一种半导体晶圆表面保护膜的制作方法

本技术涉及保护膜，尤其是涉及一种半导体晶圆表面保护膜。

背景技术：

1、半导体是家用数码产品及电子器件的关键部件。其中，半导体芯片是大规模集成电路的制造和半导体器件的制造必不可少的基材。半导体芯片以单晶硅片(晶圆)加工而成，在对单晶硅片进行切割、磨削加工时，需要运用保护膜进行固定，加工后单晶硅片再从保护膜上完全剥离下来。常见的保护膜由基材层和uv减粘胶层组成，减粘胶层与单晶硅片相连接，然而在经uv光照后，uv减粘胶层的粘合力变小，也导致基材层和uv减粘胶层之间脱层，使得保护膜和单晶硅片剥离不完全。

2、因此，有必要对现有技术中的半导体晶圆表面保护膜进行改进。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的缺陷，提供一种半导体晶圆表面保护膜，减粘胶层与基材层附着力和稳定性均良好。

2、为实现上述技术效果，本实用新型的技术方案为：一种半导体晶圆表面保护膜，包括：

3、基材层，具有沿层厚方向相对的第一表面和第二表面；

4、减粘胶层，设置于所述第一表面；

5、所述第一表面设置有第一凹陷部，所述减粘胶层与所述基材层凹凸配合；

6、或所述第一表面设置有附着加强涂层，所述附着加强涂层背离所述基材层的表面设置有第二凹陷部，所述减粘胶层与所述附着加强涂层凹凸配合。

7、优选的技术方案为，所述第一凹陷部的开口宽度小于底部宽度。

8、优选的技术方案为，所述附着加强涂层的材质为烯类聚合物。

9、优选的技术方案为，所述第二凹陷部的开口宽度小于底部宽度。

10、优选的技术方案为，所述基材层为烯烃聚合物复合层，所述基材层包括高密度聚乙烯单元层。

11、优选的技术方案为，所述高密度聚乙烯单元层为基材层的表层。

12、优选的技术方案为，所述减粘胶层背离所述基材层的表面设置有第一离型膜，所述第一离型膜为超轻离型膜；所述基材层的第二表面设置有第二离型膜，所述第二离型膜为轻离型膜。

13、优选的技术方案为，所述第一离型膜和第二离型膜均包括pet基层和离型层，所述离型层为防紫外离型层。

14、优选的技术方案为，所述附着加强涂层的层厚为0.3～0.8μm。

15、优选的技术方案为，所述基材层的层厚为80～150μm，所述减粘胶层的层厚为15～25μm。

16、本实用新型的优点和有益效果在于：

17、该半导体晶圆表面保护膜结构合理，通过第一表面设置的第一凹陷部提高减粘胶层与基材层附着力，或通过附着加强涂层以及附着加强涂层设置的第一凹陷部提高减粘胶层与基材层附着力，改善减粘胶层和基材层的稳定性。

技术特征：

1.一种半导体晶圆表面保护膜，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆表面保护膜，其特征在于，所述第一凹陷部(10)的开口宽度小于底部宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体晶圆表面保护膜，其特征在于，所述附着加强涂层(3)的材质为烯类聚合物。

4.根据权利要求1或3所述的半导体晶圆表面保护膜，其特征在于，所述第二凹陷部(30)的开口宽度小于底部宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体晶圆表面保护膜，其特征在于，所述基材层(1)为烯烃聚合物复合层，所述基材层(1)包括高密度聚乙烯单元层。

6.根据权利要求5所述的半导体晶圆表面保护膜，其特征在于，所述高密度聚乙烯单元层为基材层(1)的表层。

7.根据权利要求1所述的半导体晶圆表面保护膜，其特征在于，所述减粘胶层(2)背离所述基材层(1)的表面设置有第一离型膜(4a)，所述第一离型膜(4a)为超轻离型膜；所述基材层(1)的第二表面(12)设置有第二离型膜(4b)，所述第二离型膜(4b)为轻离型膜。

8.根据权利要求7所述的半导体晶圆表面保护膜，其特征在于，所述第一离型膜(4a)和第二离型膜(4b)均包括pet基层(42)和离型层(41)，所述离型层(41)为防紫外离型层。

9.根据权利要求5所述的半导体晶圆表面保护膜，其特征在于，所述附着加强涂层(3)的层厚为0.3～0.8μm。

10.根据权利要求1所述的半导体晶圆表面保护膜，其特征在于，所述基材层(1)的层厚为80～150μm，所述减粘胶层(2)的层厚为15～25μm。

技术总结本技术公开了一种半导体晶圆表面保护膜，包括：基材层，具有沿层厚方向相对的第一表面和第二表面；减粘胶层，设置于第一表面；第一表面设置有第一凹陷部，减粘胶层与基材层凹凸配合；或第一表面设置有附着加强涂层，附着加强涂层背离基材层的表面设置有第二凹陷部，减粘胶层与附着加强涂层凹凸配合。该半导体晶圆表面保护膜结构合理，通过第一表面设置的第一凹陷部提高减粘胶层与基材层附着力，或通过附着加强涂层以及附着加强涂层设置的第一凹陷部提高减粘胶层与基材层附着力，改善减粘胶层和基材层的稳定性。技术研发人员：周永南,冯明月受保护的技术使用者：江阴通利光电科技有限公司技术研发日：20230926技术公布日：2024/5/16