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一种应用于半导体行业的抛光液的制作方法

  • 国知局
  • 2024-08-02 17:26:32

本发明涉及半导体抛光液领域,具体为一种应用于半导体行业的抛光液。

背景技术:

1、半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用,如二极管就是采用半导体制作的器件,常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。

2、半导体在生产完成后通常需要表面抛光,提高后期使用效果,但目前常见的抛光液成分大多为氧化铝、氧化硅、氧化铁作为磨料,加入活性剂、稳定剂等助剂制成,抛光液的润湿性和粘附性较差,导致抛光效果差,且半导体表面会存在一些有机物质和污染物,常规的抛光液无法有效去除,导致半导体表面的净度和亮度不够。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足,本发明提供了一种应用于半导体行业的抛光液,解决了常见的抛光液润湿性和粘附性较差,导致抛光效果差和无法有效去除表面会存在一些有机物质和污染物,导体表面的净度和亮度不够的问题。

2、为实现以上目的,本发明通过以下技术方案予以实现:一种应用于半导体行业的抛光液,按质量分数包括磨料5%-30%、硝酸银10%-20%、高锰酸钾2%-10%、乳化剂0.1%-5%、定型剂0.1%-5%、抗摩擦剂0.1%-3%、防腐保护剂0.1%-3%、氨水ph调节剂0.1%-10%,余量为去离子水。

3、优选的,所述磨料为无机填料和改性植物纤维、高纯硅粉、金刚石微粉按质量比3:5:2:1的比例混合制成。

4、优选的,所述无机填料为白炭黑、二氧化硅、氧化镁、高岭土、云母粉、氧化铝、硅藻土、碳酸钙及改性物和硅灰石粉中的一种或多种。

5、优选的,所述改性植物纤维的制备步骤为首先将阔叶木屑、玉米棒芯、油菜籽饼粕、麸皮等植物材料粉碎,随后在浓度为5-8%的氢氧化钠溶液中浸泡2-3h,随后加入环氧季铵盐的表氯醇母体衍生物进行20-30min的改性处理,最后放入高速离心机中离心,再放入研磨机中研磨,过80-100目筛,得到改性植物纤维。

6、优选的,所述乳化剂为脂肪醇、脂肪酸酯、聚氧乙烯及其衍生物、硅油及其衍生物等多种成分混合而成。

7、优选的,所述定型剂为聚乙烯-2氯乙烯共聚物或聚氯乙烯及其衍生物中的一种。

8、优选的,所述抗摩擦剂为dc-51有机硅蜡助剂或甲基丙烯酸甲酯中的一种。

9、优选的,所述防腐保护剂为甲酸钠、醋酸、酸性氢氧化钠、乙醇酸二乙酯中的一种。

10、本发明提供了一种应用于半导体行业的抛光液。具备以下有益效果:

11、1、本发明通过在抛光液中加入硝酸银和高锰酸钾,可以明显提高抛光亮度,同时高锰酸钾可以提供氧分子,因此在抛光液中可能被用作氧化剂,这对于去除有机物质或某些污染物,使半导体材料表面更干净、更亮,起到提高抛光效果的作用。

12、2、本发明通过在抛光液中加入无机填料和改性植物纤维作为磨料成分之一,利用无机填料不同的粒径,有微小细粒、细粒、纤维状、块状和碳素,抛光液中的磨料由于有完整的粒度分布,可以提供充足的细度和抛光效果,而改性植物纤维可以增加液体的体积和粘稠度,这有助于提高抛光液的润湿性和黏附性,使其更容易附着在被抛光的表面上,提高抛光效果。

技术特征:

1.一种应用于半导体行业的抛光液,其特征在于,按质量分数包括磨料5%-30%、硝酸银10%-20%、高锰酸钾2%-10%、乳化剂0.1%-5%、定型剂0.1%-5%、抗摩擦剂0.1%-3%、防腐保护剂0.1%-3%、氨水ph调节剂0.1%-10%,余量为去离子水。

2.根据权利要求1所述的一种应用于半导体行业的抛光液,其特征在于,所述磨料为无机填料和改性植物纤维、高纯硅粉、金刚石微粉按质量比3:5:2:1的比例混合制成。

3.根据权利要求2所述的一种应用于半导体行业的抛光液,其特征在于,所述无机填料为白炭黑、二氧化硅、氧化镁、高岭土、云母粉、氧化铝、硅藻土、碳酸钙及改性物和硅灰石粉中的一种或多种。

4.根据权利要求2所述的一种应用于半导体行业的抛光液,其特征在于,所述改性植物纤维的制备步骤为首先将阔叶木屑、玉米棒芯、油菜籽饼粕、麸皮等植物材料粉碎,随后在浓度为5-8%的氢氧化钠溶液中浸泡2-3h,随后加入环氧季铵盐的表氯醇母体衍生物进行20-30min的改性处理,最后放入高速离心机中离心,再放入研磨机中研磨,过80-100目筛,得到改性植物纤维。

5.根据权利要求1所述的一种应用于半导体行业的抛光液,其特征在于,所述乳化剂为脂肪醇、脂肪酸酯、聚氧乙烯及其衍生物、硅油及其衍生物等多种成分混合而成。

6.根据权利要求1所述的一种应用于半导体行业的抛光液,其特征在于,所述定型剂为聚乙烯-2氯乙烯共聚物或聚氯乙烯及其衍生物中的一种。

7.根据权利要求1所述的一种应用于半导体行业的抛光液,其特征在于,所述抗摩擦剂为dc-51有机硅蜡助剂或甲基丙烯酸甲酯中的一种。

8.根据权利要求1所述的一种应用于半导体行业的抛光液,其特征在于,所述防腐保护剂为甲酸钠、醋酸、酸性氢氧化钠、乙醇酸二乙酯中的一种。

技术总结本发明涉及半导体抛光液领域,公开了一种应用于半导体行业的抛光液,按质量分数包括磨料5%‑30%、硝酸银10%‑20%、高锰酸钾2%‑10%、乳化剂0.1%‑5%、定型剂0.1%‑5%、抗摩擦剂0.1%‑3%、防腐保护剂0.1%‑3%、氨水pH调节剂0.1%‑10%,余量为去离子水。本发明通过在抛光液中加入硝酸银和高锰酸钾,可以明显提高抛光亮度,同时高锰酸钾可以提供氧分子,因此在抛光液中可能被用作氧化剂,这对于去除有机物质或某些污染物,使半导体材料表面更干净、更亮,起到提高抛光效果的作用,加入无机填料和改性植物纤维作为磨料成分可以提供充足的细度和抛光效果,这有助于提高抛光液的润湿性和黏附性,使其更容易附着在被抛光的表面上,提高抛光效果。技术研发人员:张建,巩强,林向阳,周水晶,王凯慧受保护的技术使用者:浙江芯秦微电子科技有限公司技术研发日:技术公布日:2024/6/2

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