锡膏阻流电镀引线和MEMS-MIC电路板的制作方法

本实用新型涉及电路板技术领域，更为具体地，涉及一种锡膏阻流电镀引线和mems-mic电路板。

背景技术：

mems-mic(microelectromechanicalsystems-microphone，微型机电系统-麦克风)电路板是一个独立的智能系统，其尺寸在几毫米，可大批量生产，mems-mic电路板在大批量生产制造时，为了实现在电镀时每个电路板单体的电流导通，使镀层材料在所有电路板单体都能电镀，在电路板单体之间设计有电镀引线，以便将各电路板单体电连接。

图1为现有的mems-mic电路板单体之间的电镀引线示意图，如图1所示，在mems-mic电路板单体的外周设置有环形焊盘，每个电路板单体的焊盘之间均连接有十字形电镀引线，以便将各电路板单体电连接。十字形电镀引线的四个直角的顶点均可作为封装的aoi(automatedopticalinspection，自动光学检测)工序定位基准点。aoi是基于光学原理来对焊接生产中遇到的常见缺陷进行检测的设备。

mems-mic在麦克风单元封装的时候，需要在电路板单体外周的焊盘上涂锡膏，将麦克风单体的外壳贴装在电路板单体上，再进行回流焊，实现麦克风单体外壳与焊盘的焊接。

但是，锡膏易顺着金属流动，在电路板单体外周的焊盘上涂锡膏后，金属材质的电镀引线会导致锡膏在不同的电路板单体之间通过电镀引线流通，导致锡膏量的不均匀问题，及麦克风单体外壳内外壁爬锡不良、锡膏不均匀。

不仅mems-mic电路板单体在批量生产时具有电镀引线，而且其他具有焊盘的pcb(printedcircuitboard，印刷电路板)在批量生产时也具有电镀引线，也会存在pcb焊盘上的锡膏顺着电镀引线流向其他pcb单体的问题。

因此，亟需一种能够阻断锡膏在电路板单体之间流动的电镀引线。

技术实现要素：

鉴于上述问题，本实用新型的目的是提供一种锡膏阻流电镀引线和mems-mic电路板，以阻止回流焊时锡膏通过电镀引线在电路板单体之间流动，从而防止mems-mic封装过程中锡膏量不均匀和爬锡不良问题。

本实用新型提供的一种锡膏阻流电镀引线，包括第一连接段、第二连接段和中间连接段，所述中间连接段两端分别与所述第一连接段、第二连接段以预定的角度连接，所述第一连接段和所述第二连接段未与所述中间连接段连接的一端分别连接不同的电路板单体；并且，在所述中间连接段上设置有锡膏阻流部。

优选的，所述锡膏阻流部为覆盖在中间连接段上的阻焊层。

优选的，所述锡膏阻流部设置在中间连接段的中间位置。

优选的，所述锡膏阻流部包覆所述中间连接段长度的1/3～3/4。

优选的，所述第一连接段和第二连接段长度相同。

优选的，所述第一连接段和第二连接段平行。

优选的，所述第一连接段和第二连接段平行且长度相等。

优选的，所述预定的角度为直角、钝角或锐角。

本实用新型还提供了一种mems-mic电路板，包括电路板本体、设置在所述电路板本体上的电路板单体以及连接在所述电路板单体之间的电镀引线，所述电镀引线为上述的锡膏阻流电镀引线。

从上面的描述可知，本实用新型提供的锡膏阻流电镀引线，具有锡膏阻流部，能够消除回流焊时锡膏通过电镀引线在电路板单体之间流动，以至引起的锡膏量不均匀和爬锡不良问题，同时电镀引线的中间连接段和第一连接段、第二连接段的连接处角的顶点可以作为aoi工序的定位基准点。

附图说明

通过参考以下结合附图的说明及权利要求书的内容，并且随着对本实用新型的更全面理解，本实用新型的其它目的及结果将更加明白及易于理解。

在附图中：

图1为现有技术中mems-mic电路板单体之间的电镀引线示意图；

图2为根据本实用新型实施例一的锡膏阻流电镀引线的结构示意图；

图3为实施例一的锡膏阻流电镀引线的放大图；

图4为根据本实用新型实施例二的锡膏阻流电镀引线的放大图；

图5为根据本实用新型实施例三的锡膏阻流电镀引线的放大图；

其中：1-电镀引线、2-锡膏阻流部、3-电路板单体、4-焊盘、11-第一连接段、12-第二连接段、13-中间连接段。

在所有附图中相同的标号指示相似或相应的特征或功能。

具体实施方式

在下面的描述中，出于说明的目的，为了提供对一个或多个实施例的全面理解，阐述了许多具体细节。然而，很明显，也可以在没有这些具体细节的情况下实现这些实施例。在其它例子中，为了便于描述一个或多个实施例，公知的结构和设备以方框图的形式示出。

实施例一

图2为根据本实用新型实施例一的锡膏阻流电镀引线的结构示意图。

如图2所示，本实施例提供的锡膏阻流电镀引线1，包括第一连接段11、第二连接段12和中间连接段13，中间连接段13两端分别与第一连接段11、第二连接段12以预定的角度连接，第一连接段11和第二连接段12未与中间连接段13连接的一端分别连接不同的电路板单体3；并且，在中间连接段13上设置有锡膏阻流部2。

图3为本实施例提供的锡膏阻流电镀引线的放大图。

如图3所示，锡膏阻流部2可为覆盖在中间连接段13上的阻焊层，在中间连接段13上铺设或者包覆一层阻焊剂形成阻焊层作为锡膏阻流部2，阻焊层可以设置在中间连接段13的中间位置，但不限于设置在中间连接段13的中间位置，可包覆中间连接段13长度的1/3～3/4，但是不能覆盖整个中间连接段13，要留出中间连接段13两端与第一连接段11、第二连接段13的连接角，作为aoi工序定位基准点。

本实施例中，第一连接段11和第二连接段12长度相同而且平行，但不限于第一连接段11和第二连接段12长度相同也不限于第一连接段11和第二连接段平行12。

第一连接段11、第二连接段12与中间连接段13之间预定的角度均为直角。

当在电路板单体3外周的焊盘4上涂上锡膏后，锡膏顺着电镀引线1流动时，本实施例中的锡膏阻流部2能够阻止锡膏在电镀引线1继续流动，避免了因电镀引线1引起的锡膏在电路板单体3之间的流通，导致的锡膏量不均匀和爬锡不良问题。第一连接段11与中间连接段13形成的直角的顶点和第二连接段12与中间连接段13形成的直角的顶点均可作为外壳封装的aoi工序定位基准点。

实施例二

图4为根据本实用新型实施例二的锡膏阻流电镀引线的放大图。

如图4所示，在实施例一的基础上，第一连接段11、第二连接段12与中间连接段13之间预定的角度均为钝角。

当在电路板单体3外周的焊盘4上涂上锡膏后，锡膏顺着电镀引线1流动时，本实施例中的锡膏阻流部2能够阻止锡膏在电镀引线1继续流动，避免了因电镀引线1引起的锡膏在电路板单体3之间的流通，导致的锡膏量不均匀和爬锡不良问题。第一连接段11与中间连接段13形成的钝角的顶点和第二连接段12与中间连接段13形成的钝角的顶点均可作为外壳封装的aoi工序定位基准点。

实施例三

图5为根据本实用新型实施例三的锡膏阻流电镀引线的放大图。

如图5所示，在实施例一的基础上，第一连接段11、第二连接段12与中间连接段13之间预定的角度均为锐角。

当在电路板单体3外周的焊盘4上涂上锡膏后，锡膏顺着电镀引线1流动时，本实施例中的锡膏阻流部2能够阻止锡膏在电镀引线1继续流动，避免了因电镀引线1引起的锡膏在电路板单体3之间的流通，导致的锡膏量不均匀和爬锡不良问题。第一连接段11与中间连接段13形成的锐角的顶点和第二连接段12与中间连接段13形成的锐角的顶点均可作为外壳封装的aoi工序定位基准点。

实施例四

本实施例提供一种mems-mic电路板单体之间的电镀引线，包括实施例一或实施例二或实施例三的任意一种锡膏阻流电镀引线。

当在mems-mic电路板单体3外周的焊盘4上涂上锡膏后，锡膏顺着电镀引线1流动时，本实施例中的锡膏阻流部2能够阻止锡膏在电镀引线1继续流动，避免了因电镀引线1引起的锡膏在电路板单体3之间的流通，导致的锡膏量不均匀和封装外壳爬锡不良问题。第一连接段11与中间连接段13形成的角的顶点和第二连接段12与中间连接段13形成的角的顶点均可作为外壳封装的aoi工序定位基准点。

实施例五

本实施例提供一种mems-mic电路板，包括电路板本体、设置在电路板本体上的电路板单体3以及连接在电路板单体3之间的电镀引线1，其中的电镀引线1即为上述实施例中所描述的锡膏阻流电镀引线。前面已经对锡膏阻流电镀引线的结构做了详细描述，故在此不再一一说明。

通过上述技术方案可以看出，本实用新型提供的锡膏阻流电镀引线，能够解决长期以来电路板焊盘上的锡膏在焊接过程中易顺着电镀引线流向其他电路板焊盘的问题。

如上参照附图以示例的方式描述根据本实用新型的锡膏阻流电镀引线和mems-mic电路板。但是，本领域技术人员应当理解，对于上述本实用新型所提出的锡膏阻流电镀引线和mems-mic电路板，还可以在不脱离本实用新型内容的基础上做出各种改进。因此，本实用新型的保护范围应当由所附的权利要求书的内容确定。