一种晶圆级真空封装的MEMS晶振的制作方法

一种晶圆级真空封装的mems晶振技术领域[0001]本实用新型涉及晶振技术领域，具体为一种晶圆级真空封装的mems晶振。背景技术：[0002]传统石英晶振是利用石英晶体的压电效应制成的一种谐振器件其基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片，在它的两个对应面上涂敷银浆层作为电极，在每个电极上焊接引线接出到管脚，再封装上外壳就构成了石英晶振。但由于其受到传统制造工艺的限制以及下游原材料市场的垄断，因此性价比无法进--步提升。不仅如此，石英产品在温漂、老化、抗震性、稳定性、体积等方面的制约，也越来越不能适应现在的高精度产品。mems晶振，则采用自然界最普通的硅作为原材料和全自动化的半导体ic技术的制作工艺，在性能方面弥补了石英振荡器的先天缺陷，同时降低了生产成本。随着mems技术的发展其作为传统石英晶振的升级产品得到越来越广泛的应用。mems晶振具有更小的尺寸无温漂，更好的可靠性和更低的成本等优点符合现代电子发展方向，现在的mems晶振封装方式多为真空封装。[0003]然而现如今的晶圆级真空封装的mems晶振有保护壳抗压保护效果差、绝缘和防腐效果差的问题。[0004]为解决晶圆级真空封装的mems晶振有保护壳抗压保护效果差、绝缘和防腐效果差的问题。为此，提出一种晶圆级真空封装的mems晶振。技术实现要素：[0005]本实用新型的目的在于提供一种晶圆级真空封装的mems晶振，从而解决了现有技术中晶圆级真空封装的mems晶振有保护壳抗压保护效果差、绝缘和防腐效果差的问题。[0006]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种晶圆级真空封装的mems晶振，包括保护盖和mems晶振主体，保护盖固定设置在mems晶振主体的一侧，所述保护盖包括外绝缘层、外防腐层、刻字槽、壳体、内防腐层和内绝缘层，所述外防腐层喷涂在壳体的外表面，外绝缘层喷涂在外防腐层的外表面，刻字槽开设在壳体的外侧，内防腐层喷涂在壳体的内表面，内绝缘层喷涂在内防腐层的内表面。[0007]优选的，所述外绝缘层和内绝缘层均为一种绝缘漆材料制成的构件。[0008]优选的，所述外防腐层和内防腐层均为一种防腐漆材料制成的构件。[0009]优选的，所述壳体为一种硅钢材料制成的构件。[0010]优选的，所述保护盖与mems晶振主体之间形成缓冲空腔。[0011]优选的，所述缓冲空腔呈梯形。[0012]与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：[0013]1、本实用新型的晶圆级真空封装的mems晶振，外绝缘层和内绝缘层均为一种绝缘漆材料制成的构件，提高保护盖的绝缘效果，外防腐层和内防腐层均为一种防腐漆材料制成的构件，提高保护盖的防腐效果，进一步提高，保护盖的使用寿命。[0014]2、本实用新型的晶圆级真空封装的mems晶振，壳体为一种硅钢材料制成的构件，硅钢具有导磁率高、矫顽力低、电阻系数大等特性，进一步提高保护盖的绝缘效果。[0015]3、本实用新型的晶圆级真空封装的mems晶振，保护盖与mems晶振主体之间形成缓冲空腔，缓冲空腔呈梯形，在mems晶振受到外界冲压时，梯形的缓冲空腔使得保护盖在受到冲压时有一定的缓冲空间，降低mems晶振主体受到的冲击力，提高保护盖的保护效果。附图说明[0016]图1为本实用新型的整体背面立体结构示意图；[0017]图2为本实用新型的整体正面立体结构示意图；[0018]图3为本实用新型的保护盖剖切结构示意图；[0019]图4为本实用新型的整体正面平面结构示意图。[0020]图中：1、保护盖；11、外绝缘层；12、外防腐层；13、刻字槽；14、壳体；15、内防腐层；16、内绝缘层；17、缓冲空腔；2、mems晶振主体。具体实施方式[0021]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。[0022]请参阅图1-3，一种晶圆级真空封装的mems晶振，包括保护盖1和mems晶振主体2，保护盖1固定设置在mems晶振主体2的一侧，保护盖1包括外绝缘层11、外防腐层12、刻字槽13、壳体14、内防腐层15和内绝缘层16，外防腐层12喷涂在壳体14的外表面，外绝缘层11喷涂在外防腐层12的外表面，刻字槽13开设在壳体14的外侧，壳体14为一种硅钢材料制成的构件，硅钢具有导磁率高、矫顽力低、电阻系数大等特性，进一步提高保护盖1的绝缘效果，内防腐层15喷涂在壳体14的内表面，内绝缘层16喷涂在内防腐层15的内表面，外绝缘层11和内绝缘层16均为一种绝缘漆材料制成的构件，提高保护盖1的绝缘效果，外防腐层12和内防腐层15均为一种防腐漆材料制成的构件，提高保护盖1的防腐效果，进一步提高，保护盖1的使用寿命。[0023]请参阅图4，一种晶圆级真空封装的mems晶振，保护盖1与mems晶振主体2之间形成缓冲空腔17，缓冲空腔17呈梯形，在mems晶振受到外界冲压时，梯形的缓冲空腔17使得保护盖1在受到冲压时有一定的缓冲空间，降低mems晶振主体2受到的冲击力，提高保护盖1的保护效果。[0024]综上所述：本实用新型的晶圆级真空封装的mems晶振，包括保护盖1和mems晶振主体2，外绝缘层11和内绝缘层16均为一种绝缘漆材料制成的构件，提高保护盖1的绝缘效果，外防腐层12和内防腐层15均为一种防腐漆材料制成的构件，提高保护盖1的防腐效果，进一步提高保护盖1的使用寿命，壳体14为一种硅钢材料制成的构件，硅钢具有导磁率高、矫顽力低、电阻系数大等特性，进一步提高保护盖1的绝缘效果，保护盖1与mems晶振主体2之间形成缓冲空腔17，缓冲空腔17呈梯形，在mems晶振受到外界冲压时，梯形的缓冲空腔17使得保护盖1在受到冲压时有一定的缓冲空间，降低mems晶振主体2受到的冲击力，提高保护盖1的保护效果。[0025]需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。[0026]尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。