半导体装置封装及其制造方法与流程

本发明系关于一种半导体装置封装及一种制造该半导体装置封装之方法，且更特定言之，系关于一种具有微机电系统(mems)装置之半导体装置封装及其制造方法。

先前技术

对mems装置(诸如，mems晶粒)之封装要求相较于传统ic封装要求可复杂得多。包括mems装置之光学传感器封装借助于实例来描述。光学传感器封装应包括一孔径，以侦测透射光，且同时减少不欲之寄生光。寄生光指可对光学传感器造成干扰之任何入射光。允许特定波长范围内之光传递通过孔隙的mems晶粒，可被置放在光学传感器封装上或内并邻近于该孔径，诸如于该mems装置之盖子之外表面上或盖子之内表面上。

当mems晶粒藉由诸如取放(pickandplace)方式而置放于盖子之内表面上时，孔径与盖子侧壁之间需要大的相对距离，以避免在置放期间发生碰撞。或者，可使用特殊设备进行置放，但此特殊设备增加制造时间及成本。

另外，不欲之寄生光可能经由用以将mems晶粒黏附至盖子之黏接剂进入封装。为了增强传感器之敏感度，需要减少传感器所侦测到的寄生光。

技术实现要素：

在一实施例中，一种半导体装置封装包括一载体、安置于该载体上或内之一传感器组件、一盖体及一滤光器。该盖体包括一基底基板及一周边障壁。该基底基板包括一内侧壁。该基底基板之该内侧壁界定自该基底基板之顶面延伸至该基底基板之底面的一穿孔；该基底基板之该内侧壁之至少一部分倾斜。该周边障壁耦接至该基底基板之该底面，且安置于该载体之顶面上。该滤光器安置于该基底基板之该顶面上，且覆盖该穿孔。

在一实施例中，一种制造一半导体装置封装之方法包括：提供一载体，该载体具有安置于其上之传感器组件；及将一盖体附接至该载体，该盖体包括界定一穿孔之一基底基板，该盖体进一步包括一周边障壁。该盖体定位于该载体上，使得该盖体之该周边障壁接触该载体之一顶面。该方法进一步包括将一滤光器附接至该盖体之该基底基板之一顶面，使得该滤光器覆盖该穿孔。

图式简单说明

图1说明根据本发明之实施态样的半导体装置封装之横截面图。

图2a说明不欲寄生光之反射。

图2b说明根据本发明之实施态样所减少的不欲寄生光的反射。

图3说明根据本发明之实施态样的半导体装置封装之横截面图。

图4说明根据本发明之实施态样的半导体装置封装之横截面图。

图5a、图5b及图5c说明制造根据图3所示之实施态样之半导体装置封装的方法。

图6a、图6b及图6c说明制造根据图4所示之实施态样之半导体装置封装的方法。

图式及本文中使用共同的参考编号来指示相同或类似组件。本发明由以下详细描述结合随附图式而更为清楚。

实施方式

本发明描述适合于在不需要一或多个特殊设备之情况下制造较小传感器装置封装之技术。对于光学传感器之实施态样而言，所得传感器装置封装可减少传感器所侦测到的寄生光，因此可增强传感器的敏感度。

图1说明根据本发明之实施态样的半导体装置封装100之横截面图。半导体装置封装100包括载体10、传感器组件11、盖体12及滤光器13。

在一或多个实施态样中，载体10为包括晶粒垫及引线之预模制引线框。在一或多个实施态样中，该引线框为或包括铜或铜合金。在其他实施态样中，引线框包括以下各者中之一者或其组合：铁、铁合金、镍、镍合金，或另一金属或金属合金。在一或多个实施态样中，引线框涂布有银或铜层。

在一或多个实施态样中，载体10为基板。基板为，例如，印刷电路板(pcb)，诸如紙基铜箔层合物、复合铜箔层合物或经聚合物浸渍之玻璃纤维基底的铜箔层合物。基板可包括核心层，该核心层由双马来酰亚胺-三嗪(bismaleimide-triazine,bt)树脂或由玻璃加固之环氧树脂复合物(例如，fr-4复合物)制成。

在一或多个实施态样中，载体10为半导体晶粒。半导体晶粒可为，例如特殊应用集成电路(asic)晶粒。

在图1中所说明之实施态样中，传感器组件11，如红外线传感器，系安置于载体10之顶面10a上，以感测或侦测通过滤光器13传递之光。在另一实施态样中，传感器组件11安置于载体10内。传感器组件11电连接(如，藉由线接合或覆晶接合)至另一装置，诸如如图1所示电连接至处理器14或诸如连接至载体10之电极(图中未示)或其他电子装置。

盖体12安置于载体10之顶面10a上。盖体12包括基底基板121及周边障壁122。周边障壁122耦接至基底基板121之底面121b，且接触载体10之顶面10a。周边障壁122可与盖体12之基底基板121一体成形，或可作为独立于盖体12之组件。盖体12及载体10一起界定一空间以容纳并保护传感器组件11。

盖体12之基底基板121具有内侧壁121s。基底基板121之内侧壁121s界定自基底基板121之顶面121a延伸至基底基板121之底面121b的穿孔123。

在一或多个实施态样中，盖体12为或包括塑料。举例而言，盖体12可包括液晶聚合物、环氧树脂、聚邻苯二甲酰胺(ppa)树脂或其组合。在此等实施态样中，盖体12之基底基板121之内侧壁121s、顶面121a及/或底面121b可涂布反射材料，以供光反射并防止外部光经由盖体12进入半导体装置封装100。在一或多个实施态样中，反射材料为金属涂层；在其他实施态样中，反射材料为另一材料。

在其他实施态样中，盖体12为或包括用于光反射且防止外部光经由盖体12进入半导体装置封装100之金属。

用于盖体12或用于涂布于盖体12上之金属反射材料之金属可为不锈钢、铝(al)、金(au)、银(ag)、铜(cu)、镍(ni)或其他金属，或可为具有层状结构之金属复合物，诸如，不锈钢/ni/au、ni/ag、ni/au、不锈钢/cu/不锈钢及类似者。

滤光器13安置于基底基板121之顶面121a上且覆盖穿孔123。在一或多个实施态样中，取决于半导体装置封装100之所欲应用，滤光器13可经选择以允许在特定波长范围内之光通过。在一些实施态样中，传感器11为红外线传感器，且滤光器13允许红外线(例如，近红外线、中红外线或远红外线)通过，且可阻断具有其他波长之光。在一或多个实施态样中，滤光器13允许具有约5μm或以上之波长的红外线通过。

滤光器13可由合适材料制成，例如硅。

滤光器13可藉由，例如取放机(pickandplacemachine)而施放至基底基板121之顶面121a上，且因此，滤光器13(及周边障壁122)在置放期间不会遭受损害，如将滤光器13施放至基底基板121之底面121b上之状况一般。因此，孔径与内侧壁之间的距离可减小，而无需与置放技术相配合。

黏接剂(图中未示)可用以将滤光器13黏附至盖体12。

为了减少或最小化进入封装100的不欲寄生光(诸如自滤光器13之边缘经由黏接剂进入之光或不欲之非正入射光(如下文所描述))，使基底基板121之内侧壁121s成角度，如图1中所示。此方法之益处于图2a及图2b中讨论。

在一些实施态样中，传感器组件11划分成若干个感测区域，接收来自外部对象之对应区域之光，以识别外部对象之位置或形状。在此等实施态样中，期望大多数所接收光为正入射光(亦即，实质上垂直于传感器组件11之接收区域)，此系因非正入射光可引起传感器组件11之错误判断。非正入射光之一实例为来自外部对象左侧之光由位于传感器组件11右侧之感测区域所接收。

图2a说明在内侧壁121s1设置为垂直于基底基板121之顶面121a的情况下，不欲寄生光如何影响传感器组件11之敏感度。如图2a所示，不欲寄生光自封装100之右侧进入且在经由内侧壁121s1反射之后由传感器组件11接收，藉此减小传感器组件11之敏感度。

根据本发明，为了减少不欲寄生光，如图1所示，内侧壁121s以一角度(如图1所示之θ)倾斜。该角度小于约90度。

图2b展示对于图1之半导体装置封装100，由以一角度(如图2b所示之θ)倾斜之内侧壁121s产生之不欲寄生光反射。倾斜的内侧壁121s改变了反射光的路径，使得反射光被导向远离传感器组件11之方向。图2b中之传感器组件11相较于图2a中之传感器组件11接收更少不欲寄生光，且因此具有改良之敏感度。

可鉴于以下因素中之一或多者来调整或优化倾斜角度(θ)：内侧壁121s与最接近之传感器组件11之侧面11s间的距离、基底基板121之底面121b与传感器组件11之顶面11a之间的距离，及穿孔123之大小。在一或多个实施态样中，基底基板121之内侧壁121s相对于基底基板121之顶面121a以在约10°至小于约90°之间的角度(θ)倾斜，诸如约15°至约80°、约20°至约70°、约25°至约65°、约30°至约60°、约35°至约55°或约40°至约50°。在一或多个实施态样(例如，如图1所示)中，基底基板121之内侧壁121s相对于基底基板121之顶面以约45°的角度倾斜，诸如约42°至约48°。

在一或多个实施态样(例如，如图1所示)中，基底基板121之内侧壁121s之全部为倾斜的。在其他实施态样中，内侧壁121s之一部分以一角度倾斜，且一部分不倾斜。

图3说明根据本发明之实施态样的半导体装置封装300之横截面图。半导体装置封装300类似于图1所说明及描述的半导体装置封装100，除内侧壁121s'之一部分系实质上垂直于基底基板121之顶面121a且内侧壁121s'之一部分系倾斜以外。在图3之实施态样中，基底基板121之内侧壁121s'具有垂直部分s1及倾斜部分s2。

倾斜部分s2相对于基底基板121之顶面121a以约10°至小于约90°之间的角度(θ)倾斜，诸如约15°至约80°、约20°至约70°、约25°至约65°、约30°至约60°、约35°至约55°或约40°至约50°。在一或多个实施态样(例如，如图3所示)中，内侧壁121s'之倾斜部分s2相对于基底基板121之顶面以约45°的角度倾斜，诸如约42°至约48°。倾斜部分s2可改变不欲寄生光之路径，且减少由传感器组件11所接收到之不欲寄生性光的量。

垂直部分s1及倾斜部分s2(如图3所示)之组合可避免内侧壁121s与顶面121a之间的尖锐边缘，尖锐边缘可能发生在基底基板121之内侧壁121s全部为倾斜之实施态样(例如，如图1所示)中。此尖锐边缘在处理或制造期间可能较易断裂。为了进一步减小基底基板121边缘处断裂之潜在可能，可将边缘中之数个边缘修圆。举例而言，以下边缘中之一或多者可经修圆：内侧壁121s或121s'与顶面121a之间的边缘；垂直部分s1与倾斜部分s2之间的边缘；或倾斜部分s2与底面121b之间的边缘。

图4说明根据本发明之实施态样的半导体装置封装400之横截面图。半导体装置封装400类似于图1所描述之半导体装置封装100，其具有如图3所描述之盖体12，盖体12包括具有垂直部分s1及倾斜部分s2之内侧壁121s'，除了盖体12进一步包括一环绕滤光器13之部分以外。

盖体12包括基底基板121、周边障壁122及自基底基板121之顶面121a突出的部分124。突出部分124可与盖体12之基底基板121一体成形，或可作为独立于盖体12之组件。另外，如上文关于图1所描述，周边障壁122可与盖体12之基底基板121一体成形，或可作为独立于盖体12之组件。因此，盖体12可包括一个、两个或三个组件(例如，一个一体式组件121/122/124；一个一体式组件121/122及一个独立组件124；一个一体式组件121/124及一个独立组件122；或三个独立组件121、122、124)。

如关于图1所描述，盖体12之基底基板121界定自基底基板121之顶面121a延伸至基底基板121之底面121b的穿孔123。具体言之，在图4中所示之实施态样中，穿孔123由基底基板121之内侧壁121s'界定。

盖体12之突出部分124具有内侧壁124s，其界定一空间以容纳滤光器13；因此，可使滤光器更易对准。

在一或多个实施态样中，突出部分124之内侧壁124s实质上垂直于基底基板121之顶面121a。在其他实施态样中，突出部分124之内侧壁124s系倾斜。举例而言，内侧壁124s可相对于基底基板121之顶面121a以约10°至小于约90°之间的角度(α)倾斜，诸如约15°至约80°、约20°至约70°、约25°至约65°、约30°至约60°、约35°至约55°或约40°至约50°。在一或多个实施态样中，突出部分124之内侧壁124s相对于基底基板121之顶面121a以约45°之角度倾斜，诸如约42°至约48°。倾斜内侧壁124s可减少在滤光器13之置放期间滤光器13与突出部分124之间的碰撞。

由突出部分124之内侧壁124s所界定之该空间的一部分系经由黏接剂15填充，该黏接剂将滤光器13黏附至基底基板121之顶面121a，且将滤光器13贴附于该空间中。黏接剂15可为任何合适黏接剂。在一实施态样中，黏接剂为导电黏接剂。在一实施态样中，黏接剂包含黏合剂树脂及导电填充剂。举例而言，黏合剂树脂可为环氧树脂、聚酰亚胺、聚丙烯酸酯、聚氨脂或硅酮树脂，且导电填充剂可为碳黑、金属(例如，金、银、铜、铝、锌、铁或镍)、涂布有金属之粒子、导电化合物或其组合。在一个实施态样中，黏接剂包括选自以下之导电填充剂：碳黑、金属粒子、涂布有金属之粒子及其组合。黏接剂可经选择以将进入封装400的不欲寄生光最小化。

如关于图1所描述，盖体12可为塑料或金属，且盖体12可涂布有反射材料。细节可参照关于图1之描述。如亦关于图1及图3所描述，盖体12之基底基板121可分别具有倾斜内侧壁121s或包括倾斜部分s2之内侧壁121s'。细节可参照图1及图3之各别描述。倾斜内侧壁121s或内侧壁121s'之倾斜部分s2可改变不欲寄生光的路径且减少由传感器组件11接收到之不欲寄生光的量。如所提及，滤光器13藉由黏接剂15而附接至基底基板121之顶面121a，该黏接剂15填充由突出部分124之内侧壁124s所定义之空间的一部分中；且滤光器13覆盖穿孔123。相比于图1及图3中所示之实施态样，突出部分124及填充于由突出部分124之内侧壁124s所界定之空间中的黏接剂15不仅可固定滤光器13之位置，而且可保护滤光器13不受损害。

如关于图1所描述，在一或多个实施态样中，取决于半导体装置封装400之所欲应用，滤光器13可经选择以允许特定波长范围内之光通过。在一或多个实施态样中，传感器11为红外线传感器，且滤光器13允许红外线(例如，近红外线、中红外线或远红外线)通过且可阻断具有其他波长之光。

本发明之半导体装置封装(例如，如图1、图3及图4中所示)可应用至各种mems装置，诸如用于红外线摄影机、热电堆、手势传感器或近接传感器之mems装置。归因于界定穿孔123之内侧壁(例如，121s或121s')之设计，本发明中所描述之技术可增强传感器之敏感度。

图5a至图5c说明制造根据图3中所示之实施态样之半导体装置封装300的方法。在图5a中，提供载体10，该载体具有安置于其上或其中之传感器组件11。在图5b中，盖体12附接至该载体。盖体12包括界定穿孔123之基底基板121，且进一步包括周边障壁122。盖体12经设置使得周边障壁122接触该载体之顶面10a。在图5c中，滤光器13(例如)藉由黏接剂附接至基底基板121之顶面121a，且覆盖穿孔123。

根据图1中所示之实施态样的半导体装置封装100可以类似于图5a至图5c中针对半导体装置封装300所描述之方式来制造。

图6a至图6c说明制造根据图4中所示之实施态样之半导体装置封装400的方法。在图6a中，提供载体10，该载体具有安置于其上或其中之传感器组件11。在图6b中，盖体12附接至该载体10。盖体12包括界定穿孔123之基底基板121、周边障壁122，及自基底基板121之顶面121a突出的一部分124。该盖体12经设置使得周边障壁122接触该载体10之顶面10a。在图6c中，黏接剂15施加至至由盖体12之突出部分124之内侧壁124s所界定之空间中，且滤光器13置放于基底基板121之顶面121a上以覆盖穿孔123，滤光器13由黏接剂15黏附至基底基板121之顶面121a。如图6c(及图4)中可看出，突出部分124之内侧壁124s系自内侧壁121s'回缩，从而在基底基板121之顶面121a上留下陆棚区域(shelfarea)，供涂覆黏接剂15。藉由此技术，可更好地控制黏接剂之置放。

根据本发明之半导体装置封装可使用现有设备来制备，且其制造方式为具成本效益的。举例而言，盖体12可诸如藉由模制(例如，射出模制)来预成型；且滤光器13可诸如藉由半导体封装厂中现有之取放机而置放至盖体12之基底基板121之顶面121a，且在此置放期间可避免损害滤光器13。

本发明中所描述之技术可改良传感器之敏感度。

如本文所使用，术语「实质上」及「约」用以指明小变化。举例而言，当结合数值使用时，该等术语可指小于或等于彼数值之±10％的变化范围，诸如，小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％或者小于或等于±0.05％之变化范围。当结合事件或情况使用时，术语「实质上」及「约」可指该事件或情况之精确发生之例，以及该事件或情况大致接近地发生之例项。举例而言，「实质上垂直」可指90°之变化范围小于或等于±10％，诸如，小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％或者小于或等于±0.05％。

另外，有时在本文中数量、比率及其他数值系以范围之形式呈现。可理解，此类范围形式为了便利及简洁起见而使用，且应被灵活地理解为不仅包括明确地指定为范围限值之数值，而且包括涵盖于该范围内之所有个别数值或子范围，如同每一数值及子范围已明确地指定般。

虽然已参考本发明之特定实施态样描述并说明了本发明，但此等描述及说明并不限制本发明。熟习此项技术者可清楚地理解，可进行各种改变，且可在实施态样内取代等效组件而不脱离如由所附申请专利范围所界定之发明之真实精神及范畴。说明可不必按比例绘制。基于制造程序中之变量等等，本发明之技艺演译与实际装置之间可能存在差别。可能存在其他并未具体说明之本发明之实施态样。本说明书及图式应视为说明性而非限制性的。可作出修改，以使特定情形、材料、物质组成、方法或程序适于本发明之目标、精神及范畴。所有该等修改均在此处随附之申请专利范围之范畴内。尽管本文中所揭示之方法系以按特定次序执行之特定操作进行描述，但可理解的是，在不脱离本发明之教示的情况下组合、再分或重新定序此等操作以形成等效方法。因此，除非在本文中具体指示，否则操作之次序及分组并非本发明之限制。

符号说明

10载体

10a顶面

11传感器组件

11a顶面

11s最接近之侧面

12盖体

13滤光器

14处理器

15黏接剂

100半导体装置封装

121基底基板

121a顶面

121b底面

121s内侧壁

121s'内侧壁

121s1内侧壁

122周边障壁

123穿孔

124突出部分

124s内侧壁

300半导体装置封装

400半导体装置封装

s1垂直部分

s2倾斜部分