一种化学机械抛光用的载盘的制作方法

本技术属于半导体，涉及载盘，尤其涉及一种化学机械抛光用的载盘。

背景技术：

1、化学机械抛光技术是半导体晶圆衬底制造中关键的加工工序之一，通过表面化学作用与机械研磨的技术结合来实现晶圆表面纳米级平坦化，以此满足后续的外延及芯片制造。化学机械抛光一般使用贴蜡或者吸附垫固定晶圆进行抛光，其中的贴蜡抛光方式为使用液体蜡均匀旋涂在晶圆表面，然后通过烘烤、气囊压制后冷却，将晶圆固定在陶瓷载体上，抛光完成后将其陶瓷载体进行加热使液体蜡融化后将晶圆取下，进而完成抛光的整个过程。

2、化学机械抛光所使用的陶瓷载体基本是一个圆柱形的结构，陶瓷载体材料采用的是高密度氧化铝，硬度较大，仅次于金刚石，待抛光完成将其放置在加热盘上进行加热，蜡融化后使用尼龙治具从一侧将晶圆推出。在进行加热脱蜡过程中，晶圆与陶瓷盘载体紧密贴合，待蜡融化后使用尼龙治具从一侧将晶圆完全推出陶瓷载体的距离较长，晶圆相对陶瓷载体滑移的过程中两者之间的蜡逐渐消除，导致晶圆与高硬度的陶瓷载体之间直接接触产生硬摩擦，使其晶圆的背面产生较多划痕，造成外延生长的背面淀积，导热不均匀等影响。

技术实现思路

1、为了解决上述问题，本实用新型提供了一种化学机械抛光用的载盘，本实用新型将陶瓷载体设计成中心承台，中心的承台的尺寸与晶圆尺寸接近，加热陶瓷载体待蜡融化后从一侧推出晶片可以在较短的距离使其两者之间分离，不会产生硬摩擦，同时为了防止推出晶片产生倾斜与陶瓷载体发生碰撞，在中心承台的外围覆盖一层相对陶瓷更软的树脂板，以此来消除脱蜡产生的晶圆背面划伤。

2、为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

3、本实用新型提供了一种化学机械抛光用的载盘，所述载盘包括陶瓷载体，所述陶瓷载体中心处设有突起的承台，所述承台用于固定晶圆；沿承台外沿设置有树脂板。

4、作为本实用新型的一种优选方案，所述承台的直径大于晶圆的外径。

5、作为本实用新型的一种优选方案，所述承台的直径大于晶圆的外径3-5mm。

6、作为本实用新型的一种优选方案，所述承台的高度为1-3mm。

7、作为本实用新型的一种优选方案，所述树脂板为圆环状。

8、作为本实用新型的一种优选方案，所述树脂板的厚度为1-3mm。

9、作为本实用新型的一种优选方案，所述树脂板与所述陶瓷载体粘合固定。

10、与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

11、1)本实用新型加热陶瓷载体待蜡融化后从一侧推出晶片可以在较短的距离使其两者之间分离，不会产生硬摩擦，同时为了防止推出晶片产生倾斜与陶瓷载体发生碰撞，在中心承台的外围覆盖一层相对陶瓷更软的树脂板，以此来消除脱蜡产生的晶圆背面划伤。

12、2)本实用新型的结构简单，仅需将原有的陶瓷盘载体上略作改动即可。

13、3)本实用新型可以避免晶圆与陶瓷载体脱离过程中产生背面划伤。

技术特征：

1.一种化学机械抛光用的载盘，其特征在于，所述载盘包括陶瓷载体，所述陶瓷载体中心处设有突起的承台，所述承台用于固定晶圆；沿承台外沿设置有树脂板，所述树脂板为圆环状，所述树脂板与所述陶瓷载体粘合固定。

2.根据权利要求1所述的一种化学机械抛光用的载盘，其特征在于，所述承台的直径大于晶圆的外径。

3.根据权利要求2所述的一种化学机械抛光用的载盘，其特征在于，所述承台的直径大于晶圆的外径3-5mm。

4.根据权利要求1所述的一种化学机械抛光用的载盘，其特征在于，所述承台的高度为1-3mm。

5.根据权利要求1所述的一种化学机械抛光用的载盘，其特征在于，所述树脂板的厚度为1-3mm。

技术总结本技术公开了一种化学机械抛光用的载盘，所述载盘包括陶瓷载体，所述陶瓷载体中心处设有突起的承台，所述承台用于固定晶圆；沿承台外沿设置有树脂板。本技术将陶瓷载体设计成中心承台，中心的承台的尺寸与晶圆尺寸接近，加热陶瓷载体待蜡融化后从一侧推出晶片可以在较短的距离使其两者之间分离，不会产生硬摩擦，同时为了防止推出晶片产生倾斜与陶瓷载体发生碰撞，在中心承台的外围覆盖一层相对陶瓷更软的树脂板，以此来消除脱蜡产生的晶圆背面划伤。技术研发人员：张行富,王恒,杨海军受保护的技术使用者：杭州乾晶半导体有限公司技术研发日：20231019技术公布日：2024/7/11