一种射频离子源中和器及离子束溅射沉积和刻蚀设备的制作方法

本技术涉及离子束溅射沉积和刻蚀，特别是一种射频离子源中和器及离子束溅射沉积和刻蚀设备。

背景技术：

1、离子束溅射沉积和刻蚀是一种具有较高加工精度的镀膜和刻蚀技术，其中，离子源中和器对镀膜质量和刻蚀质量影响较大。现有的离子束溅射沉积和刻蚀设备的离子源主要采用热灯丝型离子源中和器或射频离子源中和器，其中，受限于灯丝的使用寿命和工作温度，使热灯丝型离子源中和器实用性较差。

2、现有的射频离子源中和器虽然整体具有较长的使用寿命，但由于连续工作时，受制于散热性能，射频离子源中和器工作时的内部温度较高，完成镀膜或刻蚀操作后，需要等待内部温度降至规定范围内时，才能够再进行后续加工操作，使得应用了射频离子源中和器的离子束溅射沉积和刻蚀设备加工效率较低。

技术实现思路

1、本实用新型实施例要解决的技术问题在于，提供一种射频离子源中和器及离子束溅射沉积和刻蚀设备，以解决现有技术中射频离子源中和器散热性能较差的问题。

2、本实用新型公开了一种射频离子源中和器，包括中和器主体，以及套设在中和器主体上的环形冷却组件；环形冷却组件包括内壳、设置在内壳外圈的外壳，以使内壳和外壳之间形成有冷却间隙；冷却间隙内形成有冷却流道，以及与冷却流道连接的进液接口和出液接口，且从进液接口流入的冷却液分布在冷却间隙内，并能够从出液接口流出。

3、可选地，内壳的外圈的两端分别形成有第一环形凸起和第二环形凸起，且内壳的外圈形成有连接第一环形凸起和第二环形凸起的挡条，第一环形凸起上还连接有朝向第二环形凸起的第一导流条，第二环形凸起上还连接有朝向第一环形凸起的第二导流条，且第一导流条和第二导流条交错设置，以形成冷却流道。

4、可选地，第一导流条的长度占内壳长度的2/3至4/5，第二导流条的长度占内壳长度的2/3至4/5。

5、可选地，中和器主体包括气体隔离件、第一连接件、线圈组件和进气管路，第一连接件设置在气体隔离件与线圈组件之间；线圈组件包括反应腔、线圈和多个支撑件，反应腔与第一连接件连接，支撑件的一端与第一连接件连接，且支撑件上开设有第一安装槽，以使线圈卡合在第一安装槽内；气体隔离件内开设有气体流道，进气管路包括进气接口和出气接口，气体流道的两端分别与进气接口和出气接口连通，以使气体经进气管路和气体隔离件流入反应腔内。

6、可选地，内壳的一端开设有多个接电口，接电口处对应设置有卡合件，以固定经接电口布设的导线。

7、可选地，中和器主体还包括第二连接组件，第二连接组件包括第二连接件和盖板，盖板盖设在反应腔朝向第二连接件的一端，第二连接件与第一连接件通过紧固件连接，以使第二连接件盖合在盖板上；盖板上开设有与反应腔连通的导流孔。

8、可选地，第二连接件上开设有与导流孔连通的安装通孔，安装通孔的直径小于盖板的直径，且安装通孔的外圈设置有第二安装槽，以使盖板卡合在第二安装槽内。

9、可选地，中和器主体还包括挡板，挡板通过紧固件与第二连接件连接，且挡板上开设有与安装通孔连通的挡板通孔。

10、可选地，盖板通孔、安装通孔、挡板通孔和进气管路沿同一轴心设置。

11、本实用新型还公开了一种离子束溅射沉积和刻蚀设备，包括上述的射频离子源中和器。

12、与现有技术相比，本实用新型实施例提供的射频离子源中和器及离子束溅射沉积和刻蚀设备的有益效果在于：通过在中和器主体上套设环形冷却组件，将冷却液从进液接口注入后，冷却液沿冷却流道流动并从出液接口流出；其中，内壳和外壳构成的环形冷却组件形成了较大的散热面积，而沿冷却流道流动的冷却液能够起到均匀散热的效果，从而利用环形冷却组件和冷却液的配合使得中和器主体获得良好的散热效果，进而提升了射频离子源中和器的散热性能，以提高离子束溅射沉积和刻蚀设备的加工效率。

技术特征：

1.一种射频离子源中和器，其特征在于，包括中和器主体，以及套设在所述中和器主体上的环形冷却组件；

2.根据权利要求1所述的射频离子源中和器，其特征在于，所述内壳的外圈的两端分别形成有第一环形凸起和第二环形凸起，且所述内壳的外圈形成有连接所述第一环形凸起和所述第二环形凸起的挡条，所述第一环形凸起上还连接有朝向所述第二环形凸起的第一导流条，所述第二环形凸起上还连接有朝向所述第一环形凸起的第二导流条，且所述第一导流条和所述第二导流条交错设置，以形成所述冷却流道。

3.根据权利要求2所述的射频离子源中和器，其特征在于，所述第一导流条的长度占所述内壳长度的2/3至4/5，所述第二导流条的长度占所述内壳长度的2/3至4/5。

4.根据权利要求1所述的射频离子源中和器，其特征在于，所述中和器主体包括气体隔离件、第一连接件、线圈组件和进气管路，所述第一连接件设置在所述气体隔离件与所述线圈组件之间；

5.根据权利要求4所述的射频离子源中和器，其特征在于，所述内壳的一端开设有多个接电口，所述接电口处对应设置有卡合件，以固定经所述接电口布设的导线。

6.根据权利要求4所述的射频离子源中和器，其特征在于，所述中和器主体还包括第二连接组件，所述第二连接组件包括第二连接件和盖板，所述盖板盖设在所述反应腔朝向所述第二连接件的一端，所述第二连接件与所述第一连接件通过紧固件连接，以使所述第二连接件盖合在所述盖板上；

7.根据权利要求6所述的射频离子源中和器，其特征在于，所述第二连接件上开设有与所述导流孔连通的安装通孔，所述安装通孔的直径小于所述盖板的直径，且所述安装通孔的外圈设置有第二安装槽，以使所述盖板卡合在所述第二安装槽内。

8.根据权利要求7所述的射频离子源中和器，其特征在于，所述中和器主体还包括挡板，所述挡板通过紧固件与所述第二连接件连接，且所述挡板上开设有与所述安装通孔连通的挡板通孔。

9.根据权利要求8所述的射频离子源中和器，其特征在于，所述盖板通孔、所述安装通孔、所述挡板通孔和所述进气管路沿同一轴心设置。

10.一种离子束溅射沉积和刻蚀设备，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的射频离子源中和器。

技术总结本技术涉及离子束溅射沉积和刻蚀技术领域，特别是一种射频离子源中和器及离子束溅射沉积和刻蚀设备。该射频离子源中和器包括中和器主体，以及套设在中和器主体上的环形冷却组件；环形冷却组件包括内壳、设置在内壳外圈的外壳，以使内壳和外壳之间形成有冷却间隙；冷却间隙内形成有冷却流道，以及与冷却流道连接的进液接口和出液接口，且从进液接口流入的冷却液分布在冷却间隙内，并能够从出液接口流出。该射频离子源中和器能够解决现有技术中射频离子源中和器散热性能较差的问题。技术研发人员：李正磊,卓永生,杨方宝受保护的技术使用者：昂成精密仪器（深圳）有限公司技术研发日：20231130技术公布日：2024/7/18