一种耐压MOSFET版图及MOSFET芯片的制作方法

本申请各实施例属半导体，尤其涉及一种耐压mosfet版图及mosfet芯片。

背景技术：

1、导通电阻是mosfet 重要的电性参数，可通过减小元胞尺寸来降低导通电阻。在沟槽型 mosfet 中，沟槽的尺寸会随元胞尺寸的减小而相应减小。当沟槽尺寸过小时，在栅极多晶硅上打孔将变得困难。在施加反向电压时，深沟槽对电场线的挤压更严重，使器件在此处更易击穿，从而影响器件的耐压。

技术实现思路

1、为了解决或缓解现有技术中的问题。因此提出了一种耐压mosfet版图，包括：第一沟槽、第二沟槽、第一注入区、第二注入区、第三注入区和第四注入区；

2、所述第一沟槽和第二沟槽连通设置，所述第一注入区设置在所述第一沟槽的底部，所述第二注入区设置在所述第一沟槽之间，所述第四注入区设置在第二沟槽之间，所述第三注入区设置在第四注入区中，其中，所述第一注入区、第二注入区和第四注入区的掺杂类型相同，所述第一注入区、第二注入区和第四注入区分别与第三注入区的掺杂类型不同；

3、所述第一沟槽中设置有栅极接触孔，所述第三注入区中设置有源极接触孔，所述第一沟槽的深度大于第二沟槽的深度。

4、第二方面，本申请实施例还提供了一种通过第一方面所述的版图制备的mosfet芯片，包括：终端区和元胞区；

5、所述终端区包括第一沟槽，所述第一沟槽底部设置有第一注入区；

6、所述元胞区包括第二沟槽，所述第二沟槽之间设置有第四注入区，所述第四注入区中设置有第三注入区；

7、所述第一沟槽和第二沟槽中填充有多晶硅，所述第一沟槽中设置有栅极接触孔，所述第三注入区中设置有源极接触孔，且所述源极接触孔的底部延申至第四注入区中，其中，所述第一注入区、第二注入区和第四注入区的掺杂类型相同，所述第一注入区、第二注入区和第四注入区分别与第三注入区的掺杂类型不同。

8、作为本申请一优选实施例，所述芯片的背面设置有漏极金属层，通过所述漏极金属层引出漏极。

9、作为本申请一优选实施例，所述第一注入区、第二注入区和第四注入区为p型，所述第三注入区为n型。

10、与现有技术相比，本申请实施例提供了一种耐压mosfet版图及mosfet芯片，本申请通过在深沟槽底部设置注入区以解决本申请中的技术问题。

技术特征：

1.一种耐压mosfet版图，其特征在于，包括：第一沟槽、第二沟槽、第一注入区、第二注入区、第三注入区和第四注入区；

2.通过如权利要求1所述的版图制备的mosfet芯片，其特征在于，包括：终端区和元胞区；

3.通过如权利要求1所述的版图制备的mosfet芯片，其特征在于，所述芯片背面设置有漏极金属层，通过所述漏极金属层引出漏极。

4.通过如权利要求1所述的版图制备的mosfet芯片，其特征在于，所述第一注入区、第二注入区和第四注入区为p型，所述第三注入区为n型。

技术总结本申请实施例提供了一种耐压MOSFET版图及MOSFET芯片，本申请通过在终端区的深沟槽底部设置注入区以解决本申请中的技术问题。技术研发人员：布凡,董建新,阮孟波受保护的技术使用者：上海韦尔半导体股份有限公司技术研发日：20231016技术公布日：2024/7/18