新型集成电路工艺的制作方法

本发明涉及金电镀层，具体是新型集成电路工艺。

背景技术：

1、金凸块电镀(gold bumping plating)被广泛应用在驱动ic封装领域，诸如cog(chip on glass)、cof(chip on film)封装方式，其中封装的引脚热压合程序与镀金层的硬度密切相关。

2、目前业界电镀金凸块主要使用氰化金钾(pgc/potassium gold cyanide)系列药水，搭配含铊与铅成分的硬度调整剂。其中含铊的药水所得镀层退火后硬度约在50~70维氏度(hv)，而含铅的药水所得镀层退火后硬度约在80~100维氏度(hv)，其分别适合各自不同产品封装时热压合所须的硬度。

3、然而，目前电镀金凸块的硬度需求有越来越高的趋势，许多的产品要求硬度在90维氏度(hv)左右，而传统的氰化金钾药水金镀层硬度只在50~70维氏度(hv)，显然无法满足使用需求。由于绿色环保意识的不断普及，同时某些较严苛要求的产品不得含铅，从而含铅的药水的使用受到了较大限制，从而目前亟需一种能够提升金电镀层硬度的工艺。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供新型集成电路工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、本发明的技术方案是：一种新型集成电路工艺，具体包括如下步骤：

3、通过脉冲实验，确定出显著因子；

4、根据反应曲面法和显著因子，对脉冲电镀参数进行优化；

5、根据优化后的脉冲电镀参数，通过多段式脉冲电镀，缩短电镀时间。

6、更进一步地讲，确定出所述显著因子，具体如下：

7、根据相对设置的多组不同的脉冲参数数据，获取每组对应的脉冲波形图；

8、将每个所述脉冲波形图均与实际外观图片进行匹配；

9、对所述匹配结果进行方差分析，确定出筛选出的实际外观图片；

10、将所述筛选出的实际外观图片对应的脉冲参数数据，与剩余所述脉冲参数数据进行比较，确定出所述显著因子为断电时间和逆向时间。

11、更进一步地讲，所述脉冲实验中的脉冲参数数据包括但不限于正向时间、断电时间、逆向时间和逆向电流数据。

12、更进一步地讲，对所述脉冲电镀参数进行优化，具体如下：

13、根据所述显著因子，设置多组不同的对比数据；

14、获取每组所述数据对应的反应曲面法实验对应的波形图；

15、将所述反应曲面法实验对应的波形图和每组数据对应的多段式电镀结果进行比较，确定出最大硬度对应的比较结果，所述最大硬度对应的比较结果即为最优结果，所述最优结果对应的脉冲电镀参数即为最优脉冲电镀参数。

16、更进一步地讲，缩短所述电镀时间，具体如下：

17、获取所述优化后的脉冲电镀参数对应的正向时间、逆向时间、断电时间、正向电流和逆向电流；

18、根据所述正向时间、逆向时间、断电时间、正向电流和逆向电流，确定所述优化后的脉冲电镀参数对应的直流时间和交流时间；

19、逐步缩短所述直流时间和交流时间，并通过电流波形，确定出最短电镀时间。

20、本发明通过改进在此提供新型集成电路工艺，与现有技术相比，具有如下改进及优点：

21、本发明的新型集成电路工艺通过显著因子，使用反应曲面法进行参数最适化，以不含铅(含铊)的电镀药水，做出了硬度由81hv提升至88hv的金镀层，从而在确保产能前提下，提高了金镀层的硬度，扩大了适用范围。

技术特征：

1.一种新型集成电路工艺，其特征在于，具体包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的新型集成电路工艺，其特征在于，确定出所述显著因子，具体如下：

3.根据权利要求1所述的新型集成电路工艺，其特征在于，对所述脉冲电镀参数进行优化，具体如下：

4.根据权利要求1所述的新型集成电路工艺，其特征在于，缩短所述电镀时间，具体如下：

技术总结本发明涉及金电镀层技术领域，具体是一种新型集成电路工艺，具体包括如下步骤：通过脉冲实验，确定出显著因子；根据反应曲面法和显著因子，对脉冲电镀参数进行优化；根据优化后的脉冲电镀参数，通过多段式脉冲电镀，缩短电镀时间。本发明的新型集成电路工艺通过显著因子，使用反应曲面法进行参数最适化，以不含铅(含铊)的电镀药水，做出了硬度由81Hv提升至88Hv的金镀层，从而在确保产能前提下，提高了金镀层的硬度，扩大了适用范围。技术研发人员：郭剑云受保护的技术使用者：日月新半导体（昆山）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/4/17