。

24、本实用新型还提供了一种电子线路板，包括线路板主体和权上述任一所述的半导体封装结构，所述半导体封装结构的连接件露出所述封装层的一端与所述线路板主体电连接。

25、本实用新型还提供了一种电子设备，包括电子设备主体和上述的电子线路板，所述电子线路板设置于所述电子设备主体内部。

26、本实用新型提供的一种半导体封装结构、电子线路板及电子设备。通过设置封装层，能够实现对第一芯片、第二芯片、第一布线组件和连接件的固定和保护；通过将第二芯片设置有管脚的一侧朝向第一芯片设置有电极的一侧，即将第二芯片与第一芯片面对面设置，能够减小半导体封装结构的尺寸，提高集成密度，同时使供压路径上产生的寄生电感和电阻减小，进而减小压降和噪声；通过在第一芯片设置有电极的一侧设置第一布线组件，第一芯片的电极与第一布线组件电连接，且第二芯片的管脚也与第一布线组件电连接，再结合与第一布线组件电连接的连接件，能够实现通过连接件将第一芯片的电极，以及第二芯片的管脚引出封装层，避免使用焊线，进一步地减小半导体封装结构的尺寸，提高集成密度，使供压路径上产生的寄生电感和电阻进一步的减小，有效的解决现有技术中的半导体封装过程中导致半导体芯片的寄生电感大的缺陷。

技术特征：

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一布线组件包括：

4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一导电层(41)包括镀金层；所述第二导电层(42)包括镀镍层。

5.根据权利要求1至4任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二布线组件包括：

7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第三导电层(81)包括镀铜层，所述第四导电层(82)包括镀锡层。

8.根据权利要求1至4任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一芯片(30)包括功率芯片，所述第二芯片(50)包括驱动芯片。

9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一芯片(30)包括氮化镓基半导体芯片；所述第二芯片(50)的一个管脚与所述第一芯片(30)的栅极电连接。

10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，所述封装层(10)包括绝缘树脂层；所述散热板(20)包括铜板。

11.一种电子线路板，其特征在于，包括线路板主体和权利要求1至10任一项所述的半导体封装结构，所述半导体封装结构的连接件(60)露出所述封装层(10)的一端与所述线路板主体电连接。

12.一种电子设备，其特征在于，包括电子设备主体和权利要求11所述的电子线路板，所述电子线路板设置于所述电子设备主体内部。

技术总结本技术涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种半导体封装结构、电子线路板及电子设备。该半导体封装结构包括封装层、散热板、第一芯片、第一布线组件、第二芯片和连接件；散热板的一侧嵌设于封装层内；第一芯片封装于封装层内，贴装于散热板的一侧，第一芯片设置有电极的一侧位于第一芯片背离散热板的一侧；第一布线组件设置于第一芯片设置有电极的一侧，并与第一芯片的电极电连接；第二芯片封装于封装层内，倒贴装于第一芯片设置有电极的一侧，第二芯片的管脚与第一布线组件电连接；连接件与第一布线组件电连接，并延伸至封装层的外部。在本技术能够解决现有技术中的半导体封装过程中导致半导体芯片的寄生电感大的缺陷。技术研发人员：陈邦星受保护的技术使用者：英诺赛科（珠海）科技有限公司技术研发日：20231013技术公布日：2024/7/11