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一种光伏发电系统的降温结构的制作方法

  • 国知局
  • 2024-07-17 12:58:58

本技术涉及光伏发电设备,尤其涉及一种光伏发电系统的降温结构。

背景技术:

1、光伏发电系统通常由太阳能电池阵列(光伏板组件)、电缆、电力电子变换器(逆变器)、储能装置(蓄电池)、负载即用户等构成。利用光伏板吸收太阳光,利用半导体材料,例如硅基板,将光能转化为电能,从而输出直流电。

2、在光伏系统的实际应用中,很多设备,例如太阳能电池、蓄电池、逆变器、热机器、电子元件等,其最佳的工作温度在20-30℃,由于长时间工作和太阳的暴晒会导致器件表面温度升高,甚至出现局部过热(如热斑效应),从而降低其运行效率和使用寿命。因此,需要一种可靠的降温方法,目前已经存在一些主动降温的方法,例如通过电器冷却、喷淋、水冷、风冷等手段将器件表面的热量排出。然而,这些方法通常需要外部能源的支持,且成本高、效率低、难以应用于大规模生产;风冷虽然不需要外部能源,但在气温或湿度条件不佳时,散热效率很低。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种光伏发电系统的降温结构,以解决上述背景技术中提出的问题。为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:

2、一种光伏发电系统的降温结构,所述光伏发电系统包括光伏板组件、电力电子变换器、储能装置和电缆;光伏板组件包括第一光伏板,所述第一光伏板的迎光面朝上设置,所述第一光伏板的背光面设置有被动式辐射制冷涂层,所述电力电子变换器、所述储能装置和所述电缆均在表面设置有被动式辐射制冷涂层。

3、进一步地,所述光伏板组件还包括第二光伏板和聚光组件,所述第二光伏板的迎光面朝下设置;所述聚光组件包括聚光板和支撑件,所述聚光板与所述支撑件连接,所述聚光板用于将光线聚合照射于所述第二光伏板的迎光面,所述支撑件表面设置有被动式辐射制冷涂层。

4、进一步地,所述光伏板组件还包括支架,所述第一光伏板、所述第二光伏板和所述聚光组件分别安装于所述支架上,所述支架表面设置有被动式辐射制冷涂层。

5、进一步地,所述聚光组件可升降地安装于所述支架上。

6、进一步地,所述聚光板可转动地与所述支撑件连接。

7、进一步地,所述第二光伏板上设置有温度传感器。

8、进一步地,所述支架的安装平台表面设置有被动式辐射制冷涂层。

9、本实用新型的有益效果在于:本实用新型利用被动式辐射制冷涂层的高反射率和高吸收率,降低光伏发电系统中各个设备的工作温度,为设备提供热保护,尤其是对柔性光伏板;降温过程也不需要外部能源支持,可实现自主降温;降温效果稳定,具有成本低、效率高的优点,且能提升发电板的发电效率,易于应用于大规模生产,实用性高。

技术特征:

1.一种光伏发电系统的降温结构,其特征在于:所述光伏发电系统包括光伏板组件、电力电子变换器、储能装置和电缆;光伏板组件包括第一光伏板,所述第一光伏板的迎光面朝上设置,所述第一光伏板的背光面设置有被动式辐射制冷涂层,所述电力电子变换器、所述储能装置和所述电缆均在表面设置有被动式辐射制冷涂层。

2.根据权利要求1所述的光伏发电系统的降温结构,其特征在于:所述光伏板组件还包括第二光伏板和聚光组件,所述第二光伏板的迎光面朝下设置;所述聚光组件包括聚光板和支撑件,所述聚光板与所述支撑件连接,所述聚光板用于将光线聚合照射于所述第二光伏板的迎光面,所述支撑件表面设置有被动式辐射制冷涂层。

3.根据权利要求2所述的光伏发电系统的降温结构,其特征在于:所述光伏板组件还包括支架,所述第一光伏板、所述第二光伏板和所述聚光组件分别安装于所述支架上,所述支架表面设置有被动式辐射制冷涂层。

4.根据权利要求3所述的光伏发电系统的降温结构,其特征在于:所述聚光组件可升降地安装于所述支架上。

5.根据权利要求4所述的光伏发电系统的降温结构,其特征在于:所述聚光板可转动地与所述支撑件连接。

6.根据权利要求5所述的光伏发电系统的降温结构,其特征在于:所述第二光伏板上设置有温度传感器。

7.根据权利要求3所述的光伏发电系统的降温结构,其特征在于:所述支架的安装平台表面设置有被动式辐射制冷涂层。

技术总结本技术公开了一种光伏发电系统的降温结构,所述光伏发电系统包括光伏板组件、电力电子变换器、储能装置和电缆;光伏板组件包括第一光伏板,所述第一光伏板的迎光面朝上设置,所述第一光伏板的背光面设置有被动式辐射制冷涂层,所述电力电子变换器、所述储能装置和所述电缆均在表面设置有被动式辐射制冷涂层。本技术利用被动式辐射制冷涂层的高反射率和高吸收率,降低光伏发电系统中各个设备的工作温度,为设备提供热保护,尤其是对柔性光伏板;降温过程也不需要外部能源支持,可实现自主降温;降温效果稳定,具有成本低、效率高的优点,且能提升发电板的发电效率,易于应用于大规模生产,实用性高。技术研发人员:朱毅豪受保护的技术使用者:深圳市创冷科技有限公司技术研发日:20231027技术公布日:2024/7/11

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