微机电系统和纳米机电系统结构的制作方法

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年3月14日申请的美国临时申请号62/642,985的权益，其全部内容出于所有目的通过引用结合在此。

本发明一般来说涉及微机电系统(“mems”)、纳米机电系统(“nems”)和制造mems和nems的方法。更具体来说，本发明涉及制造亚微米特征。

背景技术：

低成本lcd制造方法提供用于构建大型和大数组mems和nems结构的可行替代方案。在这些结构中，薄膜晶体管(tft)和附接的集成电路可提供用于感测和致动的电子装置。

lcd制造通常使用光微影，但微影能力滞后于标准cmos制作设施。因此，当mems或nems装置需要窄线宽或其他特征时，低成本lcd制造方法不如cmos替代方案。

技术实现要素：

本发明提供以低成本产生具有亚微米特征的mems或nems装置的方法。某些实施例利用边缘或侧壁方法来图案化低于微影程序的微影限制的结构。如本文中所公开，可使用蚀刻停止层来分离不同层当中的相依。分离相依可有利地允许改良的图案转印精确度和材料选择的较大灵活性。

在某些实施例中，一种制造mems或nems结构的方法包含：提供堆栈、侧壁层、蚀刻停止层和模。所述堆栈包含在平面中延伸的结构层；所述侧壁层包含第一部分，其位于平行于所述结构层平面的平面中，和第二部分，其位于横切于所述结构层平面的平面中，所述蚀刻停止层定位于所述侧壁层与所述结构层之间，所述蚀刻停止层包含不同于所述结构层的蚀刻选择性和所述侧壁层的蚀刻选择性的蚀刻选择性；所述模包括平行于所述侧壁层的第二部分的壁；蚀刻所述侧壁层的第一部分以曝露所述蚀刻停止层；去除所述模；蚀刻所述蚀刻停止层使得所述侧壁层的第二部分遮蔽所述蚀刻停止层的一部分；去除所述侧壁层的第二部分；和蚀刻所述结构层使得所述蚀刻停止层的所述部分遮蔽所述结构层的一部分。

在某些实施例中，提供所述结构包含将所述侧壁层黏着至所述蚀刻停止层且将所述蚀刻停止层黏着至所述结构层。

在某些实施例中，提供结构包含将所述侧壁层黏着至所述模使得所述侧壁层的第二部分被黏着至所述模；且将所述侧壁层黏着至所述蚀刻停止层使得所述侧壁层的第一部分被附接至所述蚀刻停止层。

在某些实施例中，所述方法进一步包含在去除所述侧壁层的第一部分之后去除所述模。

在某些实施例中，所述方法包含使用微影程序图案化所述模。在某些实施例中，所述侧壁层的第二部分较所述微影程序的微影限制薄。

在某些实施例中，提供结构包含将牺牲层定位于所述结构层与基板之间。在某些实施例中，所述方法进一步包含在蚀刻所述结构层之后去除所述牺牲层。在某些实施例中，提供所述堆栈包含：提供所述基板；在提供所述基板之后，将所述牺牲层黏着至所述基板；在将所述牺牲层黏着至所述基板之后，将所述结构层黏着至所述牺牲层；在将所述结构层黏着至所述牺牲层之后，将所述蚀刻停止层黏着至所述结构层；在将所述蚀刻停止层黏着至所述结构层之后，将所述模黏着至所述蚀刻停止层；在将所述模黏着至所述蚀刻停止层之后，使用微影程序图案化所述模；和在图案化所述模之后，将所述侧壁层黏着至所述模和所述蚀刻停止层。在其中使用微影程序图案化所述模的实施例中，所述微影程序具有微影限制。在某些实施例中，所述侧壁层的第二部分较所述微影程序的所述微影限制薄。由于这个第二部分的大小控制(部分地)所述结构层的剩余部分的宽度，因此所述剩余部分可有利地较所述微影程序的所述微影限制窄。

在某些实施例中，所述方法进一步包含：提供玻璃基板；将所述结构层的所述部分附接至所述玻璃基板；和将辐射热计像素附接至所述结构层的所述部分。

在某些实施例中，所述方法进一步包含提供mems或nems装置和将所述蚀刻停止层的所述部分附接至所述mems或nems装置。

在某些实施例中，所述结构层的所述部分小于250nm宽。

在某些实施例中，一种制造机电系统结构的方法包含：提供第一材料；沉积第二材料，其扩散至所述第一材料中以形成第三材料；和去除所述第一材料和所述第三材料中的一个。

在某些实施例中，提供第一材料包含在基板上沉积所述第一材料。在某些实施例中，所述第二材料和第三材料不扩散至所述基板中。

在某些实施例中，所述第一材料是非晶硅且所述第二材料是金属。在某些实施例中，所述方法包含在所述第二材料的扩散之前退火所述第二材料。在某些实施例中，所述金属是镍。

在某些实施例中，去除所述第一材料和所述第三材料中的一个包含去除所述第一材料且去除所述第三材料。

在某些实施例中，沉积所述第二材料包含在所述第一材料上沉积分离第一间隔的多个第二材料特征。在某些实施例中，所述第二材料扩散至所述第一材料中以形成分离小于所述第一间隔的第二间隔的多个第三材料特征。在某些实施例中，去除所述第一材料导致分离小于所述第一间隔的间隙的多个第三材料特征。在某些实施例中，去除所述第三材料导致具有小于所述第一间隔的宽度的多个第一材料特征。

在某些实施例中，沉积分离所述第一间隔的所述多个第二材料特征包含：在所述第一材料上沉积多个第四材料特征，每一个具有等于所述第一间隔的宽度；在所述第一材料和所述第四材料上沉积所述第二材料，使得当所述第二材料扩散至所述第一材料中时，所述第三材料在层内尺寸上生长且在跨层尺寸上由所述第四材料约束；和去除所述第四材料。

在某些实施例中，提供所述第一材料包含提供第一材料的模。在某些实施例中，沉积所述第二材料包含在所述模的一侧上沉积所述第二材料。在某些实施例中，所述第二材料透过所述模的所述侧扩散至所述第一材料中。

在某些实施例中，提供所述第一材料包含在不同于其中所述第二材料扩散至所述第一材料中的所述侧的所述模的一侧上提供第四材料。在某些实施例中，沉积所述第二材料包含在所述第四材料上沉积所述第二材料。

在某些实施例中，一种方法使用具有微影限制的微影程序，所述方法包含：提供第一材料的层；沉积第二材料的层使得所述第二材料扩散至所述第一材料中以形成第三材料；和去除所述第一材料或所述第三材料中的一个以保留小于所述微影限制的特征大小或特征间隙。

在某些实施例中，沉积所述第二材料包含使用所述微影程序沉积具有小于所述微影限制的间隙的多个第二材料特征。

在某些实施例中，提供所述第一材料包含使用所述微影程序沉积所述第一材料的模。在某些实施例中，沉积所述第二材料包含在所述模的一侧上沉积所述第二材料。在某些实施例中，所述第二材料扩散至所述模的所述侧上的所述第一材料中。

在某些实施例中，一种方法包含提供玻璃基板；将未去除的第一材料或第三材料(自本文中所阐述的所述方法中的任一个)附接至所述玻璃基板；和将辐射热计像素附接至所述未去除的第一材料或第三材料。

在某些实施例中，一种方法包含提供机电系统装置且将所述未去除的第一材料或第三材料(自本文中所阐述的所述方法中的任一个)附接至所述机电系统装置。在某些实施例中，所述未去除的第一材料或第三材料小于250nm宽。

在某些实施例中，辐射热计包含玻璃基板；结构，其小于250nm宽和辐射热计像素，其耦合至所述结构。

某些实施例利用材料扩散来图案化低于微影程序的微影限制的结构。这些实施例可有利地使用质量限制转换程序来界定亚微影特征。在某些实施例中，所述特征被用作用于后续制作的屏蔽或被用作活性材料。

在某些实施例中，辐射热计包含：玻璃基板；结构，其自本文中所阐述的制造方法中的任一个制造；和辐射热计像素，其耦合至所述结构。

在某些实施例中，一种制造方法包含：使用lcd-tft程序制造mems或nems装置；通过本文中所阐述的所述方法中的任一个制造结构；和将所述结构耦合至所述mems或nems装置。

附图说明

图1图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法。

图2图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法。

图3图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法。

图4a-h图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法。

图5图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法。

图6图解说明根据实施例的辐射热计。

图7a-b图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法。

图8图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法。

图9a和图9b图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法。

图10图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法。

图11图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法。

图12图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法。

图13图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法。

图14图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法。

图15图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法。

图16图解说明根据实施例制造机电系统的方法1600。

具体实施方式

在以下实施例的说明中，参考形成本发明的一部分且其中通过图解说明的方式展示可实践的特定实施例的附图。应了解，可以在不违背所公开实施例的范围的情形下，使用其他实施例且可作出结构性改变。

本发明提供以低成本产生具有亚微米特征的mems或nems装置的方法。某些实施例利用边缘或侧壁来图案化低于微影程序的微影限制的结构。如本文中所公开，可使用蚀刻停止层来分离不同层当中的相依且改良图案转印精确度。分离相依可有利地允许改良的图案转印精确度和材料选择的较大灵活性。

图1图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法100。方法100包含提供堆栈102，蚀刻侧壁层的平行部分以曝露蚀刻停止层104，去除模106，蚀刻蚀刻停止层使得侧壁层的横切部分遮蔽蚀刻停止层的一部分108，去除侧壁层的横切部分110，且蚀刻结构层使得蚀刻停止层的部分遮蔽结构层的一部分112。在某些实施例中，提供堆栈包含提供：(1)结构层，其在平面中延伸；(2)侧壁层，其包含横切部分和平行部分，所述横切部分位于横切于结构层平面的平面中且所述平行部分位于平行于结构层平面的平面中；(3)蚀刻停止层，其定位于侧壁层与结构层之间，蚀刻停止层包含不同于结构层的蚀刻选择性和侧壁层的蚀刻选择性的蚀刻选择性；和(4)模，其包括平行于侧壁层的第二部分的壁。在某些实施例中，侧壁层、结构层和蚀刻停止层彼此邻接，在某些实施例中，模邻接侧壁层和蚀刻停止层，且在某些实施例中，额外层定位于蚀刻停止层与侧壁层之间、结构层与蚀刻停止层之间、蚀刻停止层与模之间或侧壁层与模之间。

如本文中所使用，“蚀刻选择性”可理解为是指不同材料对特定蚀刻剂或蚀刻程序的相对蚀刻速率。当针对既定蚀刻剂或蚀刻程序，两种材料的蚀刻速率不同时，那么所述材料具有不同蚀刻选择性。举例来说，针对同一蚀刻剂，一种材料层可相对快地蚀刻且另一材料层可相对慢地蚀刻或根本不蚀刻。在某些实施例中，侧壁层、结构层和蚀刻停止层的材料可经选择使得一种蚀刻剂对于侧壁层具有高蚀刻速率且对于蚀刻停止层具有低蚀刻速率，且另一蚀刻剂对于蚀刻停止层具有高蚀刻速率且对于结构层具有低蚀刻速率。通过添加具有不同蚀刻选择性的蚀刻停止层，本文中的实施例可有利地消除或减少结构层与侧壁层之间的相依。这可以进一步允许结构层选择的较大灵活性且进一步允许针对不同结构层材料重新使用制造方法。

在某些实施例中，侧壁层的平行部分位于所述层的平面中。在某些实施例中，侧壁层的横切部分不位于与平行部分相同的平面中。在某些实施例中，横切部分与平行部分的平面成90度，且在其他实施例中，横切部分处于不同角度。在某些实施例中，横切部分处于30度与130度之间的角度。

在某些实施例中，蚀刻一个层包含各向异性蚀刻一个层。在某些实施例中，在去除平行部分之后去除模。在某些实施例中，在去除平行部分之前去除模。

在某些实施例中，去除模包含以蚀刻停止层和侧壁层的选择性蚀刻模。蚀刻停止层可有利地减少结构层的蚀刻选择性(在模去除期间)。在无蚀刻停止层的情形下，模蚀刻也必须针对结构层具选择性。这可能影响结构层的选择，这将是不利的，这是因为结构层应针对其作为mems或nems结构的最终功能而优化；调节模蚀刻选择性可减少针对结构层的可用选项。

在某些实施例中，侧壁层、模和蚀刻停止件材料经选择以达成既定横切部分轮廓，例如角度或底脚。在某些实施例中，模高度经选择以达成足以转印图案的横切部分高度。在某些实施例中，模角度经选择以达成侧壁层的充分步阶覆盖和均匀性。

在某些实施例中，横切部分围绕模形成回路。在某些实施例中，回路经分解以形成单独的结构构件。在某些实施例中，可在侧壁层的蚀刻期间封盖模。

在某些实施例中，所述方法包含使用微影程序图案化模，且侧壁层的横切部分较微影程序的微影限制薄。在某些实施例中，微影限制可以理解成可在相关联微影程序中界定的最窄线。在某些实施例中，微影限制是1μm。在这些实施例中，结构层的剩余部分具有小于微影限制的宽度。

在某些实施例中，激光从经沉积层切削模。用于提供具有平行于横切部分的壁的模的其他程序在本发明的范围内。在某些实施例中，横切部分是模壁的侧壁使得横切部分邻接模壁。

在某些实施例中，提供结构包含将侧壁层黏着至蚀刻停止层且将蚀刻停止层黏着至结构层。在某些实施例中，将侧壁层/蚀刻停止层黏着至蚀刻停止层/结构层包含在蚀刻停止层/结构层上沉积侧壁层/蚀刻停止层。在某些实施例中，蚀刻选择性经选择使得转印图案是精确的且不需要高的横切部分(这可有利地减少阴影效应)。

在某些实施例中，结构层的部分小于250nm宽。在某些实施例中，图案的“宽度”可以理解成所述图案在图案层(也就是说形成图案的层)的纵向尺寸上的尺寸。在某些实施例中，结构层的部分小于10nm宽。在某些实施例中，层的“厚度”可以理解成垂直于所述层的纵向尺寸的层的尺寸。

应了解，方法100(或本文中所阐述的任何方法)不需要所陈述的步骤次序。举例来说，方法100中去除侧壁层的横切部分108可以在蚀刻结构层之前或之后执行。

图2图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法200。方法200可结合方法100来执行。举例来说，方法200可执行为方法100的步骤102的一部分。在这些实施例中，提供结构包含将侧壁层黏着至模使得侧壁层的横切部分被黏着至模202，且将侧壁层黏着至蚀刻停止层使得侧壁层的平行部分被附接至蚀刻停止层204。

图3图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法300。方法300可结合方法100来执行。举例来说，方法300可执行为方法100的步骤102的一部分。在这些实施例中，提供堆栈102包含将牺牲层定位于结构层与基板之间302。在某些实施例中，方法300进一步包含在蚀刻结构层之后去除牺牲层304。在某些实施例中，提供堆栈102包含：提供基板；在提供基板之后，将牺牲层黏着至基板；在将牺牲层黏着至基板之后，将结构层黏着至牺牲层；在将结构层黏着至牺牲层之后，将蚀刻停止层黏着至结构层；在将蚀刻停止层黏着至结构层之后，将模黏着至蚀刻停止层；在将模黏着至蚀刻停止层之后，使用微影程序在蚀刻停止层上图案化模；和在将模黏着至蚀刻停止层之后，将侧壁层黏着至模和蚀刻停止层，其中侧壁层的横切部分较微影程序的微影限制薄。

图4图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法400。在图4(a)中，添加模402、蚀刻停止件404、结构层406、牺牲层408和基板410。可以足以产生图解说明的堆栈的任何次序来添加层。可以通过沉积或其他机制来添加层。在某些实施例中，首先提供基板410，然后在基板410上沉积牺牲层408，然后在牺牲层408上沉积结构层406，然后在结构层406上沉积蚀刻停止件404，且使用微影图案化模402。在某些实施例中，模的高度由如实地将窄图案转印至蚀刻停止件404所需的侧壁层的横切部分高度来判定。在某些实施例中，模402的壁角度经准备以达成侧壁层408的充分步阶覆盖和均匀性。

在某些实施例中，需要充分步阶覆盖和均匀性以在去除侧壁层的平行部分之后使得侧壁层的横切部分留存在模上。可需要侧壁层的某种过蚀刻，这可以去除横切侧壁中的某些。在某些实施例中，为了蚀刻均匀性而使用矩形剩余横切侧壁且这可能需要良好步阶覆盖均匀性(举例来说，与阔叶轮廓相比，其中侧壁的上部分较下部分自模壁延伸较远)。在某些实施例中，当去除模时，底脚处的步阶覆盖对于充分地锚定横切部分是重要的。举例来说，如果底脚处的步阶覆盖是不足的，那么平行和横切区段相交的拐角可不利地含有弱化底脚的空隙。

在图4(b)中，侧壁层412经添加以形成围绕模402的横切部分412(b)和蚀刻停止件404上的平行部分412(a)。平行部分412(a)位于平行于结构层的平面的平面中且横切部分412(b)位于横切于结构层的平面的平面中。在某些实施例中，侧壁层的厚度界定最终结构的宽度。在某些实施例中，侧壁层412的厚度是介于50nm与1μm之间。在某些实施例中，侧壁层的厚度是介于50nm与250mm之间。

在某些实施例中，横切部分412(b)自蚀刻停止件404的表面至其他表面延伸约0.5μm。在某些实施例中，横切部分412(b)自蚀刻停止件404至其他表面延伸约2μm、3μm或5μm。

横切部分412(b)在横切方向上延伸远离平行部分412(a)的平面。横切部分412(b)中的至少某些者较平行部分412(a)距结构层406更远。

在某些实施例中，横切部分412(b)的厚度由平行部分412(a)的厚度乘以覆盖因子而判定。在某些实施例中，横切部分覆盖因子是介于0.1与1.0之间。

在某些实施例中，模402是非晶硅、各种有机材料(聚酰亚胺、光阻剂)、钼、一种氧化物或一种氮化物。在某些实施例中，模402是介于0.5μm与5μm厚之间。

在某些实施例中，在平面中沉积蚀刻停止件404。在某些实施例中，蚀刻停止件404是氧化铝、另一种氧化物、硅、一种氮化物或金属(例如，钼、铬、钨)。在某些实施例中，蚀刻停止件404的材料经选择以提供对模402、结构层406和侧壁层412的良好蚀刻选择性。在某些实施例中，蚀刻停止件404经选择以提供对结构层406的良好蚀刻选择性，且模402和侧壁412经选择以提供对蚀刻停止件404的良好蚀刻选择性。举例来说，在某些实施例中，结构层406分别是硅或金属且蚀刻停止件404分别是金属或硅，且模402和侧壁层412经选择以互补经选择蚀刻停止件404。以此方式，蚀刻停止件404可有利地减少结构层406与侧壁层412之间的相依。减少相依允许结构层406和侧壁层412的材料的较宽泛选择且允许程序的较宽泛选择；蚀刻停止件404允许选择适合于结构部分(406a，下文阐述)的功能而不受侧壁层412和模402的限制的材料和程序。蚀刻停止件404还可以有利地提供较好的图案转印，特定来说，较深结构图案(在无蚀刻停止件404的情形下，此将需要较长蚀刻且因此较大横切部分)。

在某些实施例中，蚀刻停止件404是介于5nm至1μm厚之间。

在某些实施例中，在平面中沉积结构层406。在某些实施例中，结构层406是金属、硅、一种氧化物或一种氮化物。特定实例包含氮化钛、铟锡氧化物、氮化硅、铟锌氧化物或非晶硅。结构层406的厚度可取决于由所得结构服务的功能。在某些实施例中，结构层406的厚度是介于0.01μm至10μm之间。

在某些实施例中，在平面中沉积牺牲层408且其是聚酰亚胺、钼、硅、碳、二氧化硅、锗或铝。在某些实施例中，牺牲层408的厚度是介于0.1μm至10μm之间。

在某些实施例中，基板410是平坦的且其是硅、玻璃、不锈钢或塑料。在某些实施例中，基板410的厚度是介于0.05mm至5mm之间且基板410的宽度是从0.5英寸直径至3mx3m。

本发明通篇所阐述的层可通过各种方法来沉积。这些方法包含但不限于cvd(化学汽相沉积)、溅镀和蒸镀。

在某些实施例中，将屏蔽放置于模402上方使得侧壁层412不延伸跨越模402(也就是说仅侧壁层的横切部分接触模)的顶部(如图4中所展示)。在某些实施例中，屏蔽是第二模层，其提供对横切部分的额外蚀刻选择性。第一模层可有利地提供大多数厚度而无需高蚀刻选择性。

在图4(c)中，侧壁层412接收各向异性蚀刻，从而导致所展示的轮廓(平行部分412a被去除；横切部分412b留存)。在某些实施例中，各向异性蚀刻具有对蚀刻停止件404和模402的良好选择性。在某些实施例中，用材料封盖模402以提供额外蚀刻选择性(见上文)。在某些实施例中，侧壁层412、模402和蚀刻停止件404的材料性质界定可达成的横切部分轮廓，例如角度和底脚。

在图4(d)中，模402被去除。在无蚀刻停止件402的情形下，这一蚀刻将需要对结构层406的选择性。本文中所阐述的实施例可提供较大灵活性和精确度，这是因为结构层406需要针对其最终功能而优化；调节其他层的蚀刻选择性可削弱或损害那种最终功能。通过添加蚀刻停止件402，所述结构层的蚀刻选择性不是侧壁层的蚀刻期间的考虑。

在图4(e)中，横切部分图案被转印至蚀刻停止件402以形成蚀刻停止件图案404a。在某些实施例中，蚀刻停止件图案404a的宽度由侧壁层的横切部分412b的厚度判定(见上文给出的例示性尺寸)。由于蚀刻停止件402可以是极薄的(在某些情形中，<10nm)，因此图案转印可以是精确的。在某些实施例中，此精度可有利地减少横切部分的高度，这可以其他方式在蚀刻停止件402的蚀刻期间形成阴影效应。作为进一步优点，本文中所阐述的实施例可减少结构层406的过蚀刻。

在图4(f)中，横切部分412b被去除，从而保留经图案化蚀刻停止件404a。在某些实施例中，重复步骤(a)至(f)以将逻辑“和”图案添加至蚀刻停止件404以沿着2个尺寸(例如，点)形成窄结构。在某些实施例中，使用多个蚀刻停止层。在某些实施例中，在同一层上形成额外蚀刻停止件图案。这可有利地减少双图案结构层406的需要。举例来说，可使用这一方法来形成极其细小的点。

在图4(g)中，蚀刻停止件图案404a被转印至结构层406，停止在牺牲材料上以形成结构图案406a。这一薄蚀刻停止件404a可有利地帮助精确图案转印。在某些实施例中，结构图案406a的宽度由蚀刻停止件图案404a的宽度判定(见上文给出的例示性尺寸)。

在图4(h)中，蚀刻停止件图案404a被去除。在某些实施例中，摒弃蚀刻停止件图案404a。在其他实施例中，在进一步处理中使用蚀刻图案404a以利用蚀刻停止件的所期望机械性质、电性质或化学性质。举例来说，蚀刻图案404a可用于表面钝化、或者电或热绝缘或传导，作为红外线吸收体或用于机械支撑。最后，去除牺牲层408以释放独立式结构406a。

图5图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法500。在某些实施例中，方法500是结合方法100来执行。方法500包含提供玻璃基板502，将结构层的部分(例如，通过方法100中的步骤110产生的结构层的一部分或使用方法800中的第一材料或第三材料中的一个形成的特征)附接至玻璃基板504，和将辐射热计像素附接至结构层的部分506。本文中所阐述的方法在玻璃基板制造程序中可能是有利的，这是因为玻璃微影能力中的均匀性受到限制。作为进一步优点，玻璃具有高热能力且因此玻璃基板是大的热存储器；通过制造分离辐射热计像素与玻璃基板的薄结构，本文中的实施例可更好地充当玻璃基板与辐射热计像素之间的热绝缘体。

在某些实施例中，方法500进一步包含提供mems或nems装置且将蚀刻停止层的部分附接至mems或nems装置。

图6图解说明根据实施例的辐射热计600。辐射热计600包含玻璃基板606、结构604和辐射热计像素602；结构604小于250nm宽且耦合至玻璃基板606，辐射热计像素602耦合至结构604。在辐射热计600的某些实施例中，结构604是热分离作用区域与玻璃的铰链。

在某些实施例中，辐射热计包含玻璃基板、结构和辐射热计像素；所述结构从本文中所阐述的方法中的任一个制造且耦合至玻璃基板，所述辐射热计像素耦合至结构。

在某些实施例中，辐射热计包含通过lcd-tft制造程序制造的mems或nems装置和通过本文中所阐述的方法中的任一个制造的结构。在某些实施例中，结构是本文中所阐述的蚀刻停止件部分。

图7图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法700。在某些实施例中，侧壁702围绕模704以形成完整回路；结构特征经配置以形成完整回路(图7(a))，左侧和右侧分别是俯视图和侧视图)。在其他实施例中，本文中所阐述的蚀刻停止件或结构层不形成回路且相反地形成单独的结构构件。

在某些实施例中，使用(举例来说)灰度级微影来形成楔状模(图7(b)左侧和右侧分别是俯视图和侧视图)。在这些实例中，当沉积侧壁层712时，侧壁的高度围绕模714而变化。在模的楔的底部，不存在侧壁，因此不形成回路。沿着其他两侧，侧壁高度逐渐变小。自此一侧壁转印至蚀刻停止层的图案的长度将取决于侧壁与蚀刻停止层之间的选择性。

本文中所阐述的侧壁方法可通过使用经沉积膜厚度以平面内尺寸形成亚微米特征大小而有利地克服设计规则限制。这些方法可利用沉积与蚀刻程序之间的各向异性差异：在经图案化模层上方各向同性地沉积靶标材料且后续接着各向异性蚀刻，使得留存在经界定模特征之侧上沉积的材料。一旦模层被去除，剩余的侧壁材料便具有由模长度、膜厚度和模高度控制的长度、宽度和高度尺寸。

图8图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法800。方法800包含提供第一材料802，沉积第二材料804以形成第三材料；和去除第一材料和第三材料中的一个806。在某些实施例中，方法800有利地利用质量限制转换程序以界定亚微影特征。这些特征可用作用于后续制作的屏蔽或活性材料自身。有利地，质量限制转换程序是时间相依的：第三材料的量可由反应物的开始量控制。

为形成第三材料，在某些实施例中，第二材料扩散至第三材料中。在这些实例中，在第一材料上的第二材料的有限沉积允许第二材料扩散至第一材料中且形成第三材料，其是第一与第二材料的组合且可在层内尺寸上生长超出第二材料的宽度。在某些实施例中，能量被添加至系统(例如，透过通过退火的升温)以起始至第一材料中的第二材料的扩散。第三材料的膨胀和生长继续直至第一或第二材料耗尽。在能量添加的实施例中，膨胀和生长可通过去除能量控制。举例来说，当添加热时，第三材料的生长可继续直至温度下降低于第三材料的形成温度或扩散是小的温度。能量添加和控制的其他实例包含管理系统中的压力和/或添加材料以致使(例如，化学反应)第一和第二材料(开始扩散)中的一个的材料改变。

第三材料具有对第一材料的蚀刻选择性，借此准许选择性地去除第一或第三材料。在某些实施例中，去除第一材料和第三材料中的一个806包含去除第一材料且去除第三材料。在某些实施例中，方法800包含去除残余第二材料(例如，不扩散至第一材料中的第二材料)。

在某些实施例中，提供第一材料802包含在基板上沉积第一材料，其中第二材料和第三材料不扩散至基板中。基板可有利地在跨平面方向上提供扩散障壁，从而迫使转换程序横向地发生。(在某些实施例中，第一材料或第二材料本质上促成胜于跨平面扩散的平面内扩散。)在某些实施例中，基板是玻璃。其他材料(例如(举例来说)氮化硅和氮化钛)可用作扩散障壁。

在某些实施例中，第一材料是非晶硅且第二材料是金属。非晶硅可提供胜于用于第一材料的其他选项的某些优点。举例来说，非晶硅与硅化物之间存在优异蚀刻选择性，高缺陷密度降低快速扩散剂(例如ni⁴)的扩散速率，且非晶态结构未给予较佳的扩散方向，从而致使均匀的横向扩散。在某些实施例中，金属是镍。镍对于这一程序方法可能是有利金属，这是因为其是晶性硅中的快速间隙扩散剂。在使用非晶硅的实施例中，镍的快速扩散可因非晶硅中的缺陷而减少(且借此更好地控制)。

在某些实施例中，第二材料包含镍、氧、氮、硼、磷和砷中的一个。某些实施例可包含在第二材料的扩散之前退火第二材料(举例来说，退火金属)。在其中第一材料是非晶硅且第二材料是镍的实施例中，用于镍硅化物的转换温度低于300℃，这是有利地低于用于cmos程序的最高温度。

图9a图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法900。方法900是方法800的特定实例，将非晶硅用作第一材料904且将金属用作第二材料902。方法900还包含作为基板906的玻璃。尽管已阐述非晶硅、金属和玻璃，应了解，可使用其他材料。

在方法900中，在定位于玻璃基板906上的非晶硅薄膜904上图案化金属902。金属902扩散(举例来说，在退火后)且与非晶硅904反应以形成硅化物908。反应在所有方向上继续但由非晶硅层下方的扩散障壁(玻璃)限制。因此，反应被迫横向地继续直至金属源被用尽。结果是呈非晶硅矩阵的硅化物图案，具有原始金属图案的形状和中心位置，但以量lsili在每一横向尺寸上扩展。微影界定的金属与所得硅化物的平面内尺寸之间的差异可用以形成和界定亚微影特征。

可使用以下关系式来计算一个尺寸上的硅化物相对于金属边缘的横向扩展长度lsili：

其中wm是金属/曝露的特征的宽度，tm是金属厚度，且tsi是非晶硅厚度。这一方程式(其可对应于图9a中绘示的2d示意图)假定完全转换，没有留存残余金属。由于不存在针对任何既定硅化物的经消耗金属和硅的相等量，因此硅化物特定修正因子csi可提供更多可预测性。

在某些实施例中，方法包含使用具有微影限制的微影程序。在这些实施例中，去除第一材料和第三材料中的一个分别保留小于微影限制的特征大小或特征间隙。

在某些实施例中，沉积第二材料包含在第一材料上沉积分离第一间隔的多个第二材料特征，使得第二材料扩散至第一材料中以形成分离小于第一间隔的第二间隔的多个第三材料特征。去除第一材料导致分离小于第一间隔的间隙的多个第三材料特征。去除第三材料导致具有小于第一间隔的宽度的多个第一材料特征。

图9b图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法920。在方法920中，以间距“a”图案化金属922。在金属922与非晶硅924反应之后，经图案化硅化物928之间的所得间距是a'(a'<a)。如图9b中所展示，去除非晶硅或硅化物导致正或负图案转印，其中前者形成沟渠(间隙)且后者形成条带。假定原始间距“a”设定为微影限制，任一所得特征(沟渠或条带)尺寸小于微影限制。

返回至方程式1，lsili与金属与可用非晶硅和与金属层的宽度的比两个成比例。这些相依可致使图案相关的结果。举例来说，考虑方法920。金属线的宽度可由以下关系式限制：

其中“a”是经沉积金属特征之间的边缘至边缘距离，且a'是所期望硅化物特征之间的边缘至边缘距离。假定“a”是既定微影程序的分辨率限制，那么金属宽度和金属/si比可由以下关系式限制：

和

图10图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法1000和1020。方法1000演示用于使用方法800形成层的连续部分的程序。在方法1000中，在第一材料1004上图案化第二材料1002以在第二材料特征之间保留间隙。当第二材料1002与第一材料1004反应时，反应扩展以填充第二材料1002特征之间的间隙，从而导致第三材料1008的连续部分。方法1020演示用于在第三材料1028中制成所期望宽度a1'的特征的程序。在方法1020中，分离各种间隙(a2、a3、…)的第二材料1022的额外图案组合以与第一材料1024反应以不保留间隙(a2'、a3'、…＝0)且在别处第一和第二材料组合以提供非零间隙a1'。

图11图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法1100。方法1100可同时形成在两个平面内尺寸上小于微影限制的特征。本文中所阐述的方法中的任一个可与方法1100搭配使用。方法1100图解说明第一材料1104，其中在第一材料1104上图案化第二材料1102。在两个尺寸上图案化第二材料1102，其中特征在一个尺寸上分离间隙“a”且在另一尺寸上分离间隙“b”；第二材料1102和第一材料1104组合以分别以间隙a'和间隙b'制成第三材料1108。轮廓1110重复左侧影像中的第二材料1102的轮廓且经提供以图解说明二维第二材料图案与二维第三材料图案的大小之间的差异。

图12图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法1200。在某些实施例中，方法1200是结合方法800、900、1000、1100或这些方法的组合来执行。方法1200包含提供第一材料1202；在第一材料上沉积多个第四材料特征1204，每一个具有等于第一间隔的宽度；在第一材料和第四材料上沉积第二材料1206，使得当第二材料扩散至第一材料中时，第三材料在层内尺寸上生长且在跨层尺寸上由第四材料约束；去除第四材料1208；和去除第一材料和第三材料中的一个1210。

图13图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法1300。在方法1300中，第一材料1304是非晶硅，第二材料1302是金属，基板1306是玻璃且第四材料1310是一种氧化物。此处，金属/非晶硅界面是透过夹在中间的氧化物层中的开口控制，从而允许毯覆金属沉积且形成硅化物1308。亚微影分辨率特征可在金属、氧化物和非晶硅或硅化物的后续去除之后留存。

图14图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法1400。在某些实施例中，方法1400是结合方法800、900、1000、1100、1200、1300或这些方法的组合来执行。方法1400包含提供具有模的第一材料1402；在模的一侧上沉积第二材料1404，使得第二材料透过模的所述侧扩散至第一材料中以形成第三材料；和去除第一材料和第三材料中的一个1406。

在某些实施例中，提供第一材料1402包含在不同于第二材料扩散至第一材料中之侧的模的一侧上提供第四材料且沉积第二材料1404包含在第四材料上沉积第二材料。在方法1400中，由于转换自非晶硅模堆栈的曝露的边缘开始，因此横向硅化物特征大小仅由金属侧壁厚度规定。

tms:lsili＝tmscsi²(方程式5)

假定可用于转换的金属源限制为在侧壁上沉积的那个源。来自较远源的金属扩散(例如，位于非晶硅/金属界面附近的玻璃表面上的金属)可归因于小的所连接剖面而作不出有意义贡献。

在某些实施例中，方法1400包含使用具有微影限制的微影程序且使用微影程序沉积第一材料的模。沉积第二材料可包含在模的一侧上沉积第二材料，其中第二材料扩散至模的侧上的第一材料中。在这些实施例中，去除第一材料和第三材料中的一个分别保留小于微影限制的特征大小或特征间隙。

图15图解说明根据实施例制造mems或nems结构的方法1500。在方法1500中，在模1504上沉积金属1502。模1504的侧1504a被曝露且金属1502的侧壁1502接触侧1504a。如在1500中所绘示，允许扩散和硅化物转换的唯一区域是金属与侧1504上的非晶硅直接接触的区域。经添加的顶部氧化物1510可充当扩散障壁以防止非横向硅化物形成和扩散(类似于上文关于方法1200和1300所阐述的程序)。通过界定可进行紧密接触之处(通过经图案化蚀刻，后续接着各向同性金属沉积开口特定区域)，可借助后续退火和材料去除步骤形成单个硅化物特征。在方法1520中，来自同一微影界定的特征的两侧提供非晶硅/金属接触。因此，在方法1520中，将在两侧发生硅化物形成，从而保留形成两个特征的可能性。

本文中所阐述的程序(涉及第一和第二材料的组合以形成第三材料)提供几个优点。这些程序可形成多个尺寸的特征。这些程序是时间相依的，由第一和第二材料的大小限制。在这些程序中，容易控制第三材料的轮廓。

图16图解说明根据实施例制造机电系统的方法1600。为制造机电系统，可使用且以不同次序使用方法1600中的程序步骤中的所有或某些步骤。

方法1600包含提供基板的步骤1602。在某些实施例中，基板由玻璃制成。在某些实施例中，基板是低温多晶硅。在某些实施例中，基板是硼硅酸盐，其含有额外元素以微调性质。硼硅酸盐的实例是corningeagle^tm，其产生碱土硼铝硅酸盐(一种负载有硼、铝和各种碱土元素的硅酸盐)。其他变化形式可自asahiglass^tm或schott^tm购得。

在某些实施例中，使用平板玻璃程序来制造机电系统。在某些实施例中，使用液晶显示器(lcd)程序来制造机电系统。在某些实施例中，使用oled显示器程序或x射线面板程序。采用平板玻璃程序可允许经增加的基板大小，借此允许每基板较高数目个电化学系统，此减少处理成本。“面板级”大小可包含620mmx750mm、680mmx880mm、1100mmx1300mm、1300mmx1500mm、1500mmx1850mm、1950mmx2250mm和2200mmx2500mm。此外，面板级制造中的薄膜晶体管(tft)也可以减少成本且因此(举例来说)lcd-tft程序可能是有益的。

方法1600包含将mems或nems添加至基板的步骤1604。尽管使用mems/nems来阐述结构的添加，但应了解，在不违背本发明的范围的情形下，可添加其他结构。在使用面板级处理的实施例中，可使用lcd-tft程序来添加mems/nems结构。

步骤1604可后续接着浸没电镀(sub-plating)的选用步骤1616。当基板大于在后续步骤中使用的处理装备时，可使用步骤1616。举例来说，如果使用面板级程序(例如lcd)，某些实施例将包含(在步骤1604处)将面板切削为晶圆大小以执行进一步处理(举例来说，使用cmos制造装备)。在其他实施例中，遍及方法1600使用同一大小基板(也就是说，不使用步骤1616)。

方法1600包含自基板释放mems/nems的步骤1606。

方法1600包含释放后处理的步骤1608。这一释放后处理可以是进一步程序步骤(例如平坦化)准备mems/nems结构。在晶圆级处理中，平坦化可包含化学机械平坦化。在某些实施例中，进一步程序步骤包含回蚀，其中光阻剂旋涂在形貌上以产生较平坦表面，然后蚀刻所述表面。蚀刻时间的较高控制可产生较平滑表面轮廓。在某些实施例中，进一步程序步骤包含“玻璃上旋涂”，其中负载有玻璃的有机黏合剂被旋涂在形貌上且所得物被烘烤以驱除有机溶剂，从而保留较平滑的表面。

方法1600包含在必要情况下真空囊封mems/nems结构的步骤1610。真空囊封对延长设备寿命可能是有益的。

方法1600包含附接读出集成电路(roic)和柔性/pcb附接的步骤1612。本文中所阐述的程序和装置可具有进一步优点，即信号处理所需的区域可较由感测实体所规定的感测区域小得多。通常，在具有不利于信号处理的技术节点的情形下，选择cmos，因此，此导致进一步问题，即信号处理并非以最佳技术执行。本文中所阐述的程序可使用较适合的cmos且缩小区域，然后使用较佳感测区域且利用fpd(平板显示器)制造的低成本。在某些实施例中，roic为感测特定电磁波长(例如x射线、thz、lwir)而专门设计。

方法1600包含单粒化的步骤1614。某些实施例可包含校准和芯片程序化，这可虑及传感器的性质。本文中所阐述的方法在玻璃基板制造程序中可能是有利的，这是因为玻璃微影能力的均匀性受到限制。作为进一步优点，玻璃具有高热能力且因此玻璃基板是大的热存储器；通过制造分离辐射热计像素与玻璃基板的薄结构，本文中的实施例可更好地充当玻璃基板与辐射热计像素之间的热绝缘体。

在某些实施例中，使用方法1600制造辐射热计。图6图解说明例示性辐射热计。可在各种应用中使用辐射热计。举例来说，可在汽车和商业安全产业中使用长波红外线(lwir，大约8μm至14μm的波长)辐射热计。举例来说，lwir辐射热计具有qvga、vga和其他分辨率。可在安全(例如，机场乘客安全筛查)和医疗(医疗成像)中使用兆赫(thz，大约1.0mm至0.1mm的波长)辐射热计。举例来说，thz辐射热计具有qvga分辨率和其他分辨率。某些电化学系统可包含x射线传感器或相机系统。类似地，在相机系统中使用lwir和thz传感器。在医疗成像(例如内视镜和外视镜)中应用某些机电系统。

其他机电系统包含用于光检测和测距(lidar)系统的扫描仪。举例来说，可塑形激光束的空间性质的光学扫描仪(例如，用于束指向)。机电系统包含惯性传感器(例如，其中输入刺激是线性的或角向运动)。可在生物感测和生物治疗平台(例如，其中检测生物化学制剂)中使用某些系统。

在某些方面中，一种制造mems或nems结构的方法包含：提供堆栈、侧壁层、蚀刻停止层和模。所述堆栈包含在平面中延伸的结构层；所述侧壁层包含第一部分，其位于平行于结构层平面的平面中，和第二部分，其位于横切于结构层平面的平面中，所述蚀刻停止层定位于侧壁层与结构层之间，蚀刻停止层包含不同于结构层的蚀刻选择性和侧壁层的蚀刻选择性的蚀刻选择性；所述模包括平行于侧壁层的第二部分的壁；蚀刻侧壁层的第一部分以曝露蚀刻停止层；去除模；蚀刻蚀刻停止层使得侧壁层的第二部分遮蔽蚀刻停止层的一部分；去除侧壁层的第二部分；和蚀刻结构层使得蚀刻停止层的部分遮蔽结构层的一部分。

在某些方面中，提供上文方面中的结构包含将侧壁层黏着至蚀刻停止层且将蚀刻停止层黏着至结构层。

在某些方面中，提供上文方面中的任一个中的结构包含将侧壁层黏着至模使得侧壁层的第二部分被黏着至模；且将蚀刻停止层黏着至结构层使得侧壁层的第一部分被附接至蚀刻停止层。

在某些方面中，上文方面中的任一个中的方法进一步包含在去除侧壁层的第一部分之后去除模。

在某些方面中，上文方面中的任一个中的方法包含使用微影程序图案化模。在某些方面中，侧壁层的第二部分较微影程序的微影限制薄。

在某些方面中，提供上文方面中的任一个中的结构包含将牺牲层定位于结构层与基板之间。在某些方面中，先前方面中的方法进一步包含在蚀刻结构层之后去除牺牲层。在某些方面中，提供两个先前方面中的任一个中的堆栈包含：提供基板；在提供基板之后，将牺牲层黏着至基板；在将牺牲层黏着至基板之后，将结构层黏着至牺牲层；在将结构层黏着至牺牲层之后，将蚀刻停止层黏着至结构层；在将蚀刻停止层黏着至结构层之后，将模黏着至蚀刻停止层；在将模黏着至蚀刻停止层之后，使用微影程序图案化模，其中侧壁层的第二部分较微影程序的微影限制薄；和在图案化模之后，将侧壁层黏着至模和蚀刻停止层。

在某些方面中，上文方面中的任一个的方法进一步包含：提供玻璃基板；将结构层的部分附接至基板；且将辐射热计像素附接至结构层的部分。

在某些方面中，上文方面中的任一个中的方法进一步包含提供mems或nems装置；和将蚀刻停止层的部分附接至mems或nems装置。

在某些方面中，上文所阐述的方面中的任一个中的结构层的部分小于250nm宽。

在某些方面中，一种制造机电系统结构的方法包含：提供第一材料；沉积第二材料，其扩散至第一材料中以形成第三材料；和去除第一材料和第三材料中的一个。

在某些方面中，提供第一材料包含在基板上沉积第一材料。在某些方面中，第二材料和第三材料不扩散至基板中。

在某些方面中，第一材料是非晶硅且第二材料是金属。在某些方面中，方法包含在第二材料的扩散之前退火第二材料。在某些方面中，金属是镍。

在某些方面中，去除第一材料和第三材料中的一个包含去除第一材料且去除第三材料。

在某些方面中，沉积第二材料包含在第一材料上沉积分离第一间隔的多个第二材料特征。在某些方面中，第二材料扩散至第一材料中以形成分离小于第一间隔的第二间隔的多个第三材料特征。在某些方面中，去除第一材料导致分离小于第一间隔的间隙的多个第三材料特征。在某些方面中，去除第三材料导致具有小于第一间隔的宽度的多个第一材料特征。

在某些方面中，沉积分离第一间隔的多个第二材料特征包含：在第一材料上沉积多个第四材料特征，每一个具有等于第一间隔的宽度；在第一材料和第四材料上沉积第二材料，使得当第二材料扩散至第一材料中时，第三材料在层内尺寸上生长且在跨层尺寸上由第四材料约束；和去除第四材料。

在某些方面中，提供第一材料包含提供第一材料的模。在某些方面中，沉积第二材料包含在模的一侧上沉积第二材料。在某些方面中，第二材料透过模的侧扩散至第一材料中。

在某些方面中，提供第一材料包含在不同于其中第二材料扩散至第一材料中之侧的模的一侧上提供第四材料。在某些方面中，沉积第二材料包含在第四材料上沉积第二材料。

在某些方面中，一种方法使用具有微影限制的微影程序，所述方法包含：提供第一材料的层；沉积第二材料的层使得第二材料扩散至第一材料中以形成第三材料；和去除第一材料或第三材料中的一个以保留小于微影限制的特征大小或特征间隙。

在某些方面中，沉积第二材料包含使用微影程序沉积具有小于微影限制之间隙的多个第二材料特征。

在某些方面中，提供第一材料包含使用微影程序沉积第一材料的模。在某些方面中，沉积第二材料包含在模的一侧上沉积第二材料。在某些方面中，第二材料扩散至模之侧上的第一材料中。

在某些方面中，一种方法包含提供玻璃基板；将未去除的第一材料或第三材料(自上文所阐述的方面中的任一个)附接至玻璃基板；和将辐射热计像素附接至未去除的第一材料或第三材料。

在某些方面中，一种方法包含提供机电系统装置且将未去除的第一材料或第三材料(自上文所阐述的方面中的任一个)附接至机电系统装置。在某些方面中，未去除的第一材料或第三材料小于250nm宽。

在某些方面中，辐射热计包含玻璃基板；结构，其小于250nm宽和辐射热计像素，其耦合至结构。

在某些方面中，辐射热计包含：玻璃基板；结构，其自本文中所阐述的方法中的任一个制造，和辐射热计像素，其耦合至结构。

在某些方面中，一种制造方法包含：使用lcd-tft程序制造mems或nems装置；通过本文中所阐述的所述方法中的任一个制造结构和将所述结构耦合至mems或nems装置。

尽管所公开的实施例已参考附图充分地阐述，但应注意，本领域技术人员将明了各种改变和修改。这些改变和修改应被理解为包含在如由随附权利要求书所界定的所公开实施例的范围内。

在本文中各种经阐述实施例的说明中使用的术语仅是出于阐述特定实施例的目的，且不打算是限制性的。如在各种经阐述实施例的说明和随附权利要求书中所使用，单数形式“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”还打算包含复数形式，除非内容脉络另外明确指示。还将了解，如本文中所使用，术语“和/或”是指且囊括相关联所列物项中的一或多者的任一或所有可能组合。将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包含(includes)”、“包含的(including)”和/或“包括(comprises)”、“包括的(comprising)”指定存在所陈述特征、整数、步骤、操作、组件和/或组件，但并不排除存在或添加一或多个其他特征、整数、步骤、操作、组件、组件和/或其群组。

权利要求书(按照条约第19条的修改)

1.一种制造机电系统结构的方法，其包括：

提供堆栈，其中所述堆栈包括

在平面中延伸的结构层，

侧壁层，其包括

第一部分，其位于平行于所述结构层平面的平面中，和

第二部分，其位于横切于所述结构层平面的平面中，

蚀刻停止层，其定位于所述侧壁层与所述结构层之间，包括不同于所述结构层的蚀刻选择性和所述侧壁层的蚀刻选择性的蚀刻选择性，和

模，其包括平行于所述侧壁层的第二部分的壁；

蚀刻所述侧壁层的第一部分以曝露所述蚀刻停止层；

去除所述模；

蚀刻所述蚀刻停止层使得所述侧壁层的第二部分遮蔽所述蚀刻停止层的一部分；

去除所述侧壁层的第二部分；和

蚀刻所述结构层使得所述蚀刻停止层的所述部分遮蔽所述结构层的一部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中提供所述结构包括：

将所述侧壁层黏着至所述蚀刻停止层；和

将所述蚀刻停止层黏着至所述结构层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中提供所述结构包括：

将所述侧壁层黏着至所述模使得所述侧壁层的第二部分被黏着至所述模；和

将所述侧壁层黏着至所述蚀刻停止层使得所述侧壁层的第一部分被附接至所述蚀刻停止层。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在去除所述侧壁层的第一部分之后去除所述模。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括使用微影程序图案化所述模，其中所述侧壁层的第二部分较所述微影程序的微影限制薄。

6.根据权利要求1所述的方法，其中提供结构包括将牺牲层定位于所述结构层与基板之间。

7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括在蚀刻所述结构层之后去除所述牺牲层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中提供所述堆栈包括：

提供所述基板；

在提供所述基板之后，将所述牺牲层黏着至所述基板；

在将所述牺牲层黏着至所述基板之后，将所述结构层黏着至所述牺牲层；

在将所述结构层黏着至所述牺牲层之后，将所述蚀刻停止层黏着至所述结构层；

在将所述蚀刻停止层黏着至所述结构层之后，将所述模黏着至所述蚀刻停止层；

在将所述模黏着至所述蚀刻停止层之后，使用微影程序图案化所述模，其中所述侧壁层的第二部分较所述微影程序的微影限制薄；和

在图案化所述模之后，将所述侧壁层黏着至所述模和所述蚀刻停止层。

9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

提供玻璃基板；

将所述结构层的所述部分附接至所述玻璃基板；和

将辐射热计像素附接至所述结构层的所述部分。

10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

提供机电系统装置；和

将所述蚀刻停止层的所述部分附接至所述机电系统装置。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构层的所述部分小于250nm宽。

12.一种辐射热计，其包括：

玻璃基板；

结构，其小于250nm宽且耦合至所述玻璃基板；和

辐射热计像素，其耦合至所述结构。

13.一种辐射热计，其包括：

玻璃基板；

结构，其由权利要求1制造，耦合至所述玻璃基板；和

辐射热计像素，其耦合至所述结构。

14.一种制造方法，其包括：

通过lcd-tft制造机电系统装置；

通过权利要求1制造结构；和

将所述结构耦合至所述机电系统装置。