MEMS器件的制作方法

mems器件技术领域[0001]本发明总体上涉及电子器件，并且在特定的实施例中，涉及微机电系统(mems)器件的结构。背景技术：[0002]传感器是包含转换元件的器件。转换器应用于电子器件内以将信号从一个域转换到另一个域。例如，一些转换器可以将机械信号转换为电信号。这就是包含将声波转换为电信号的转换元件的声学麦克风的情况。收集来自电信号的信息然后将该信息转移到信号处理器，该信号处理器解释接收到的信号，并通过传感器件内的读出机制提供输出。[0003]基于mems的传感器包括各种转换器，诸如加速器、振荡器、共鸣器、陀螺仪和麦克风。基于mems的传感器使用与集成电路制造中使用的技术类似的一系列微加工技术来生产。[0004]普通的静电mems麦克风利用电容特性来将物理刺激(诸如语音)转换为电信号。在这种应用中，传感器中的电容变化通过使用接口电路转换为电压信号。这些mems器件由与刚性背板结构平行布置的柔性膜结构组成。它们在电容mems器件内作为两个电极板共同工作。当声波穿透器件内的腔体时，由于压力差，它们在柔性膜之间引起振荡。这进而引起柔性膜与背板之间的气隙的距离的变化。因此柔性膜与背板之间的气隙的距离的变化与mems器件的电容变化成正比。[0005]通常，当柔性膜与背板之间发生这种偏差时，静电力累积可能会引起两个表面在彼此接触时粘在一起。为了缓解这种情况，在背板的底表面内制造防粘凸出部，因此它们位于两个电极表面之间。这些防粘凸出部起到保持柔性膜与背板之间的一定工作距离的作用，以降低两个电极表面之间的接触面积的大小。技术实现要素：[0006]根据本发明的实施例，微机电系统(mems)器件包括布置在基底之上的柔性膜和被布置在柔性膜之上的第一背板。第一背板包括面向柔性膜的第一多个凸出部。mems器件还包括布置在柔性膜处的多个特征，其中多个特征中的每个特征与第一多个凸出部中对应的一个凸出部相关联。[0007]根据本发明的另一个实施例，微机电系统(mems)器件包括布置在基底之上的可偏转层和布置在可偏转层之上的第一背板。第一背板包括面向可偏转层的第一多个防粘结构，mems器件还包括布置在可偏转层处的多个加固区域，多个加固区域被配置为加固可偏转层以防止应力引起的故障，多个加固区域与第一多个防粘结构中对应的一个防粘结构相关联。[0008]根据本发明的另一个实施例，微机电系统(mems)器件包括包括第一多个防粘凸出部的第一背板，和包括第一主表面和相背的第二主表面、在第一主表面处的第二多个防粘凸出部和在第二主表面处的多个特征的柔性膜。多个特征中的每个特征与第二多个防粘凸出部中对应的一个防粘凸出部相关联。mems器件还包括第二背板，其中柔性膜被布置在第一背板与第二背板之间。附图说明[0009]为了更完全地理解本发明及其优点，现在结合附图参考以下描述，其中：[0010]图1a示出了mems麦克风的实施例的截面图，其中附加的材料在凸出部的水平处沉积在柔性膜的顶部上，并且其中图1b示出了图1a所示的虚线区域的放大部分；[0011]图2a示出了mems麦克风的实施例的截面图，其中描述了该侧面轮廓的备选实施例，并且其中图2b和图2c示出了图2a所示的虚线区域的放大部分；[0012]图3示出了mems麦克风的实施例的截面图，其中附加的材料在凸出部的水平处沉积在柔性膜的顶部上以及布置在柔性膜的下方；[0013]图4示出了mems麦克风的实施例的截面图，其中沉积在柔性膜的顶部上的附加材料由相同材料组成；[0014]图5示出了mems麦克风的实施例的截面图，其中布置在柔性膜的下方的附加材料由相同材料组成；[0015]图6a示出了mems麦克风的实施例的截面图，其中柔性膜的部分由备选的材料代替，并且其中图6b示出了图6a所示的虚线区域的放大部分；[0016]图7示出了双板mems麦克风的实施例的截面图，其中柔性膜包括沉积在柔性膜的上方的附加材料，以及在柔性膜的下方添加的防粘凸出部，其中附加材料沉积在膜的防粘凸出部的顶部上。具体实施方式[0017]下文将详细讨论mems麦克风的各种实施例的结构和使用。然而，应当理解，本文详细描述的各种实施例可以广泛应用于各种科目。本文描述的具体实施例仅说明实现和使用各种实施例的具体方式，并且不应该解释为限制范围。[0018]传统的mems器件(诸如麦克风)在操作/组装期间容易被灰尘和颗粒损坏。例如，以足够快的速度运动的随机颗粒能够损坏电极。这些高速颗粒可以以多种方式生成。例如，机械冲击可以将器件外部与端口之间的导管内松散附着的或静止的颗粒释放出来。类似地，在器件组装期间或封装后的气枪清洗期间，悬浮在空气中的颗粒可以向麦克风加速。[0019]本应用的发明人已经确定，由于颗粒引起的应力，柔性膜是麦克风显著灵敏的部分。特别地，由于集中在小区域的应力，本应用的发明人确定被设计与防粘凸出部接触的柔性膜的区域更灵敏。本发明的实施例描述了更不受故障影响的mems器件，例如不受由于在柔性膜上以及选择性地在mems器件的板上的附加特征的形成的颗粒损坏的故障影响。[0020]首先使用图1a至图1b和图2a至图2b描述mems器件的结构设计。然后使用图3至图7描述mems器件的备选设计。[0021]图1a示出了mems麦克风的实施例的截面图并且其中图1b示出了图1a所示的虚线区域的放大部分。[0022]参考图1a，在一个或多个实施例中，微机电系统(mems)器件100包括基底101、第一夹持层102和第二夹持层104、柔性膜103和第一背板105。在一个实施例中，mems器件100是麦克风。[0023]图1b示出了图1a内虚线区域所示的mems器件100的放大部分。在这种实施例中，柔性膜103是与第一背板105形成平行板电容器的可偏转的感应膜。声压波从腔体112入射到柔性膜103上，该腔体112连接到mems麦克风的声音端口(未示出)。在操作期间，从腔体112入射的声压波可能会引起柔性膜103向第一背板105和远离第一背板105的方向的振荡，从而改变柔性膜103与第一背板105之间的距离，进而改变柔性膜103与第一背板105之间的电容。例如，电容的改变可以由通过导电线路(未示出)耦合到柔性膜103和第一背板105的读出电子器件感应到。[0024]布置在柔性膜103的之上的第一背板105是刚性层。在一个实施例中，第一背板105包括第一绝缘层108和第二绝缘层110、导电层109和第一多个凸出部107。第一多个凸出部107用作防粘凸出部以缓解由于当柔性膜103与第一背板105接触时可能产生的静电力引起的粘连。防粘凸出部用于保持第一背板105与柔性膜103之间的一定的距离，并且有助于降低接触表面面积。根据一些实施例，第一背板105可以包括从小到大的不同直径尺寸的穿孔106。穿孔106可以用作在蚀刻制造步骤期间的释放孔，在蚀刻制造步骤中移除了第二夹持层104的部分。在一个或多个实施例中，穿孔106可以包括紧密布置在一起并且在柔性膜103的可偏转部分的周长周围的许多小直径孔。穿孔106的间距和尺寸可以用于分别控制第二夹持层104和第二夹持层边缘113的位置和平滑度。[0025]根据各种实施例，基底101可以由硅材料组成或可以用于为mems器件100内的各个层形成支撑基底结构的任意其他材料组成。[0026]腔体112在基底101内形成。在各种实施例中，可以使用蚀刻制造技术(诸如bosch工艺蚀刻)形成腔体112，沿基底侧壁115产生扇形边缘。柔性膜103可以包括由第一夹持层102和第二夹持层104支撑的固定部分，以及布置在腔体112之上的非固定部分。根据各种实施例，柔性膜103可以由任意导电材料组成，诸如掺杂多晶硅。[0027]第一夹持层102布置在基底101的上方。在一些实施例中，基底101的基底侧壁115可以延伸至第一夹持层边缘114。备选地，在其他实施例中第一夹持层边缘114可以延伸至基底侧壁115并进入腔体112。在一些实施例中第一夹持层102可以由绝缘材料组成，诸如正硅酸乙酯(teos)氧化物。备选地，第一夹持层102可以由任意其他绝缘材料形成，诸如另外的氧化物或电介质。[0028]第二夹持层104布置在柔性膜103的上方，通过“夹持”柔性膜103的固定部分，有效地使第二夹持层104成为支撑结构。在mems器件100的各种实施例中，可以重新布置第一和第二夹持层102和104，使得第一夹持层102延伸超过基底侧壁115并进入腔体112，其中第二夹持层104未延伸超过基底侧壁115。在一些实施例中，第二夹持层104可以比第一夹持层102更厚，反之亦然。与第一夹持层102类似，第二夹持层104可以由绝缘材料组成，诸如正硅酸乙酯(teos)氧化物或任意其他氧化物或电介质。[0029]第一背板105在第二夹持层104的顶部上形成，并且如上所述，包括第一绝缘层108、导电层109和第二绝缘层110。在一个实施例中，第一和第二绝缘层108和110形成为氮化硅层。然而，导电层109形成为掺杂多晶硅层。通常，背板105可以由本领域已知的绝缘或导电材料的任意组合制造。存在于第一背板105与柔性膜103之间的气隙可以具有通常在500nm至5μm的距离。如上所述，第一背板105还包括用作防粘凸出部的第一多个凸出部107，以缓解由于当柔性膜103与第一背板105接触时可能产生的静电力引起的粘连。该第一多个凸出部107由第二绝缘层110和第一背板105的导电层109组成。因此，在mems器件100的一个实施例中，第一多个凸出部107可以由氮化硅层和掺杂多晶硅层组成。在其他实施例中，第一多个凸出部107可以由本领域已知的绝缘或导电材料的任意其他组合制造。第一多个凸出部107在高度上可以具有100nm至2000nm的尺寸，并且可以具有曲率半径从10nm至1000nm的曲率半径的尖端。同样地，第一多个凸出部107可以具有大约在50nm至500nm的尺寸的较平的尖端。[0030]如图1a和图1b所示，第一多个特征111a布置在柔性膜103上。第一多个特征111a包括从柔性膜103沿朝向第一多个凸出部107的方向延伸的突起。第一多个特征111a中的每个特征都与第一多个凸出部107中对应的一个凸出部相关联。第一多个特征111a包括从柔性膜103沿朝向第一多个凸出部107的方向延伸的突起。根据一些实施例，第一多个特征111a可以包括与柔性膜103不同的材料(如图1a和1b所示)。[0031]第一多个特征111a中的每个特征包括正交于柔性膜103的主外表面的侧壁。根据一些实施例，第一多个特征111a可以由与柔性膜103的材料不同的材料组成(如图1a和1b所示)。[0032]在各种实施例中，第一多个特征11a包括比柔性膜103更不易破裂的材料，并且特别地，比柔性膜103具有更高的断裂韧性。例如，由多晶硅制成的柔性膜具有大于1mpa.sqrt(m)的断裂韧性kc。然而，在一个或多个实施例中，可以使用具有类似或较低断裂韧性的材料(例如氧化硅)，因为第一多个特征111a提供的厚度增加有助于驱散第一多个特征111a内的应力能量，从而避免应力能量到达柔性膜103。这是因为不像柔性膜103上的裂纹，在第一多个特征111a上形成的裂纹不会对mems器件的操作产生功能影响。[0033]在各种实施例中，第一多个特征111a的材料比柔性膜103更具有刚性，有助于减少下方柔性膜103的变形。由于第一多个特征111a的刚性更高，因此它不容易受到应力引起的故障。因此第一多个凸出部施加的过多的应力，由第一多个特征111a吸收这些应力以减少对柔性膜103的损害，否则可能会引起柔性膜的破裂。[0034]因此，第一多个特征111a可以由氮化硅层(sin)、氧化硅层(sio2)、碳化硅层(sic)或本领域已知的绝缘材料的任意其它组合组成。[0035]在各种实施例中，第一多个特征111a可以通过传统的微制造方案构建。例如，如上所述，绝缘材料可以沉积在柔性膜103的顶部表面。通过各种光刻和蚀刻步骤，以及对本领域的技术人员已知的附加的微制造处理方案，诸如清洁和平面化，可以形成第一多个特征111a。[0036]图2a示出了mems器件100的实施例的截面图，其中描述了第一多个特征111a的侧面轮廓的备选实施例。图2b和图2c示出了图2a所示的虚线区域的放大部分。[0037]如上所述，第一多个特征111a的边缘可以以实现竖直侧壁轮廓的方式蚀刻(如图2b所示)。在mems器件100的其他实施例中，第一多个特征111a的侧壁111c可以以实现更多的有角度的侧壁轮廓的方式蚀刻(如图2c所示)。其背后的原理是，第一多个特征111a的更具角度的侧壁轮廓减小了接口处承受的应力集中(如图2b中的箭头所示)，其中第一多个特征111a的边缘与柔性膜103的顶部表面相交。[0038]第一多个特征111a的厚度尺寸范围可以在10nm至1μm之间，并且横向尺寸可以在大约500nm至5μm之间，大于第一多个凸出部107的接触面积。[0039]图3示出了mems器件200的备选实施例的截面图。在mems麦克风的特定实施例中，材料不仅以第一多个特征111a的形式沉积在柔性膜的顶部上(如上所述)，并且同时，绝缘材料附加地以第二多个特征111b的形式布置在柔性膜103的下方。[0040]布置在柔性膜103的下方的第二多个特征111b为脆弱的柔性膜103提供额外的加固。此外，第二多个特征111b平衡了柔性膜103上的附加材料引起的应力。[0041]图4示出了mems器件400的实施例的截面图。[0042]在该实施例中，第三多个特征111d沉积在柔性膜103的顶部上，可以由与柔性膜103相同的材料组成。换言之，在该实施例中，加厚了柔性膜103可能更容易受到应力引起的故障的部分。[0043]因此，添加到柔性膜103的附加材料可以被认为是局部加厚的膜材料。第三多个特征111d可以使用与第一多个特征111a的构建所采用的制造技术类似的制造技术制造。备选地，在一些实施例中，第三多个特征111d可以沿柔性膜103形成，其中没有第三多个特征111d的区域是凹陷的。[0044]图5示出了mems器件500的实施例的截面图。[0045]在该实施例中，附加材料作为第四多个特征111e沉积在柔性膜103的底部，可以由与柔性膜103相同的材料组成。有利地，该实施例加强了柔性膜103，而没有改变柔性膜103和第一背板105之间的电容。[0046]如上所述，第四多个特征111e可以使用与第一多个特征111a的构建采用的类似的制造技术制造。备选地，第四多个特征111e可以沿柔性膜103形成，其中没有第四多个特征111e的区域是凹陷的。[0047]图6a示出了mems器件600的实施例的截面图，而图6b示出了图6a所示的虚线区域的放大部分。在该实施例中，柔性膜103在第一多个凸出部的水平处的部分，由备选的加强材料以第五多个特征111f的形式代替。第五多个特征111f可以由与柔性膜103不同的材料组成。在各种实施例中，第五多个特征111f包括比柔性膜103更不易破裂的材料，并且特别地，比柔性膜103具有更高的断裂韧性。第五多个特征111f可以包括比柔性膜103更具有刚性的材料。例如，第五多个特征111f可以由氮化硅层(sin)、氧化硅层(sio2)、碳化硅层(sic)、tin、tan等组成。[0048]第五多个特征111f中的每个特征包括相对于柔性膜103的主外表面正交或倾斜的侧壁。第五多个特征111f包括在柔性膜103的通孔内填充的第一部分。第二环形区域在柔性膜103的顶部表面的一部分之上延伸。第二环形区域可以包括从柔性膜103沿朝向第一多个凸出部107的方向延伸的突起。[0049]第五多个特征111f可以通过传统的微制造方案构建，其中许多传统的微制造方案已在本文各种实施例中提到。[0050]图7示出了双背板mems麦克风的mems器件的实施例的截面图。[0051]双背板mems麦克风设计提供了微分mems传感器。因此，由于柔性膜的运动，双背板mems麦克风输出两个对称的180度相位移信号。[0052]与先前的实施例不同，由于附加的背板，该实施例包括对于防粘凸出部和突起的不同的设计。在一个或多个实施例中，柔性膜205上的防粘凸出部和突起可以在竖直方向上直接对准。[0053]与先前的实施例类似，mems器件700包括基底201、第一夹持层202、第二夹持层204和第三夹持层206、底部背板203、柔性膜205和顶部背板207。根据各种实施例，柔性膜205位于底部背板203与顶部背板207之间。第一夹持层202布置在基底201与底部背板203之间。第二夹持层204布置在底部背板203与柔性膜205之间。第三夹持层206布置在柔性膜205与顶部背板207之间。根据mems器件200的实施例，柔性膜205将底部腔体215a与顶部腔体215b分离。[0054]与先前的实施例类似，一些夹持层可以比器件内的基底边缘216和/或其他夹持层缩回得更远。例如，在一个实施例中，第二夹持层204到底部腔体215a比其他部分(即第一夹持层202和第三夹持层206)延伸得更深。在各种实施例中，第一夹持层202、第二夹持层204和第三夹持层206的延伸可以由在底部背板203和顶部背板207内制造的穿孔208的尺寸和位置确定。[0055]关于穿孔208的功能和特性的细节可以参考上文中图1a中关于单背板mems器件的讨论中详细描述的穿孔106。在一些实施例中，一些夹持层可以比其他夹持层更厚。例如，在一个实施例中，第一夹持层202可以比第二夹持层204或第三夹持层206薄的多。[0056]根据各种实施例，基底201可以由硅材料或可以用于形成mems器件200内各种层的支撑基底结构的任意其它材料组成。底部腔体215a在如上所述的基底201内形成。先前讨论的第一夹持层202、第二夹持层204和第三夹持层206用作mems器件200内各种层的支撑结构。更具体地，第一夹持层202、第二夹持层204和第三夹持层206帮助支撑底部背板203和顶部背板207，以及柔性膜205。在一些实施例中，第一夹持层202、第二夹持层204和第三夹持层206由绝缘材料组成，诸如正硅酸乙酯(teos)氧化物。备选地，第一夹持层202、第二夹持层204和第三夹持层206可以由任意其他绝缘材料形成，诸如其它氧化物或电介质。[0057]位于第一夹持层202与第二夹持层204之间的底部背板203是由第一绝缘层210和第二绝缘层212和导电层211组成的刚性结构。根据一些实施例，底部背板203还包括从小到大的不同直径尺寸的具有连接构件231的穿孔208。如上所述，穿孔208可以用作在蚀刻制造步骤期间的释放孔。在各种实施例中，穿孔208可以包括紧密布置在一起并且在柔性膜205的可偏转部分的周长周围的许多小直径穿孔。穿孔208的间距和尺寸可以用于控制任意相邻夹持层边缘的位置和平滑度。[0058]布置在第三夹持层206上方的顶部背板207，还可以是由第一绝缘层210和第二绝缘层212和导电层211组成的刚性结构。[0059]与先前的实施例类似，顶部背板207可以包括减少与柔性膜205粘连的第一多个防粘凸出部209。第一多个防粘凸出部由顶部背板207的第二绝缘层212和导电层211组成。因此，在一个实施例中，第一多个防粘凸出部209可以由氮化硅层和掺杂多晶硅层组成。在其他实施例中，第一多个防粘凸出部209可以由本领域已知的绝缘或导电材料的任意其它组合制造。与底部背板203非常类似，顶部背板207还可以包含各种直径的穿孔208。[0060]尽管在各种实施例中，示出了第一多个防粘凸出部209与多个特征213对准，但是它们可能位于顶部背板207的其他区域。相反，在各种实施例中，第二多个防粘凸出部214与连接构件231对准而不与底部背板203上的穿孔208对准。[0061]mems器件700的实施例包括位于底部背板203与顶部背板207之间的柔性膜205；更具体地，位于第二夹持层204与第三夹持层206之间。柔性膜205包括第一主表面214s和相背的第二主表面213s。[0062]第二多个防粘凸出部214布置在第一主表面214s处。第二多个防粘凸出部214减轻柔性膜205与底部背板203的粘连。本应用的发明人已经确定覆盖第二多个防粘凸出部214的第二主表面213s的一部分是颗粒冲击后具有高应力强度的点。因此，第六多个特征213布置在柔性膜205上，以与第二多个防粘凸出部214竖直重叠。[0063]如先前的实施例所述，第六多个特征213包括从柔性膜205的第二主表面213s沿朝向第一多个防粘凸出部209的方向延伸的突起。第六多个特征213中的每个特征都与第二多个防粘凸出部214中对应的一个防粘凸出部相关联。然而，由于第六多个特征213与第二多个防粘凸出部214竖直重叠，因此它们不与第一多个防粘凸出部209重叠反而相对于第一多个防粘凸出部209交错。[0064]与先前的实施例类似，第六多个特征213中的每个特征都可以包括正交于柔性膜205的主外表面的侧壁(如上所述，例如，图2b)。然而在其他实施例中，第六多个特征213中的每个特征都可以包括有角度的侧壁(如图2c所示)以缓解集中在柔性膜205的主外表面处的应力的累积。[0065]根据一些实施例，第六多个特征213可以由与柔性膜205不同的材料组成。如先前的实施例所述，第六多个特征213可以由氮化硅层(sin)、氧化硅层(sio2)、碳化硅层(sic)或其他绝缘材料组成。[0066]在各种实施例中，第六多个特征213可以通过传统的微制造过程构建。例如，如上所述的绝缘材料可以沉积在柔性膜205的顶部表面。通过各种光刻和蚀刻步骤，以及本领域已知的附加的微制造处理方案，诸如清洁和平面化，揭示了第六多个特征213的形成。如上所述，第六多个特征213的边缘可以以实现竖直侧壁轮廓的方式蚀刻(如图2b所示)。在其他实施例中，第六多个特征213的边缘可以以实现更多的有角度的侧壁轮廓的方式蚀刻(如图2c所示)。第六多个特征213的厚度尺寸可以在10nm至1μm之间，并且横向尺寸可以在大约500nm至5μm之间，大于第一多个防粘凸出部209的接触面积。[0067]第二多个防粘凸出部214可以使用本文详细描述的类似的制造技术制造；并且此外可以包括与柔性膜205使用的材料相同的材料。[0068]本文描述的各种实施例的优点包括对冲击和巨大的声压波表现出改进的鲁棒性的器件。此外，在膜方面可以看到改进，当颗粒击中防粘凸出部附近处时，膜变得特别灵敏，在柔性膜偏转期间引起高度破坏性的应力。本文所述的各种实施例通过加固柔性膜，以使其更加鲁棒，特别是在任何防粘凸出部附近的区，避免对mems麦克风的层造成破坏性的损坏。[0069]这里总结了本发明的示例实施例。其他实施例也可以从本说明书的整体以及本文提出的权利要求来理解。[0070]示例1。一种微机电系统(mems)器件，包括布置在基底之上的柔性膜；布置在所述柔性膜之上的第一背板，其中所述第一背板包括面向所述柔性膜的第一多个凸出部；以及布置在所述柔性膜处的多个特征，其中所述多个特征中的每个特征与所述第一多个凸出部中对应的一个凸出部相关联。[0071]示例2。示例1所述的mems器件，其中所述多个特征与所述第一多个凸出部中对应的一个凸出部对准。[0072]示例3。示例1或2所述的mems器件，其中所述多个特征包括所述柔性膜的局部较厚的区域。[0073]示例4。示例1至3中的一个示例所述的mems器件，其中所述多个特征包括从所述柔性膜沿朝向所述第一多个凸出部的方向延伸的突起。[0074]示例5。示例1至4中的一个示例所述的mems器件，其中所述多个特征包括从所述柔性膜沿远离所述第一多个凸出部的方向延伸的突起。[0075]示例6。示例1、2、4、5中的一个示例所述的mems器件，其中所述多个特征包括与所述柔性膜不同的材料。[0076]示例7。示例1至6中的一个示例所述的mems器件，其中所述多个特征被布置在所述柔性膜之上并且被布置在所述柔性膜与所述第一多个凸出部之间。[0077]示例8。示例1至7中的一个示例所述的mems器件，其中所述多个特征包括：布置在所述柔性膜之上并且位于所述柔性膜与所述第一多个凸出部之间的第一组区域；以及布置在所述柔性膜之下的第二组区域，并且其中所述柔性膜布置在所述第二组区域与所述第一多个凸出部之间。[0078]示例9。示例1、2、4、6、7中的一个示例所述的mems器件，其中所述多个特征布置在所述柔性膜内。[0079]示例10。示例1至9中的一个示例所述的mems器件，还包括：被布置在所述柔性膜与所述基底之间的第二背板；以及被布置在所述柔性膜上的第二多个凸出部，其中所述多个特征与所述第二多个凸出部中对应的一个凸出部对准。[0080]示例11。示例1至10中的一个示例所述的mems器件，其中所述第一多个特征中的每个特征包括相对于所述柔性膜的主外表面倾斜的侧壁。[0081]示例12。示例1至11中的一个示例所述的mems器件，其中所述第一多个特征中的每个特征包括正交于所述柔性膜的主外表面的侧壁。[0082]示例13。一种微机电系统(mems)器件，包括被布置在基底之上的可偏转层；被布置在所述可偏转层之上的第一背板，所述第一背板包括面向所述可偏转层的第一多个防粘结构；以及被布置在所述可偏转层处的多个加固区域，所述多个加固区域被配置为加固所述可偏转层以防止应力引起的故障，所述多个加固区域与所述第一多个防粘结构中对应的一个防粘结构相关联。[0083]示例14。示例13所述的mems器件，其中所述多个加固区域包括所述可偏转层的局部较厚的区域。[0084]示例15。示例13所述的mems器件，其中所述多个加固区域包括与所述可偏转层不同的材料。[0085]示例16。示例13至15所述的mems器件，其中所述多个加固区域被布置在所述可偏转层内。[0086]示例17。一种微机电系统(mems)器件，包括包括第一多个防粘凸出部的第一背板；包括第一主表面和相背的第二主表面、在所述第一主表面处的第二多个防粘凸出部以及在所述第二主表面处的多个特征的柔性膜，所述多个特征中的每个特征与所述第二多个防粘凸出部中对应的一个防粘凸出部相关联；和第二背板，所述柔性膜被布置在所述第一背板与所述第二背板之间。[0087]示例18。示例17所述的mems器件，其中所述第一多个防粘凸出部中的一个防粘凸出部布置在多个特征中相邻的特征之间。[0088]示例19。示例17或18所述的mems器件，其中所述第二背板包括多个开口和连接构件，其中所述第二多个防粘凸出部沿正交于所述第二背板的主表面的方向与所述连接构件对准。[0089]示例20。示例17至19所述的mems器件，其中所述多个特征中的每个特征沿正交于所述第二背板的主表面的方向与所述第二多个防粘凸出部中对应的一个防粘凸出部对准。[0090]尽管已经在使用mems麦克风的特定上下文中描述了本申请的实施例，但是各种实施例包括其他mems器件和结构，包括mems电容式声换能器系统、mems麦克风系统、硅麦克风系统、单背板和双背板麦克风系统和机械支持的mems麦克风系统。[0091]尽管已经参考所示的实施例来描述本发明，但是本说明书不旨在以限制的意义来解释。通过参考本说明书，所示实施例的各种修改和组合以及本发明的其他实施例对本领域的技术人员来说是明显的。因此，旨在使所附权利要求包含任何此类修改或实施例。