Micro-LED检测设备的制作方法

本技术涉及光电装置的检测设备，尤其涉及一种micro-led检测设备。

背景技术：

1、micro-led显示具有高亮度、高显示密度、色域广、响应时间短等众多优点，是继lcd、oled之后的新一代显示技术。现有的micro-led显示屏的技术方案主要是基于巨量转移技术，即通过机械方法将rgb三种micro-led芯片转移到驱动面板上。接着再对集成好微显示芯片的面板进行光学、电学方面的检测，以检测出其中的异常芯片，通过芯片修复技术剔除这些异常芯片，更换上正常的micro-led芯片。

2、然而，micro-led芯片修复技术方法操作复杂，成本高昂，已经成为当前的瓶颈之一。如果能在巨量转移之前尽可能地检测出异常芯片，就可以有效提高生产良率，进而最大程度上减少使用芯片修复技术。然而，micro-led芯片尺寸十分微小，一张4英寸晶圆上通常有数十万乃至数百万颗micro-led芯片，传统的探针点测方法已经难以适用，因而需要寻找更高效的检测方法。

技术实现思路

1、本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种micro-led检测设备，其能够快速筛查出异常芯片并进行剔除。

2、为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种micro-led检测设备，包括从下到上依次设置的紫外面光源、透明基板、光罩板、滤光片、ccd检测探头，所述透明基板上放置有待测micro-led芯片，所述光罩板上设有与所述待测micro-led芯片所处位置相匹配的透光孔。

3、在一种实施方式中，所述透光孔的面积小于所述待测micro-led芯片的面积。

4、在一种实施方式中，所述透光孔的边缘距离所述micro-led芯片的边缘的垂直距离为3μm-20μm。

5、在一种实施方式中，所述紫外面光源为汞灯或紫外激光器；

6、所述紫外面光源的波长为在300nm～400nm。

7、在一种实施方式中，所述透明基板为玻璃基板或蓝宝石基板；

8、所述透明基板的紫外光透射率＞80％。

9、在一种实施方式中，所述光罩板除所述透光孔处外，其余位置均不能透过紫外光；

10、所述光罩板为石英光罩板。

11、在一种实施方式中，所述滤光片允许预设波长的幅射光通过，并吸收其他波长的幅射光。

12、在一种实施方式中，所述预设波长为所述待测micro-led芯片在正常工作电流下辐射光的波长。

13、在一种实施方式中，所述待测micro-led芯片的厚度为3μm-8μm。

14、在一种实施方式中，所述透明基板上放置有多个待测micro-led芯片，所述多个待测micro-led芯片间隔放置。

15、实施本实用新型，具有如下有益效果：

16、本实用新型提供的micro-led检测设备，包括从下到上依次设置的紫外面光源、透明基板、光罩板、滤光片、ccd检测探头，所述透明基板上放置有待测micro-led芯片，所述光罩板上设有与所述待测micro-led芯片所处位置相匹配的透光孔。当紫外面光源发出的紫外光照射到待测micro-led芯片上时，半导体材料中的发光中心获得能量跃迁到高能级，随后跃迁回低能级或基态，并辐射出特定波长的光子，本实用新型通过ccd检测探头检测这种特定波长幅射光的强度，并以此判断待测micro-led芯片的发光能力，进而快速筛查出异常芯片并进行剔除。

技术特征：

1.一种micro-led检测设备，其特征在于，包括从下到上依次设置的紫外面光源、透明基板、光罩板、滤光片、ccd检测探头，所述透明基板上放置有待测micro-led芯片，所述光罩板上设有与所述待测micro-led芯片所处位置相匹配的透光孔。

2.如权利要求1所述的micro-led检测设备，其特征在于，所述透光孔的面积小于所述待测micro-led芯片的面积。

3.如权利要求2所述的micro-led检测设备，其特征在于，所述透光孔的边缘距离所述micro-led芯片的边缘的垂直距离为3μm-20μm。

4.如权利要求1所述的micro-led检测设备，其特征在于，所述紫外面光源为汞灯或紫外激光器；

5.如权利要求1所述的micro-led检测设备，其特征在于，所述透明基板为玻璃基板或蓝宝石基板；

6.如权利要求1所述的micro-led检测设备，其特征在于，所述光罩板除所述透光孔处外，其余位置均不能透过紫外光；

7.如权利要求1所述的micro-led检测设备，其特征在于，所述滤光片允许预设波长的幅射光通过，并吸收其他波长的幅射光。

8.如权利要求7所述的micro-led检测设备，其特征在于，所述预设波长为所述待测micro-led芯片在正常工作电流下辐射光的波长。

9.如权利要求1所述的micro-led检测设备，其特征在于，所述待测micro-led芯片的厚度为3μm-8μm。

10.如权利要求1所述的micro-led检测设备，其特征在于，所述透明基板上放置有多个待测micro-led芯片，所述多个待测micro-led芯片间隔放置。

技术总结本技术公开了一种Micro‑LED检测设备，包括从下到上依次设置的紫外面光源、透明基板、光罩板、滤光片、CCD检测探头，所述透明基板上放置有待测Micro‑LED芯片，所述光罩板上设有与所述待测Micro‑LED芯片所处位置相匹配的透光孔。本技术提供的Micro‑LED检测设备能够快速筛查出异常芯片并进行剔除。技术研发人员：茹浩,张星星,林潇雄,胡加辉,金从龙受保护的技术使用者：江西兆驰半导体有限公司技术研发日：20231114技术公布日：2024/7/18