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MEMS传感器的制作方法

  • 国知局
  • 2024-07-27 12:13:06

本实用新型涉及声电转换技术领域,更为具体地,涉及一种降低封装应力的MEMS传感器。

背景技术:

现有的MEMS传感器(如:压力传感器、MEMS麦克风),MEMS芯片通过胶与PCB板固定,由于MEMS芯片对封装应力较为敏感,MEMS芯片容易受到外界应力变化的影响,因此MEMS传感器对封装要求较高。

因此,为了降低MEMS芯片受到的封装应力,本实用新型提供了一种新的MEMS传感器。

技术实现要素:

鉴于上述问题,本实用新型的目的是提供一种MEMS传感器,以解决如何降低MEMS芯片受到的封装应力的问题。

本实用新型提供的MEMS传感器,包括外壳和PCB组成的封装结构,在封装结构内部PCB上设置有MEMS芯片和ASIC芯片;其中,

在PCB内部与MEMS芯片和ASIC芯片相对应的位置设置有空腔,并且在PCB上设置有所述MEMS芯片和ASIC芯片的一面设置有凹槽,其中,

凹槽与空腔的边缘相对应,并且与空腔相连通。

此外,优选的结构是,凹槽为L型。

此外,优选的结构是,凹槽的数量为1个、2个、3个或者4个。

此外,优选的结构是,MEMS芯片通过粘片胶与ASIC芯片相固定,

ASIC芯片通过粘片胶与PCB相固定。

此外,优选的结构是,在PCB上还设置有焊盘,焊盘用于与其他零件焊接。

此外,优选的结构是,在外壳上设置有外界连通的通孔。

从上面的技术方案可知,本实用新型提供的MEMS传感器,通过在PCB内部与MEMS芯片相对应的位置设置空腔,并且在PCB上设置凹槽,凹槽与空腔相连通,这种设计结构可以减少MEMS传感器在装配过程中芯片所受到的封装应力。

附图说明

通过参考以下结合附图的说明及权利要求书的内容,并且随着对本实用新型的更全面理解,本实用新型的其它目的及结果将更加明白及易于理解。

在附图中:

图1为根据本实用新型实施例的MEMS传感器的PCB俯视图;

图2为根据本实用新型实施例的MEMS传感器剖视图。

其中的附图标记包括:1、PCB,2、空腔,31、MEMS芯片,32、ASIC芯片,4、外壳,5、粘片胶,6、凹槽,7、焊盘,8、通孔。

在所有附图中相同的标号指示相似或相应的特征或功能。

具体实施方式

针对前述提出的现有的MEMS传感器在装配过程中MEMS芯片如何减少受到的封装应力的问题,为了降低MEMS芯片受到的封装应力,本实用新型提供了一种新的MEMS传感器。

以下将结合附图对本实用新型的具体实施例进行详细描述。

为了说明本实用新型提供的MEMS传感器的结构,图1至图2分别从不同角度对MEMS传感器的结构进行了示例性标示。具体地,图1为根据本实用新型实施例的MEMS传感器的PCB俯视图;图2为根据本实用新型实施例的MEMS传感器剖视图。

如图1和图2共同所示,本实用新型提供的MEMS传感器,包括外壳4和PCB1组成的封装结构,在封装结构内部PCB1上设置有MEMS芯片31和ASIC芯片32。

在PCB1内部与MEMS芯片31和ASIC芯片32相对应的位置设置有空腔2,并且在PCB1上设置有MEMS芯片31和ASIC芯片32的一面设置有凹槽6,其中,凹槽6与空腔2的边缘相对应,并且与空腔2相连通。

在图1所示的实施例中,凹槽的形状为L型,并且,凹槽的数量为4个,4个凹槽6均与空前2连通,并且,凹槽6设置在PCB上设置有芯片的一面,凹槽6与PCB1内部的空腔2的边缘相对应,即:空腔2与MEMS芯片31和ASIC芯片32相对应,MEMS芯片31和ASIC芯片32设置在4个凹槽6围成的范围内。应当知晓,在实际应用中,凹槽也可以为其他形状,均不影响本实用新型优点体现。

也就是说,当MEMS传感器在装配过程中,MEMS芯片31和ASIC芯片32装配在L型凹槽6围成的范围内时,由于L型凹槽6围成的区域的下方为空腔2,从而使得凹槽6围成的区域具有弹性作用,可以起到弹簧的作用,在装配过程中,能够减少MEMS芯片31和ASIC芯片32受到的封装应力,保证MEMS传感器的性能不会受到影响。

其中,需要说明的是,图1所示的实施例中的凹槽6数量为4个,在应用中,根据产品的实际需求,设置不同的数量的凹槽6,可以为1个,2个,3个或者4个,只要在能保证在MEMS传感器在装配过程中,MEMS芯片31和ASIC芯片32受到的封装应力最小即可,以保证产品的性能。

在MEMS传感器装配前,根据MEMS芯片31和ASIC芯片32受到的封装应力的仿真试验确定在实际应用中采用几个数量的凹槽6。如果在PCB内部不设置空腔,从封装应力的仿真试验中可以明显看出,MEMS芯片31和ASIC芯片32受到的封装应力在25-30之间;如果在在PCB内部设置空腔,并且设置与空腔相连通的凹槽,从封装应力的仿真试验中可以明显看出,MEMS芯片31和ASIC芯片32受到的封装应力在10-20之间。因此,在实际应用中,可以通过封装应力的仿真试验确定采用几个凹槽结合空腔对MEMS传感器进行封装。

在图2所示的实施例中,在外壳4与PCB1组成的封装结构,MEMS芯片31和ASIC芯片32设置在封装结构内部的PCB1上,其中,MEMS芯片31通过粘片胶5与ASIC芯片32相固定,ASIC芯片32通过粘片胶5与PCB1相固定。

另外,在本实用新型的实施例中,在外壳4上设置有通孔8,通孔8用于MEMS传感器与外界相连通。

此外,在本实用新型的一个具体的实施例中,在PCB1上还设置有焊盘7,其中,焊盘7用于与其他零件焊接。

通过上述实施方式可以看出,本实用新型提供的MEMS传感器,通过在PCB内部与MEMS芯片相对应的位置设置空腔,并且在PCB上设置凹槽,凹槽与空腔相连通,这种设计结构可以减少MEMS传感器在装配过程中芯片所受到的封装应力。

如上参照附图以示例的方式描述了根据本实用新型提出的MEMS传感器。但是,本领域技术人员应当理解,对于上述本实用新型所提出的MEMS传感器,还可以在不脱离本实用新型内容的基础上做出各种改进。因此,本实用新型的保护范围应当由所附的权利要求书的内容确定。

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