一种热能回收利用系统的制作方法

本技术涉及化工生产，特别涉及一种热能回收利用系统。

背景技术：

1、气相白炭黑是一种用途广泛的纳米级粉体材料，其生产工艺是利用氯硅烷经氢氧焰高温水解制得纳米级二氧化硅粉体。在高温水解的过程中产生大量的热能，不降温对产品质量和后续设备都有不利的影响，如直接降温不对这热能回收利用，将增加生产成本，造成大量的浪费。

技术实现思路

1、本实用新型实施例提供一种热能回收利用系统，以实现回收利用氯硅烷在高温水解时产生的大量热能，在回收热能的同时降低气相二氧化硅气固两相烟流气的温度，控制气相二氧化硅的质量保护后续设备，避免高温水解的过程中产生大量的热能，不降温对产品质量和后续设备都有不利的影响。

2、为了解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：

3、本实用新型实施例提供一种热能回收利用系统，包括：

4、气体输入管路和气体输出管路；

5、主管道，所述主管道的第一端与所述气体输入管路连通，相对的第二端与所述气体输出管路连通；

6、至少两组热能回收装置，所述至少两组热能回收装置间隔设置在所述主管道上；

7、第一冷凝器和第一冷凝水输出管路，所述第一冷凝器套设在所述主管道上，所述第一冷凝水输出管路与所述第一冷凝器连接；

8、其中，所述第一冷凝器和所述第一冷凝水输出管路设置在靠近所述气体输出管路的位置。

9、可选地，所述热能回收装置包括：

10、至少一个第二冷凝器和第二冷凝水输出管路，所述第二冷凝器设置在所述主管道上，所述第二冷凝水输出管路与所述第二冷凝器连接；

11、蒸汽产生装置，所述蒸汽产生装置与所述第二冷凝器相邻设置；

12、第一除氧水进口阀，与所述第二冷凝器连通；

13、第二除氧水进口阀，与所述蒸汽产生装置连通。

14、可选地，所述热能回收装置还包括：

15、蒸汽输出管路，所述蒸汽输出管路与所述蒸汽产生装置连接。

16、可选地，所述热能回收装置还包括：

17、除氧水溢流阀，所述除氧水溢流阀与所述蒸汽产生装置连接；

18、自动控制模块，所述自动控制模块与所述除氧水溢流阀连接；

19、其中，在所述自动控制模块接收第一信号时，向所述第二除氧水进口阀和所述除氧水溢流阀发送关闭信号；所述第一信号表示有水从所述除氧水溢流阀流出；在所述自动控制模块接收第二信号时，向所述第二除氧水进口阀发送打开信号；所述第二信号表示所述蒸汽产生装置内的水量低于预设阈值。

20、可选地，所述热能回收装置还包括：

21、除氧水排泄管路，所述除氧水排泄管路与所述蒸汽产生装置连接。

22、可选地，所述热能回收装置为两组，第一组的第二冷凝器设置于靠近所述气体输入管路的位置；

23、第一组的蒸汽产生装置与第二组的第二冷凝器相邻设置；

24、第二组的蒸汽产生装置设置于靠近所述气体输出管路的位置。

25、本实用新型的有益效果是：

26、上述技术方案中，该热能回收利用系统包括：气体输入管路和气体输出管路；主管道，主管道的第一端与气体输入管路连通，相对的第二端与气体输出管路连通；至少两组热能回收装置，至少两组热能回收装置间隔设置在主管道上；第一冷凝器和第一冷凝水输出管路，第一冷凝器套设在主管道上，第一冷凝水输出管路与第一冷凝器连接；其中，第一冷凝器和第一冷凝水输出管路设置在靠近气体输出管路的位置，本实用新型的方案，通过间隔设置在主管道上的至少两组热能回收装置，利用了氯硅烷在高温水解时产生的大量热能，在回收热能的同时降低气相二氧化硅气固两相烟流气的温度，控制气相二氧化硅的质量保护后续设备。

技术特征：

1.一种热能回收利用系统，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的热能回收利用系统，其特征在于，所述热能回收装置(4)包括：

3.根据权利要求2所述的热能回收利用系统，其特征在于，所述热能回收装置(4)还包括：

4.根据权利要求2所述的热能回收利用系统，其特征在于，所述热能回收装置(4)还包括：

5.根据权利要求2所述的热能回收利用系统，其特征在于，所述热能回收装置(4)还包括：

6.根据权利要求2所述的热能回收利用系统，其特征在于，所述热能回收装置(4)为两组，第一组的第二冷凝器(7)设置于靠近所述气体输入管路(1)的位置；

技术总结本技术提供了一种热能回收利用系统，涉及化工生产技术领域。该系统包括：气体输入管路和气体输出管路；主管道，主管道的第一端与气体输入管路连通，相对的第二端与气体输出管路连通；至少两组热能回收装置，至少两组热能回收装置间隔设置在主管道上；第一冷凝器和第一冷凝水输出管路，第一冷凝器套设在主管道上，第一冷凝水输出管路与第一冷凝器连接；其中，第一冷凝器和第一冷凝水输出管路设置在靠近气体输出管路的位置。本技术通过间隔设置在主管道上的至少两组热能回收装置，利用了氯硅烷在高温水解时产生的大量热能，在回收热能的同时降低气相二氧化硅气固两相烟流气的温度，控制气相二氧化硅的质量保护后续设备。技术研发人员：贺平,王三跃,左霖,孟宪伟,潘小龙,王纪康受保护的技术使用者：新疆晶硕新材料有限公司技术研发日：20230615技术公布日：2024/2/19