一种封装结构及具有其的LED发光器件的制作方法

本技术属于led，具体涉及一种封装结构及具有其的led发光器件。

背景技术：

1、目前，大功率陶瓷led发光器件，正朝着热电分离的方向发展。现有热电分离方案，大多数在led发光器件的正面设置外接引线式焊盘，来形成电气连接，led发光器件的热量，则通过背面整体式焊盘进行散热。led发光器件热电分离设计，对电气连接的强度要求较高。

2、在led发光器件的制作过程中，通常采用围坝点胶的工艺进行封装，现有的围坝胶层包含有甲基体系或苯基体系的硅油小分子，这些小分子物质容易从围坝胶层中溢出，加之由dpc工艺制作的镀金基板，其表面金属镀层并非致密，存在有许多细小微孔结构，且围坝胶层所处的底部平面与金属镀层(包括引线键合区、固晶区)是同一个水平面，微孔结构对围坝胶层的硅油小分子有毛细吸附现象，容易导致硅油小分子往引线键合区扩散，而一旦引线键合区的金属镀层覆盖有硅油小分子，则容易影响引线键合区的电气连接，造成大功率陶瓷led发光器件的性能失效，影响led发光器件的使用寿命。

3、另外，由于围坝胶层所处的底部平面与金属镀层(包括引线键合区、固晶区)是同一个水平面，围坝胶层围坝点胶若发生偏移，会影响引线键合区的打线区域面积，或也可能影响固晶区处led芯片发光面周围白胶的填充效果。

4、综上可知，目前缺少一种封装结构，来解决围坝胶层容易往引线键合区扩散硅油小分子造成led发光器件失效的问题，来解决围坝胶层围坝点胶偏移影响打线区域面积的问题，来解决围坝胶层围坝点胶偏移影响白胶填充的问题；且目前也缺少一种由新型封装结构封装led芯片制成的led发光器件，来提高led发光器件的使用寿命，供人们安全使用。

5、因此，需要一种新的技术以解决现有技术中缺少一种新型封装结构的问题，来避免围坝胶层容易往引线键合区扩散小分子物质造成器件失效；需要一种新的技术以解决现有技术中缺少一种新型led发光器件的问题，来提高led发光器件的使用寿命，供人们安全使用。

技术实现思路

1、为解决背景技术中的技术问题，本实用新型提供了一种封装结构，通过构设第一围坝槽、第二围坝槽，来布置围坝胶层，有效地避免围坝胶层往引线键合区扩散小分子物质造成器件失效的问题。

2、本实用新型采用了以下技术方案：

3、一种封装结构，包括载体基板，所述载体基板上设有引线键合区和固晶区，所述引线键合区位于所述固晶区一侧，所述引线键合区能与外部电路连接；所述固晶区的厚度小于所述引线键合区的厚度；所述固晶区的侧边设有第一凹槽，所述第一凹槽用于电极间隔及设置填充材料层；所述固晶区的两侧分别设有第一围坝槽和第二围坝槽，且所述第一围坝槽、所述第二围坝槽均分别位于所述第一凹槽外侧；所述第一围坝槽和所述第二围坝槽，用于设置围坝胶层；所述第一围坝槽和所述第二围坝槽的槽底，低于所述固晶区的最高高度。

4、进一步地，所述引线键合区邻接所述第一围坝槽的地方设有阻挡层，所述阻挡层用于阻挡围坝胶层往引线键合区扩散小分子物质。

5、进一步地，所述第一围坝槽和所述第二围坝槽对称设在所述固晶区两侧的区域；所述第一围坝槽的槽深在0.1mm～0.20mm的区间；所述第一围坝槽的宽度为引线键合区宽度的0.5～0.8倍。

6、进一步地，所述第一凹槽的槽底，低于所述第一围坝槽的槽底或低于所述第二围坝槽的槽底；所述第一凹槽的槽宽在0.30mm～0.45mm的区间。

7、进一步地，所述阻挡层为白油层，或为非扩散有机涂层。

8、进一步地，所述固晶区构设有若干个固晶座；相邻两个所述固晶座保持设定的槽宽间距。

9、进一步地，所述引线键合区的高度在0.15mm～0.25mm区间；所述引线键合区的宽度在1.2mm～1.8mm的区间；所述固晶区的高度为所述引线键合区高度的0.5～0.6倍；所述固晶区的宽度在1.5～2.5mm区间。

10、为解决背景技术中的技术问题，本实用新型提供了一种led发光器件，可以提高led发光器件的使用寿命，供人们安全使用。

11、一种led发光器件，包括上述封装结构、led芯片、光转换层、围坝胶层和填充材料层；所述led芯片设在所述固晶区上，所述光转换层设在所述led芯片上，所述围坝胶层设在所述第一围坝槽、所述第二围坝槽中，所述填充材料层填充在所述led芯片和光转换层的间隙，和与所述围坝胶层构成的区域中。

12、进一步地，所述led芯片设有若干个；若干个所述led芯片呈现等间距排列；相邻所述led芯片的最小间距至少为90μm；

13、所述光转换层完全覆盖在对应的所述led芯片上，相邻所述光转换层保持设定间距，相邻所述光转换层的最小间距至少为50μm。

14、进一步地，所述围坝胶层的高度不超过所述光转换层的上表面；所述围坝胶层的宽度不超过所述第一围坝槽或所述第二围坝槽的宽度。

15、所述填充材料层为硅胶填充层，或为树脂填充层，或为白胶填充层。

16、进一步地，还包括光转换粘结层，所述光转换层通过所述光转换粘结层与所述led芯片连接。

17、进一步地，所述光转换粘结层的厚度不超过20μm。

18、与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：

19、本实用新型的一种新型的封装结构，可以将围坝胶层设在所述第一围坝槽、第二围坝槽中，可以解决以往围坝胶层的底部平面与引线键合区处于同一个水平面，围坝胶层容易往引线键合区扩散硅油小分子造成led发光器件电气连接失效的问题，也可以有效解决以往围坝胶层围坝点胶偏移容易影响引线键合区打线面积的问题，也可以有效解决以往围坝胶层围坝点胶偏移容易影响白胶填充固定led芯片的问题。

20、本实用新型的一种led发光器件，在新型的封装结构基础上，布置led芯片、光转换层、围坝胶层和填充材料层，可以解决以往围坝胶层围坝点胶容易发生位置偏移的技术问题，也可以解决以往围坝胶层容易往引线键合区扩散硅油小分子物质造成led发光器件电气连接失效的技术问题；本实用新型的led发光器件，基于新型封装结构进行封装，可靠耐用，可以提高led发光器件的使用寿命，供人们安全使用。

技术特征：

1.一种封装结构，其特征在于，包括载体基板，所述载体基板上设有引线键合区和固晶区，所述引线键合区位于所述固晶区一侧，所述引线键合区能与外部电路连接；所述固晶区的厚度小于所述引线键合区的厚度；所述固晶区的侧边设有第一凹槽，所述第一凹槽用于电极间隔及设置填充材料层；所述固晶区的两侧分别设有第一围坝槽和第二围坝槽，且所述第一围坝槽、所述第二围坝槽均分别位于所述第一凹槽外侧；所述第一围坝槽和所述第二围坝槽，用于设置围坝胶层；所述第一围坝槽和所述第二围坝槽的槽底，低于所述固晶区的最高高度。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述引线键合区邻接所述第一围坝槽的地方设有阻挡层，所述阻挡层用于阻挡围坝胶层往引线键合区扩散小分子物质。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一围坝槽和所述第二围坝槽对称设在所述固晶区两侧的区域。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一凹槽的槽底，低于所述第一围坝槽的槽底或低于所述第二围坝槽的槽底。

5.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述阻挡层为白油层，或为非扩散有机涂层。

6.一种led发光器件，其特征在于，包括权利要求1至权利要求5任一项所述的封装结构、led芯片、光转换层、围坝胶层和填充材料层；所述led芯片设在所述固晶区上，所述光转换层设在所述led芯片上，所述围坝胶层设在所述第一围坝槽、所述第二围坝槽中，所述填充材料层填充在所述led芯片和光转换层的间隙，和与所述围坝胶层构成的区域中。

7.根据权利要求6所述的led发光器件，其特征在于，所述led芯片设有若干个；若干个所述led芯片呈现等间距排列；

8.根据权利要求6所述的led发光器件，其特征在于，所述围坝胶层的高度不超过所述光转换层的上表面；所述围坝胶层的宽度不超过所述第一围坝槽或所述第二围坝槽的宽度；

9.根据权利要求6所述的led发光器件，其特征在于，还包括光转换粘结层，所述光转换层通过所述光转换粘结层与所述led芯片连接。

10.根据权利要求9所述的led发光器件，其特征在于，所述光转换粘结层的厚度不超过20μm。

技术总结本技术属于LED技术领域，公开了一种封装结构及具有其的LED发光器件，其中的LED发光器件包括上述封装结构、LED芯片、光转换层、围坝胶层和填充材料层；LED芯片设在固晶区上，固晶区的上表面与LED芯片背面金属极相接；光转换层设在LED芯片上，围坝胶层设在第一围坝槽、第二围坝槽中，填充材料层填充在LED芯片和光转换层的间隙，和与围坝胶层构成的区域中。本技术的LED发光器件，基于新型封装结构进行封装，可靠耐用，可以提高LED发光器件的使用寿命，供人们安全使用。技术研发人员：雷望,万垂铭,曾照明,胡波平,罗昕穗,朱文敏受保护的技术使用者：广东晶科电子股份有限公司技术研发日：20231122技术公布日：2024/7/11