一种3D-MEMS探针的制造方法与流程

一种3d‑mems探针的制造方法技术领域1.本发明涉及探针制备技术领域，具体涉及一种3d‑mems探针的制造方法。背景技术：2.mems加工技术在探针制备领域应用广泛，目前，相关领域一般均通过 mems加工技术制作处相关的2d探针产品，暂无mems加工技术在3d探针制备技术中的应用，3d探针目前的制备工艺复杂，成本高。本发明利用mems加工技术，混合电镀研磨技术，来生产制造3d探针，并使用湿法腐蚀方法来剥离生产制造出的产品。技术实现要素：3.本发明的目的在于提供一种3d‑mems探针的制造方法，用以解决现有技术中的无法实现mems加工技术制备3d‑mems探针的问题。4.本发明提供了一种3d‑mems探针的制造方法，具体包括如下步骤：5.s1：在衬底上溅射一层种子层；6.s2：旋涂负的或者正的su8光刻胶；7.s3：制作相关图案掩膜，并利用光刻机对产品进行曝光并显影；8.s4：利用电镀的方法生长出高强度金属；9.s5：利用湿法或者干法去除相关的光刻胶；10.s6：利用电镀在所述高强度金属和暴露的所述种子层上生长出高于所述高强度金属厚度的金属层；11.s7：利用研磨机器将步骤s6电镀完成的金属层研磨至所述高强度金属的厚度；12.s8：重复步骤s2‑s7；13.s9：利用湿法去除所述种子层和所述金属层，将3d结构探针从衬底上面剥离后，收集并清洗。14.进一步的，步骤s1中所述的衬底为silicon或者陶瓷。15.进一步的，步骤s1中所述的种子层的厚度为10nm～200nm。16.进一步的，步骤s1中所述的种子层为铜层。17.进一步的，步骤s4中所述的高强度金属为pd或pd合金。18.进一步的，步骤s6中所述的金属层为铜层。19.进一步的，步骤s7中所述的金属层研磨过程中，研磨的厚度为1‑20um。20.采用上述本发明技术方案的有益效果是：21.本发明利用mems加工技术，混合电镀研磨技术，生产制造3d探针，并使用湿法腐蚀方法来剥离生产制造出的产品，制备工艺简单，实现了mems 加工技术在3d探针产品制备的应用。附图说明22.图1为本发明3d‑mems探针制备过程示意图。具体实施方式23.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。24.如图1所示，本发明提供了一种3d‑mems探针的制造方法，具体包括如下步骤：25.s1：在衬底上溅射一层种子层；26.s2：旋涂负的或者正的su8光刻胶；27.s3：制作相关图案掩膜，并利用光刻机对产品进行曝光并显影；28.s4：利用电镀的方法生长出高强度金属；29.s5：利用湿法或者干法去除相关的光刻胶；30.s6：利用电镀在所述高强度金属和暴露的所述种子层上生长出高于所述高强度金属厚度的金属层；31.s7：利用研磨机器将步骤s6电镀完成的金属层研磨至所述高强度金属的厚度；32.s8：重复步骤s2‑s7，重复完成所需的多层图案；33.s9：利用湿法去除所述种子层和所述金属层，将3d结构探针从衬底上面剥离后，收集并清洗。34.具体的，步骤s1中所述的衬底为silicon或者陶瓷，也可以选择其他衬底，种子层的厚度为10nm～200nm，种子层为铜层。35.步骤s4中所述的高强度金属为pd或pd合金，但不仅限于pd相关金属。36.步骤s6中所述的金属层为铜层，但不仅限于铜层。37.步骤s7中所述的金属层研磨过程中，研磨的厚度为1‑20um。38.综上，本发明利用mems加工技术，混合电镀研磨技术，生产制造3d探针，并使用湿法腐蚀方法来剥离生产制造出的产品，制备工艺简单，实现了 mems加工技术在3d探针产品制备的应用。39.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。技术特征：1.一种3d‑mems探针的制造方法，其特征在于，具体包括如下步骤：s1：在衬底上溅射一层种子层；s2：旋涂负的或者正的su8光刻胶；s3：制作相关图案掩膜，并利用光刻机对产品进行曝光并显影；s4：利用电镀的方法生长出高强度金属；s5：利用湿法或者干法去除相关的光刻胶；s6：利用电镀在所述高强度金属和暴露的所述种子层上生长出高于所述高强度金属厚度的金属层；s7：利用研磨机器将步骤s6电镀完成的金属层研磨至所述高强度金属的厚度；s8：重复步骤s2‑s7；s9：利用湿法去除所述种子层和所述金属层，将3d结构探针从衬底上面剥离后，收集并清洗。2.根据权利要求1所述的3d‑mems探针的制造方法，其特征在于，步骤s1中所述的衬底为silicon或者陶瓷。3.根据权利要求1所述的3d‑mems探针的制造方法，其特征在于，步骤s1中所述的种子层的厚度为10nm～200nm。4.根据权利要求1所述的3d‑mems探针的制造方法，其特征在于，步骤s1中所述的种子层为铜层。5.根据权利要求1所述的3d‑mems探针的制造方法，其特征在于，步骤s4中所述的高强度金属为pd或pd合金。6.根据权利要求1所述的3d‑mems探针的制造方法，其特征在于，步骤s6中所述的金属层为铜层。7.根据权利要求1所述的3d‑mems探针的制造方法，其特征在于，步骤s7中所述的金属层研磨过程中，研磨的厚度为1‑20um。技术总结本发明涉及一种3D技术研发人员：施元军受保护的技术使用者：苏州韬盛电子科技有限公司技术研发日：2021.06.07技术公布日：2021/10/29