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MEMS样品纵向截面的制备方法及形貌观察方法与流程

  • 国知局
  • 2024-07-27 12:22:14

本发明涉及利用mems(micro-electro-mechanicalsystem,微机电系统)产品技术领域,特别是涉及一种mems样品纵向截面的制备方法,以及一种mems样品纵向截面的形貌观察方法。

背景技术:

利用mems技术制备的mems样品,需要对各个工艺步骤形成的结构进行形貌监控,一般是通过观察对mems样品的纵向截面的结构来进行形貌监控。

一种传统的制备mems样品的纵向截面的方式是对mems样品的侧面进行研磨,这种方式通常难以研磨到mems样品所需观察的结构,得到的能够观察纵向截面形貌的mems样品的成功率低,且研磨方式也效率低下。

另一种传统的制备mems样品的纵向截面的方式是利用聚焦离子束系统来形成mems样品的纵向截面,虽然可以提高制备效率,但是聚焦离子束系统发出的离子束可能难以均匀打到mems样品上,形成mems样品的纵向截面也会不平整,导致mems样品的层次结构也会不清晰,mems样品的纵向截面的形貌监控效果也差强人意。

目前是采用裂片的方式例如利用mc600裂片仪来制备mems样品的纵向截面,但目前的mems样品,一般器件结构中,如器件结构的表面会存在聚酰亚胺(简称pi)层,聚酰亚胺的黏性较大,制备mems样品的纵向截面时,会拉扯聚酰亚胺层,极可能使聚酰亚胺覆盖到mems样品的纵向截面,这样监控仪器例如sem(scanningelectronmicroscope,扫描电镜)就观察不到mems样品的纵向截面的形貌。

技术实现要素:

基于此,有必要提供一种mems样品纵向截面的制备方法以及mems样品纵向截面的形貌观察方法。

为了实现上述目的,本发明提供一种mems样品纵向截面的制备方法,包括:

获取mems样品;

冷却所述mems样品结构中的聚酰亚胺层;

对所述mems样品进行裂片处理,形成所述mems样品的纵向截面,露出需观察的层次结构。

上述mems样品纵向截面的制备方法,采用裂片的方式得到mems样品的纵向截面的成功率高,效率也高。对于存在聚酰亚胺层的mems样品,经冷却作用后,会使聚酰亚胺层变硬变脆,因此裂片处理mems样品时,最终形成的纵向截面也不容易粘上聚酰亚胺,因此就可以较为清晰的观察到mems样品纵向截面的形貌。

在其中一个实施例中,所述冷却所述mems样品结构中的聚酰亚胺层的步骤是:利用液氮冷却所述mems样品结构中的聚酰亚胺层。

在其中一个实施例中,所述获取mems样品的步骤包括:

利用金刚石对mems硅片进行裂片处理,从所述mems硅片中得到含有需要观察形貌区域的部分mems硅片;

按照目标尺寸,利用手动裂片仪对所述部分mems硅片进行裂片处理,形成为所述目标尺寸的所述mems样品。

在其中一个实施例中,利用手动裂片仪对所述部分mems硅片进行裂片处理之前的步骤包括:将所述部分mems硅片浸泡在液氮中,冷却所述部分mems硅片结构中的聚酰亚胺层。

在其中一个实施例中,所述将所述部分mems硅片浸泡在液氮中,冷却所述部分mems硅片表面的聚酰亚胺层之前的步骤包括:利用保温层包裹住所述部分mems硅片中不需要观察形貌的区域,并令剩余区域暴露在空气中;

所述将所述部分mems硅片浸泡在液氮中,冷却所述部分mems硅片结构中的聚酰亚胺层的步骤是:将所述部分mems硅片浸泡在液氮中,冷却暴露于空气中的所述部分mems硅片结构中的聚酰亚胺层;

所述将所述部分mems硅片浸泡在液氮中,冷却所述部分mems硅片表面的聚酰亚胺层之后的步骤包括:去除所述保温层;

所述按照所述目标尺寸,利用手动裂片仪对所述部分mems硅片进行裂片处理,形成为所述目标尺寸的所述mems样品的步骤则是在所述部分mems硅片中浸泡了液氮的区域内,形成为所述目标尺寸的所述mems样品。

在其中一个实施例中,所述对所述mems样品进行裂片处理,形成所述mems样品的纵向截面的步骤是利用mc600裂片仪对所述mems样品进行裂片,形成所述mems样品的纵向截面。

在其中一个实施例中,所述利用液氮冷却所述mems样品结构中的聚酰亚胺层的步骤包括:

在所述mc600裂片仪内装入液氮,利用所述mc600裂片仪对所述mems样品喷射液氮。

在其中一个实施例中,所述利用手动裂片仪对所述部分mems硅片进行裂片处理,形成所述mems样品的步骤是根据pcm图形,利用手动裂片仪对所述部分mems硅片进行裂片处理,形成所述mems样品。

在其中一个实施例中,所述按照所述目标尺寸,利用手动裂片仪对所述部分mems硅片进行裂片处理,形成所述mems样品的步骤包括:

获取mc600裂片仪所能处理器件的固有尺寸参数;

按照所述固有尺寸参数进行裂片处理,获取目标尺寸为所述固有尺寸参数的mems样品。为了实现上述目的,本发明还提供一种mems样品纵向截面的形貌观察方法,所述方法包括:

利用如上任一实施例中所述的方法形成mems样品的纵截面;

利用扫描电镜观察所述mems样品的纵截面形貌。

附图说明

图1为本发明一个实施例中的mems样品纵向截面的制备方法的流程示意图;

图2为本发明一个实施例中的步骤102的流程示意图;

图3为本发明另一个实施例中的mems样品纵向截面的制备方法的流程示意图;

图4为本发明一个具体实施例中的mems样品纵向截面的制备方法的流程示意图;

图5为本发明一个实施例中的利用扫描电镜得到的mems样品的纵截面形貌的示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。

图1为本申请一个实施例中的mems样品的制备方法的流程示意图。请参阅图1,本申请实施例中的mems样品纵向截面的制备方法,以利用液氮冷却mems样品结构中的聚酰亚胺层、且mems样品具有目标尺寸为例说明,包括以下步骤:

步骤102,获取为目标尺寸的mems样品。因本申请实施例后续裂片步骤中通常是利用裂片仪,例如mc600裂片仪来对mems样品进行裂片处理,形成mems样品的纵向截面,通常裂片仪对需要裂片的器件的尺寸有一定的要求。例如,对于mc600裂片仪,mems样品的尺寸应为20mm*10mm,mc600裂片仪为一种精密芯片裂片系统。具体地,请参阅图2,可采用如下步骤得到为目标尺寸的mems样品:

步骤202,利用金刚石对mems硅片进行裂片处理,从而形成含需要观察形貌区域的部分mems硅片。

具体可以是利用金刚石材料制成的金刚笔对mems硅片施加应力,使得mems硅片裂开而得到需要进行形貌监控的该部分mems硅片。

步骤204,按照目标尺寸,利用手动裂片仪对该部分mems硅片进行裂片处理,形成为目标尺寸的mems样品。

该目标尺寸可以是mc600裂片仪所能处理器件的固有尺寸参数。那么,具体地,本步骤可获取mc600裂片仪所能处理器件的固有尺寸参数,然后利用手动裂片仪,按照固有尺寸参数对该部分mems硅片进行裂片处理,形成目标尺寸为该固有尺寸参数的mems样品。

本步骤可根据pcm图形(工艺控制图形),利用手动裂片仪对该部分mems硅片进行裂片处理,形成mems样品。pcm图形上设有直通式划片槽,手动裂片仪是按着pcm图形上的直通式划片槽,从该部分mems硅片裂片形成mems样品。

其中一个实施例中,请参阅图3,在步骤204之前,包括步骤302,即将该部分mems硅片浸泡在液氮中,冷却该部分mems硅片结构中的聚酰亚胺层。mems硅片结构中存在聚酰亚胺层,具体地,mems硅片结构的表面可存在聚酰亚胺层,mems硅片结构内部也可以存在聚酰亚胺层。

本实施例,形成mems样品的纵向截面之前经过了两次液氮冷却处理。利用手动裂片仪得到mems样品之前会对该部分mems硅片进行液氮冷却处理,然后后续步骤对mems样品再次进行液氮冷却处理后才得到mems样品的纵向截面,避免mems样品从手动裂片仪取出后置于空气会让聚酰亚胺层升温。

其中一个实施例中,请参阅图4,将该部分mems硅片浸泡在液氮中,冷却该部分mems硅片结构中的聚酰亚胺层之前的步骤包括:步骤402,利用保温层包裹住该部分mems硅片不需要观察形貌的区域,并令剩余的区域暴露在空气中。将该部分mems硅片浸泡在液氮中,冷却该部分mems硅片表面的聚酰亚胺层之后的步骤包括:步骤404,去除保温层。保温层具体可为气凝胶。

那么,将该部分mems硅片浸泡在液氮中,冷却该部分mems硅片表面的聚酰亚胺层的步骤是:将该部分mems硅片浸泡在液氮中,冷却该部分mems硅片中暴露于空气中mems硅片结构中的聚酰亚胺层。然后利用手动裂片仪对该部分mems硅片进行裂片处理,获取目标尺寸的mems样品的步骤则是在该部分mems硅片中浸泡了液氮的区域内,按照目标尺寸利用手动裂片仪进行裂片处理,从该部分mems硅片中形成为目标尺寸的mems样品。

本实施例,是从该部分mems硅片中浸泡了液氮的区域内,得到mems样品,对于该部分mems硅片中其他不需要观察形貌的区域则是被保温层覆盖,且还被裂片出来。如此,由于保温层的作用,可以防止暂时不需要观察形貌的mems硅片被冻穿,避免对该mems硅片的后续观察产生影响。

步骤104,利用液氮冷却mems样品结构中的聚酰亚胺层。其他实施例中,可以采用本领域其他惯用冷却方式冷却mems样品结构中的聚酰亚胺层。

该mems样品结构中含聚酰亚胺层,具体地,mems样品结构的表面可存在聚酰亚胺层,mems样品结构内部也可以存在聚酰亚胺层。

本步骤可以对mems样品喷射液氮,冷却mems样品结构中的聚酰亚胺层。

其中一个实施例中,可以对mems样品的整个表面喷射液氮,以冷却mems样品结构中所有的聚酰亚胺层。

其他实施例中,也可以对mems样品表面的局部区域喷射液氮,冷却该局部区域的聚酰亚胺层。该局部区域下存在要观察形貌的层次结构,其他区域的聚酰亚胺层可以不进行冷却,例如可以利用保温层覆盖就可以不被冷却。例如,要观察的是目标mems器件中的中间区域的层次结构,可以冷却正对中间区域上的聚酰亚胺层,其他区域则覆盖保温层。本实施例,对局部区域的聚酰亚胺层冷却处理,即便最终得到的mems样品剖面结构上不需要观察形貌的区域有聚酰亚胺粘连,也不会影响该局部区域的纵截面形貌观察。且对不需要观察形貌的区域,用保温层覆盖,可以保护该区域的结构不被冻穿,避免对该区域结构的后续观察产生影响。步骤106,对冷却了聚酰亚胺层的mems样品进行裂片处理,形成mems样品的纵向截面,露出需观察的层次结构。然后,利用扫描电镜观察该mems样品的纵截面形貌。在其中一个实施例中,步骤104和步骤106均可以在mc600裂片仪中进行,可以在mc600裂片仪内装入液氮,利用mc600裂片仪对mems样品喷射液氮,冷却mems样品结构中的聚酰亚胺层,然后利用该mc600裂片仪对mems样品裂片处理,形成mems样品的纵向截面。

本申请一个具体实施例中,先利用金刚笔对直径为8英寸的硅片进行手动裂片处理,取出含有需要观察形貌的部分mems硅片,8英寸的硅片可以是一个8英寸的mems硅片。然后用保温层包裹住该部分mems硅片中不需要观察形貌的区域,剩余60mm*20mm区域暴露在空气中。然后把该部分mems硅片浸泡到液氮中约十秒,该部分mems硅片中暴露在空气中的区域被冷却,被保温层覆盖的区域则不被冷却。然后,利用手动裂片仪在该部分mems硅片中冷却区域内取出目标尺寸为20mm*10mm的目标mems器件,并放入mc600裂片仪中,mc600裂片仪中对20mm*10mm的目标mems器件喷射液氮,冷却2秒后,对20mm*10mm的目标mems器件进行裂片处理,得到目标mems器件的纵向截面,露出需观察的层次结构,形成mems样品,后续则是观察mems样品的纵向截面的形貌,以监控mems样品的层次结构。

本申请的mems样品纵向截面的形成方法,采用裂片的方式得到mems样品的需观察的层次结构的纵向截面成功率高,效率也高。且因为常压下液氮温度一般可以低至-196℃,因此,对于存在聚酰亚胺层的mems样品,经液氮的低温作用冷却后,聚酰亚胺层会变硬变脆,因此在对mems样品进行裂片时,最终形成的纵向截面也不容易粘上聚酰亚胺,因此有利于清晰的观察到mems样品纵向截面的形貌。

本申请实施例还提出一种mems样品纵截面形貌的观察方法,可以利用如上任一实施例中的方法形成mems样品的纵截面,然后利用扫描电镜观察mems样品的纵截面形貌,以对mems样品各工艺步骤形成的层次结构进行监控。

mems样品可以是完成了工艺流程的成品,也可以是还未完成工艺流程的半成品。图5中的显示屏上,显示的就是利用扫描电镜得到的mems样品的纵截面形貌的示意图。图5中的该mems样品是还未完成工艺流程的半成品,该mems样品结构内聚酰亚胺层,上表面间隔排列的是曝光显影后保留的光刻胶,利用该光刻胶执行后续的工艺流程。从图5中可以看出,mems样品的纵截面没粘连聚酰亚胺层,形貌轮廓较清晰。

mems样品为半成品时,观察mems样品的纵截面形貌可以监控前序工艺是否合格,以指导后续的mems器件的生产。如合格,后续就可以按照这些工艺正式生产mems器件。例如该mems样品刚完成淀积sin,如观察的sin层次结构合格,说明淀积的工艺也是合格的,后续正式生产mems器件要淀积sin时就可以用制备该样品时的sin淀积工艺。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

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