低收缩率的晶圆切割用胶带的制备方法与流程

本发明属于电子器件uv胶，涉及低收缩率的晶圆切割用胶带的制备方法。

背景技术：

1、芯片作为高端技术密集型产品，在众多电子产品中不可或缺。晶圆是芯片最为关键的基础材料。对晶圆进行加工时，是将晶圆切割成小颗粒。为了防止切割过程中飞行的碎屑对晶圆的破坏，以及易形成崩边等不良后果，通常采用晶圆切割胶带对晶圆进行防护，切割胶带一方面避免碎屑飞溅起到保护作用，另一方面避免滑边。现有的晶圆切割胶带上的晶圆切割胶在固化时会减少分子与分子间的距离，使得切割胶体积收缩，而晶圆切割胶自身聚合体积收缩，易产生表面应力及裂纹。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供低收缩率的晶圆切割用胶带的制备方法，该方法制得的胶带中采用的晶圆切割胶，采用了葡萄糖制备超支化大分子，从而使制备的晶圆切割胶具备了低收缩率的性能。

2、本发明所采用的技术方案是，低收缩率的晶圆切割用胶带的制备方法，具体包括如下步骤：

3、步骤1，合成葡萄糖基超支化大分子；

4、步骤2，合成丙烯酸异辛酯低聚物；

5、步骤3，根据步骤1和步骤2所得产物制备晶圆切割胶带。

6、本发明的特点还在于：

7、步骤1的具体过程为：

8、步骤1.1，取5g-10g葡萄糖化合物和0.1g-0.2g对甲基苯磺酸溶解在四氢呋喃溶剂中，然后加入30g-60g的2，2-双(羟甲基)丙酸，在80℃-120℃条件下反应12h-24h，60-120℃旋蒸得到第一步前驱体；

9、步骤1.2，将步骤1.1得到的第一步前驱体加入到25g-50g的环氧氯丙烷中，加入1ml-2ml三乙胺45℃-90℃条件下搅拌6h-12h，反应结束后60℃-120℃旋蒸去除未反应的原料，得到葡萄糖基超支化大分子。

10、步骤2的具体过程为：

11、取5ml-10ml丙烯酸异辛酯分散在5ml-10ml异丙醇溶液中，加入0.001g-0.005g的2，4，6-三甲基苯甲酰二苯氧磷，加热到30℃-60℃反应1h-3h，反应结束后通过al2o3填充柱进行柱分离，获得丙烯酸异辛酯低聚物。

12、步骤3的具体过程为：

13、步骤3.1，取0.8g-1.6g葡萄糖基超支化大分子、1g-3g丙烯酸异辛酯低聚物、0.5-1ml丙烯酸、0.2g-0.6g丙烯酸十二烷基酯、0.2g-0.6g纤维素纳米晶、1-羟环己基苯酮0.1g-0.2g，依次加入到5ml-10ml的四氢呋喃溶剂中，得到晶圆切割胶水；

14、步骤3.2，根据步骤3.1所得的晶圆切割胶水制备晶圆切割胶带。

15、步骤3.2的具体过程为：

16、将步骤3.1所得的晶圆切割胶水涂布在5cm-10cm的聚乙烯醋酸酯薄膜上，在45℃-60℃条件下干燥1h-2h，即得。

17、本发明的有益效果是，本发明采用葡萄糖制备超支化大分子，获得了低收缩率的胶，胶固化剥离时无残留。同时胶中引入了丙烯酸，不仅与超支化大分子发生反应，并提高了晶圆切割胶的粘度；胶中引入丙烯酸异辛酯使得胶固化后更容易剥离，引入纤维素纳米晶降低剥离力。

技术特征：

1.低收缩率的晶圆切割用胶带的制备方法，其特征在于：具体包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的低收缩率的晶圆切割用胶带的制备方法，其特征在于：所述步骤1的具体过程为：

3.根据权利要求2所述的低收缩率的晶圆切割用胶带的制备方法，其特征在于：所述步骤2的具体过程为：

4.根据权利要求3所述的低收缩率的晶圆切割用胶带的制备方法，其特征在于：所述步骤3的具体过程为：

5.根据权利要求4所述的低收缩率的晶圆切割用胶带的制备方法，其特征在于：所述步骤3.2的具体过程为：

技术总结本发明公开低收缩率的晶圆切割用胶带的制备方法，具体包括如下步骤：步骤1，合成葡萄糖基超支化大分子；步骤2，合成丙烯酸异辛酯低聚物；步骤3，根据步骤1和步骤2所得产物制备晶圆切割胶带。本发明采用葡萄糖制备超支化大分子，获得了低收缩率的胶，胶固化剥离时无残留。同时胶中引入了丙烯酸，不仅与超支化大分子发生反应，并提高了晶圆切割胶的粘度；胶中引入丙烯酸异辛酯使得胶固化后更容易剥离，引入纤维素纳米晶降低剥离力。技术研发人员：冯燕,尹郸宁受保护的技术使用者：阿梓萨科技（深圳）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/16