MEMS器件的制作方法

mems器件技术领域1.本实用新型涉及半导体器件制造技术领域，特别涉及一种mems 器件。背景技术：2.随着mems器件应用和技术的成熟，市场对mems器件的可靠性和灵敏度提出了更高的要求。现阶段mems器件芯片的第一空腔是通过 icp单步刻蚀工艺制得，该工艺自身的缺陷会导致第一空腔靠近衬底上侧的刻蚀形貌，出现大小不一的锯齿，当振膜受到冲击发生大变形时，振膜和锯齿接触，在接触区域振膜发生应力集中，进而导致振膜破裂，使得mems器件芯片失效。技术实现要素：3.鉴于上述问题，本实用新型的目的在于提供一种mems器件，该 mems器件衬底的第一空腔设置为至少包括第一通孔和第二通孔，第一通孔更靠近振膜且第一通孔的直径大于第二通孔的直径，由于第一通孔采用快速释放而得到，从而使得第一通孔与衬底第一表面的交界处光滑，在振膜发生大形变时，降低了振膜的应力集中，进而降低了mems器件的失效。4.根据本实用新型的一方面，提供一种mems器件，包括：衬底，所述衬底具有第一空腔；第一牺牲层，位于所述衬底的第一表面上，所述第一牺牲层中具有第二空腔；振膜层，所述振膜层的至少一部分由所述第一牺牲层支撑，所述振膜层包括位于所述第二空腔上方的振膜；第二牺牲层，位于所述振膜上，所述第二牺牲层具有第三空腔；背极板层，位于所述第二牺牲层上，所述背极板层的至少一部分由第二牺牲层支撑，其中，所述第一空腔包括多个堆叠的通孔，多个所述通孔的中心线重合，且与所述振膜相对。5.可选地，所述多个堆叠的通孔的直径沿所述衬底的第一表面至第二表面依次减小。6.可选地，所述第一空腔与所述衬底的第一表面的相交处呈直角或弧形。7.可选地，所述多个通孔的截面形状相同或者不同。8.可选地，所述通孔的截面形状为圆形，三角形或多边形。9.可选地，所述第二空腔的中心线与所述第一空腔的中心线重合。10.可选地，所述第三空腔的中心线与所述第一空腔的中心线重合。11.可选地，所述背极板层包括下背极板，位于所述下背极板上的上背极板以及贯穿所述下背极板和上背极板的声孔。12.可选地，所述背极板层还包括：位于所述下背极板的第二表面上的防粘结构。13.可选地，所述上背极板沿所述衬底第一表面上的长度小于所述下背极板沿所述衬底第一表面上的长度。14.可选地，还包括：位于所述上背极板第一表面上的第一电极和位于所述下背极板第一表面上的第二电极。15.可选地，所述第一电极与所述上背极板电连接，所述第二电极与所述振膜层电连接。16.可选地，所述第一空腔中与所述衬底第一表面相交的通孔通过腐蚀释放形成，其余通孔由icp刻蚀形成。17.根据本实用新型的另一方面，提供一种mems器件的制造方法，包括：在衬底的第一表面中形成凹槽；在所述凹槽中形成填充层；在所述衬底的第一表面上依次形成第一牺牲层，振膜层，第二牺牲层以及背极板层；经由所述衬底的第二表面形成第一空腔，所述第一空腔暴露所述第一牺牲层的第二表面，其中，所述第一空腔包括多个堆叠的通孔，多个所述通孔的中心线重合。18.可选地，所述多个堆叠的通孔的直径沿所述衬底的第一表面至第二表面依次减小。19.可选地，所述第一空腔与所述衬底的第一表面的相交处呈直角或弧形。20.可选地，在衬底的第一表面中形成凹槽的步骤包括：在所述衬底的第一表面中蚀刻形成第一凹槽。21.可选地，在所述凹槽中形成填充层的步骤包括：在所述第一凹槽中沉积磷硅酸玻璃；平坦化所述衬底的第一表面，去除所述衬底第一表面上的所述磷硅酸玻璃，所述第一凹槽中的磷硅酸玻璃形成填充层。22.可选地，在衬底的第一表面中形成凹槽的步骤包括：在所述衬底的第一表面中蚀刻形成多个第三凹槽，相邻所述第三凹槽之间的衬底形成凸起。23.可选地，在所述凹槽中形成填充层的步骤包括：采用热氧化工艺对所述凸起进行热氧化，所述凸起氧化后体积膨胀，充满所述第三凹槽，形成填充层。24.可选地，在所述衬底的第一表面上依次形成第一牺牲层，振膜层，第二牺牲层以及背极板层的步骤中，形成背极板层的步骤包括：在所述第二牺牲层的表面上依次形成下背极板和上背极板；蚀刻所述上背极板，使所述下背极板的边缘区域的表面暴露；形成贯穿所述上背极板和所述下背极板的多个声孔；在所述上背极板的第一表面上形成第一电极和在所述下背极板的第一表面上形成第二电极，所述第一电极与所述上背极板电连接，所述第二电极与所述振膜层电连接。25.可选地，在所述衬底的第一表面上依次形成第一牺牲层，振膜层，第二牺牲层以及背极板层的步骤中，形成第二牺牲层与背极板层的步骤之间，还包括：在所述第二牺牲层的第一表面中形成多个第二凹槽；在所述第二凹槽中形成防粘结构。26.可选地，经由所述衬底的第二表面形成第一空腔的步骤包括：经由所述衬底的第二表面减薄所述衬底；在所述衬底的第二表面形成掩膜，所述掩膜中形成有蚀刻窗口；在所述衬底的第二表面中形成第二通孔，所述填充层为蚀刻停止层；经由所述第二通孔释放所述填充层，形成第一通孔。27.可选地，经由所述第二通孔释放所述填充层，形成第一通孔的步骤之后，还包括：经由所述第二通孔和所述第一通孔蚀刻所述第一牺牲层，在所述第一牺牲层中形成第二空腔，所述振膜层的第二表面经由所述第二空腔，所述第一通孔和所述第二通孔与外界连通；经由所述声孔蚀刻所述第二牺牲层，在所述第二牺牲层中形成第三空腔，所述振膜层的第一表面经由所述第三空腔和所述声孔与外界连通。28.可选地，所述多个通孔的截面形状相同或者不同。29.可选地，所述通孔的截面形状为圆形，三角形或多边形。30.本实用新型提供的mems器件，衬底包括至少两个直径不同的通孔，两个通孔堆叠放置，且中心线重合，其中，第一通孔更靠近振膜且第一通孔的直径大于第二通孔的直径，由于第一通孔采用快速释放而得到，从而使得第一通孔的边缘处光滑，在振膜发生大形变时，降低了振膜的应力集中，进而降低了mems器件的失效。31.在优选地实施例中，第一通孔靠近振膜一侧的边缘部分为圆弧形，进一步降低了在振膜发生大形变时，振膜的应力集中，进而降低了 mems器件的失效。32.本技术提供的mems器件的制造方法中，第一空腔通过先在衬底的第一表面形成第一通孔，然后在第一通孔中填充释放层，然后在衬底的第二表面形成第二通孔，经由第二通孔快速释放第一通孔中的释放层，从而形成mems器件的第一空腔。由于第一通孔在衬底的第一表面形成，因此第一通孔与衬底第一表面的交界处光滑，不会形成蚀刻尖角或锯齿，因此降低了在振膜发生大形变时，振膜的应力集中，进而降低了mems 器件的失效。33.在其它实施例中，还可以采用在衬底的第一表面中形成多个第三凹槽，将相邻第三凹槽之间的凸起热氧化形成填充层并在后续步骤中释放填充层的方法形成第一通孔，减少了填充磷硅酸和平坦化的步骤，简化了工艺流程。附图说明34.通过以下参照附图对本实用新型实施例的描述，本实用新型的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：35.图1示出了现有技术的mems器件的结构图；36.图2a至图2m示出了本实用新型第一实施例的mems器件的制造方法的各阶段截面图；37.图3a和图3b示出了本实用新型第二实施例的mems器件的制造方法的部分阶段截面图；38.图4示出了本实用新型第三实施例的mems器件的结构图。具体实施方式39.以下将参照附图更详细地描述本实用新型。在各个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，可能未示出某些公知的部分。为了简明起见，可以在一幅图中描述经过数个步骤后获得的半导体结构。40.应当理解，在描述器件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将器件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一区域“下面”或“下方”。41.如果为了描述直接位于另一层、另一区域上面的情形，本文将采用“直接在……上面”或“在……上面并与之邻接”的表述方式。42.下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。43.图1示出了现有技术的mems器件的结构图。44.参考图1，mems器件100包括衬底110，位于衬底110上的通过第一牺牲层120和第二牺牲层140支撑的振膜层130，以及位于第二牺牲层140上的背极板层。45.其中，振膜层130位于第一牺牲层120和第二牺牲层140之间，第一牺牲层120的中间部分具有第二空腔121，第二牺牲层140的中间部分具有第三空腔141，第二空腔121与第三空腔141的中心线重合，且第二空腔121和第三空腔141所对应位置的振膜层130为可动区域。46.衬底110中具有第一通孔101，第一通孔101的中心线与第二空腔 121和第三空腔141的中心线重合，且振膜层130可动区域的第二表面通过第二空腔121和第一通孔101与外部连通。47.背极板层包括下背极板151，上背极板152，贯穿上背极板152和下背极板151的多个声孔156，以及分别位于上背极板152第一表面上的第一电极153和位于下背极板151第一表面上的第二电极154，第二电极154不与上背极板152连接，在下背极板151面向振膜层130的一侧表面，还形成有防粘结构155。振膜层130可动区域的第一表面通过第三空腔141和声孔156与外部连接。第一电极153与上背极板152电连接，第二电极154与振膜层130电连接。48.在该实施例中，由于第一通孔101在形成时，是从衬底110的第二表面，即衬底110远离振膜层130的一侧表面进行蚀刻形成的，在蚀刻完成后，由于蚀刻工艺自身的缺陷，会导致在第一通孔101与衬底110 第一表面的连接部分，或与第二空腔121连接的部分出现尖角或锯齿102，如图1所示。当振膜层130在受到大的冲击时，振膜层130会产生较大的形变，此时，尖角或锯齿102经常导致振膜层130的应力集中，进而导致振膜破裂，使得mems器件100失效。49.为了解决此问题，本技术的实用新型人提出了一种mems器件及其制造方法。50.参考图2m，本技术第一实施例的mems器件200包括：衬底210，位于衬底210上的通过第一牺牲层220和第二牺牲层240支撑的振膜层 230，以及位于第二牺牲层240上的背极板层。51.其中，振膜层230位于第一牺牲层220和第二牺牲层240之间，第一牺牲层220的中间部分具有第二空腔221，第二牺牲层240的中间部分具有第三空腔241，第二空腔221与第三空腔241的中心线重合，且第二空腔221和第三空腔241所对应位置的振膜层230为可动区域。第一牺牲层220支撑振膜层230，第二牺牲层240支撑背极板层。52.衬底210中具有第一空腔，第一空腔至少包括堆叠的第一通孔204 和第二通孔203，第一通孔204和第二通孔203的中心线重合，且第一通孔204的直径大于第二通孔203的直径。此外，第一通孔204和第二通孔203的中心线与第二空腔221和第三空腔241的中心线也重合，且振膜层230可动区域的第二表面通过第二空腔221，第一通孔204和第二通孔203与外部连通。53.背极板层包括下背极板251，上背极板252，贯穿上背极板252和下背极板251的多个声孔256，以及分别位于上背极板252第一表面上的第一电极253和位于下背极板251第一表面上的第二电极254，第二电极254不与上背极板252连接，在下背极板251面向振膜层230的一侧表面，还形成有防粘结构255。振膜层230可动区域的第一表面通过第三空腔241和声孔256与外部连接。第一电极253与上背极板252电连接，第二电极254与振膜层230电连接。54.在该实施例中，由于衬底210的第一空腔至少由第一通孔204和第二通孔203组成，而第一通孔204在沉积第一牺牲层220之前就已经形成，后续通过在衬底210第二表面形成第二通孔203，以及采用释放工艺释放第一通孔204中填充的材料，因此第二通孔203与第一通孔204 连接部分由于蚀刻工艺导致的锯齿会减少，并且第一通孔204的存在，也使得少数的锯齿距离振膜层230的距离较大，在振膜层230发生大形变时，很难导致振膜层230的应力集中，进而使得振膜层破裂，mems 器件失效。55.本实用新型提供的mems器件，衬底的第一空腔包括至少两个直径不同的通孔，两个通孔堆叠放置，且中心线重合，其中，第一通孔更靠近振膜且第一通孔的直径大于第二通孔的直径，由于第一通孔采用快速释放而得到，从而使得第一通孔的边缘处光滑，在振膜层发生大形变时，降低了振膜层的应力集中，进而降低了mems器件的失效。56.图2a至图2m示出了本实用新型第一实施例的mems器件的制造方法的各阶段截面图。57.参考图2a，在衬底210的第一表面中形成第一凹槽201。58.在该步骤中，采用各向异性蚀刻工艺在衬底210的第一表面中蚀刻形成第一凹槽201。各向异性蚀刻工艺例如采用干法蚀刻，包括：离子铣蚀刻、反应离子蚀刻、激光烧蚀等。在该实施例中，例如通孔控制蚀刻时间，使得蚀刻在第一凹槽201的深度达到预定深度时停止。其中，衬底210例如为掺杂多晶硅。59.在该实施例中，由于第一凹槽201是从衬底201的第一表面中蚀刻形成，因此在第一凹槽201与衬底210的第一表面相连的位置不会出现锯齿，后续在衬底210的第一表面上形成的振膜层在振幅较大时不会受锯齿影响而破裂，导致mems器件失效。60.在该实施例中，第一凹槽201沿衬底201第一表面的截面形状为圆形或多边形等多种形状，且第一凹槽201的中心线与衬底210的中心线重合。61.进一步地，在衬底210的第一表面形成填充层202，并在衬底210 的第一表面进行平坦化处理，如图2b和2c所示。62.在该步骤中，采用原子层沉积(ald)，物理气相沉积(pvd)或化学气相沉积(cvd)等沉积工艺，在衬底210的第一表面上沉积填充层202，填充层202的厚度大于等于第一凹槽201沿垂直于衬底210第一表面方向上的深度，此时，衬底210的第一凹槽201中和衬底210的第一表面上均形成有填充层，参考图2b。63.在沉积步骤之后，还包括采用化学机械研磨(cmp)工艺对衬底210 的第一表面进行平坦化处理，从而去除衬底210第一表面上的填充层202，暴露衬底210的第二表面，并且由于填充层202的厚度大于第一凹槽201 的深度，因此第一凹槽201中的填充层202的表面在平坦化处理后与衬底210的第一表面位于同一平面内，参考图2c。64.在该实施例中，填充层202填充第一凹槽201。填充层202的材料例如为磷硅酸玻璃(psg)，即掺杂了磷的氧化硅材料，氧化硅材料由于掺杂了磷杂质而变得疏松，因此在后续的释放步骤中可以快速释放。65.进一步地，依次在衬底210的第一表面上形成第一牺牲层220，振膜层230以及第二牺牲层240，如图2d所示。66.在该步骤中，采用原子层沉积(ald)，物理气相沉积(pvd)或化学气相沉积(cvd)等沉积工艺，依次在衬底210的第一表面上形成第一牺牲层220，振膜层230以及第二牺牲层240。67.在该实施例中，第一牺牲层220和第二牺牲层240的材料为氧化硅，振膜层230的材料为多晶硅。68.进一步地，在第二牺牲层240中形成多个第二凹槽242，如图2e所示。69.在该步骤中，采用各向异性蚀刻工艺在第二牺牲层240中蚀刻形成多个第二凹槽242。各向异性蚀刻工艺例如采用干法蚀刻，包括：离子铣蚀刻、反应离子蚀刻、激光烧蚀等。在该实施例中，例如通孔控制蚀刻时间，使得蚀刻在第二凹槽242的深度达到预定深度时停止。70.在该实施例中，第二凹槽242沿衬底210第一表面的截面形状为圆形，三角形或多边形等，多个第二凹槽242在第二牺牲层240中围绕中心区域呈阵列式均匀分布。71.进一步地，在第二凹槽242中形成防粘结构255，以及在第二牺牲层240上形成下背极板251，如图2f所示。72.在该步骤中，采用原子层沉积(ald)，物理气相沉积(pvd)或化学气相沉积(cvd)等沉积工艺在第二凹槽242中沉积防粘层，并通过化学机械研磨(cmp)工艺将第二牺牲层240表面上的防粘层去除，剩余仅位于第二凹槽242中的防粘结构255。73.在形成防粘结构255的步骤之后，还包括第二牺牲层240的表面上形成下背极板251。下背极板251的材料为与防粘结构255键合性能好的材料。74.进一步地，在下背极板251的表面上形成上背极板252，以及对上背极板252进行图形蚀刻，使得边缘部分的下背极板251的表面暴露，如图2g和图2h所示。75.在该步骤中，采用原子层沉积(ald)，物理气相沉积(pvd)或化学气相沉积(cvd)等沉积工艺在下背极板251的表面形成上背极板 252，以及通过掩膜版对上背极板252进行图形蚀刻，去除边缘部分的上背极板252，使得边缘部分的下背极板251的表面暴露。76.进一步地，对上背极板252和下背极板251进行蚀刻，形成贯穿上背极板252和下背极板251的多个声孔256，如图2i所示。77.在该步骤中，采用各向异性蚀刻工艺在上背极板252和下背极板251 中蚀刻形成贯穿上背极板252和下背极板251的多个声孔256。各向异性蚀刻工艺例如采用干法蚀刻，包括：离子铣蚀刻、反应离子蚀刻、激光烧蚀等。在该实施例中，例如通孔控制蚀刻时间，使得蚀刻在第二牺牲层240的表面附近停止，或者采用第二牺牲层240作为蚀刻停止层，使得蚀刻在第二牺牲层240的表面附近停止。78.在该实施例中，多个声孔256在背极板层中围绕中心区域呈阵列式均匀分布，且声孔256位于相邻的防粘结构255之间的上背极板252和下背极板251中。79.进一步地，在上背极板252的第一表面上形成第一电极253和在下背极板251的第一表面上形成第二电极254，以及对衬底210进行减薄，如图2j所示。80.在该步骤中，采用蒸镀的工艺在边缘部分的上背极板252的第一表面上形成第一电极253和在下背极板251的第一表面上形成第二电极 254，第二电极254不与上背极板252连接。其中，第一电极253和第二电极254的材料为金属导电材料，且第一电极253与上背极板252电连接，第二电极254与振膜层230电连接。由于第二电极254与振膜层230 电连接，因此第二电极254与振膜层230之间还具有导电通道(图中未示出)，用于使得第二电极254与振膜层230电连接。81.在形成第一电极253和第二电极254的步骤之后，还包括从衬底210 的第二表面对衬底210进行减薄，可以采用化学机械研磨(cmp)工艺对衬底210进行减薄。82.进一步地，经由衬底210的第二表面在衬底210中形成第二通孔203，如图2k所示。83.在该步骤中，首先在衬底210的第二表面形成掩膜，并采用光刻形成蚀刻窗口，进而采用感应耦合等离子体刻蚀(inductively couple plasmaetch，icp)工艺在衬底210的第二表面进行蚀刻，采用第一凹槽201中的填充层202作为蚀刻停止层，使得蚀刻在填充层202的下表面停止，从而形成第二通孔203。84.在该实施例中，第二通孔203沿衬底210第二表面的截面形状包括圆形或多边形等，但第二通孔203沿衬底210第二表面的截面形状优选为与第一凹槽201沿衬底210第一表面的截面形状相同，且第二通孔203 的中心线与第一凹槽201的中心线重合，此外，第二通孔203的直径也小于第一凹槽201的直径。85.进一步地，去除填充层202，形成第二通孔204，如图2l所示。86.在该步骤中，采用释放工艺，包括蒸发，升华，超临界以及气相腐蚀等，经由第二通孔203将填充层202去除，形成与第二通孔203贯通的第一通孔204。87.在该实施例中，由于填充层202的材料为掺杂磷的氧化硅，该材料的质地疏松，因此可以快速的释放完成，形成第一通孔204。第一通孔 204即第一凹槽201，但第一通孔204经由第二通孔203与外界连通。88.进一步地，去除部分第一牺牲层220和部分第二牺牲层240，形成第二空腔221和第三空腔241，如图2m所示。89.在该步骤中，将半导体结构浸入蚀刻液体中，蚀刻剂经由第二通孔 203和第一通孔204与第一牺牲层220接触，从而对第一牺牲层220进行蚀刻，此外蚀刻剂还经由声孔256与第二牺牲层241接触，从而对第二牺牲层240进行蚀刻。在该实施例中，例如通过控制蚀刻时间进而控制蚀刻过程。90.在该实施例中，第一牺牲层220的中间区域被蚀刻，形成第二空腔 221，使得振膜层230的第二表面经由第二空腔221，第一通孔204以及第二通孔203与外界连通。第二牺牲层240的中间区域被蚀刻，形成第三空腔241，使得振膜层230的第一表面经由第三空腔241和声孔256 与外界连通。而蚀刻后的第一牺牲层220和第二牺牲层240只剩余边缘部分，用于支撑振膜层230。91.在该实施例中，第二空腔221和第三空腔241分别使得振膜层230 中间区域形成可动区域。92.此外，第一通孔204，第二通孔203，第二空腔221以及第三空腔 241的均重合。其中，第二空腔221和第三空腔241的直径相同，且第二空腔221和第三空腔241的直径大于第一通孔204的直径。优选地，第一通孔204，第二通孔203，第二空腔221以及第三空腔241沿衬底 210第一表面的截面形状都相同。93.在其它实施例中，衬底210的第一空腔还可以由不少于两个的通孔组成，具体的可以根据mems器件的要求进行调整。94.本实用新型提供的mems器件，衬底包括至少两个直径不同的通孔，两个通孔堆叠放置，且中心线重合，其中，第一通孔更靠近振膜且第一通孔的直径大于第二通孔的直径，由于第一通孔采用快速释放而得到，从而使得第一通孔的边缘处光滑，在振膜发生大形变时，降低了振膜的应力集中，进而降低了mems器件的失效。95.本技术提供的mems器件的制造方法中，第一空腔通过先在衬底的第一表面形成第一通孔，然后在第一通孔中填充释放层，然后在衬底的第二表面形成第二通孔，经由第二通孔快速释放第一通孔中的释放层，从而形成mems器件的第一空腔。这种方法中，减少了从衬底第二表面形成第二通孔时因蚀刻工艺的缺陷而导致的锯齿，进而降低了振膜的失效。96.图3a和图3b示出了本实用新型第二实施例的mems器件的制造方法的部分阶段截面图。与第一实施例的mems器件相比，最终器件的结构相同，但在形成衬底中的第一空腔的第一凹槽时，采用的方法有所不同，此处不再赘述与第一实施例中相同的步骤，而仅描述不同的步骤。97.参考图3a，在衬底210的第一表面中形成多个第三凹槽205。98.在该步骤中，采用各向异性蚀刻工艺在衬底210的第一表面中蚀刻形成多个第三凹槽205。各向异性蚀刻工艺例如采用干法蚀刻，包括：离子铣蚀刻、反应离子蚀刻、激光烧蚀等。在该实施例中，例如通过控制蚀刻时间，使得蚀刻在第三凹槽205沿与衬底210第一表面垂直的方向上的深度达到预定深度时停止。99.在该实施例中，相邻两个第三凹槽205之间的区域在衬底210的第一表面中形成了凸起206，每个凸起206的宽度为定值，便于后续步骤。100.进一步地，对衬底210中的凸起206进行氧化，形成填充层207，如图3b所示。101.在该步骤中，采用热氧化工艺对衬底210第一表面的凸起206进行氧化，由于衬底210的材料为掺杂多晶硅，氧化后形成掺杂的氧化硅，此外由于掺杂的氧化硅的质地疏松，因而凸起206的体积会膨胀，导致相邻凸起206之间的第三凹槽205的空间被膨胀的凸起206所占据。102.在该实施例中，根据掺杂多晶硅变化掺杂氧化硅时的膨胀系数，可以容易的得出凸起206的宽度和第三凹槽205的宽度，从而控制氧化后的凸起206形成充满第三凹槽205的填充层207。103.进一步地，还包括在衬底210和填充层207的表面上形成第一牺牲层，振膜，第二牺牲层等如图2d至图2m所示的后续步骤，此处不再赘述。104.在该实施例中，通过将衬底210中用于形成第一通孔的位置的凸起 206氧化形成填充层207，从而省略了在第三凹槽205中填充磷硅酸玻璃以及表面平坦化的步骤，简化了工艺步骤。105.此外，将掺杂的衬底210氧化后形成的填充层207，质地疏松，在后续的释放工艺中，也能够快速的去除，从而形成第一通孔。106.图4示出了本实用新型第三实施例的mems器件的结构图，与第一实施例或第二实施例相比，第三实施例的mems器件的第一通孔面向振膜的一侧的边缘部分为弧形，进一步降低了对振膜的损害。107.参考图4，mems器件300包括：衬底210，位于衬底210上的通过第一牺牲层220和第二牺牲层240支撑的振膜层230，以及位于第二牺牲层240上的背极板。108.其中，振膜层230位于第一牺牲层220和第二牺牲层240之间，第一牺牲层220的中间部分具有第二空腔221，第二牺牲层240的中间部分具有第三空腔241，第二空腔221与第三空腔241的中心线重合，且第二空腔221和第三空腔241所对应位置的振膜层230为可动区域。109.衬底210中具有第一通孔204和第二通孔203，第一通孔204和第二通孔203的中心线与第二空腔221和第三空腔241的中心线重合，且振膜层230可动区域的第二表面通过第二空腔221，第一通孔204和第二通孔203与外部连通。其中，第一通孔204与衬底210的第一表面交界处的边缘为弧形，参考图4中虚线框208中所示，形成该弧形的步骤例如为第一实施例中图2a所示步骤或第二实施例中图3a所示步骤，形成弧形边缘的凹槽后再形成填充层，则后续释放填充层后形成的第一通孔204的边缘也为弧形。110.背极板包括下背极板251，上背极板252，贯穿上背极板252和下背极板251的多个声孔256，以及分别位于上背极板252第一表面上的第一电极253和位于下背极板251第一表面上的第二电极254，第二电极 254不与上背极板252连接，在下背极板251面向振膜层230的一侧表面，还形成有防粘结构255。振膜层230可动区域的第一表面通过第三空腔241和声孔256与外部连接。第一电极253与上背极板层252电连接，第二电极254与振膜层230电连接。111.在该实施例中，第一通孔靠近振膜一侧的边缘部分为圆弧形，进一步降低了在振膜发生大形变时，振膜的应力集中，进而降低了mems 器件的失效。112.在其它实施例中，衬底的第一空腔还可以由不少于两个的通孔堆叠形成，这些通孔的中心线重合，且多个通孔的直径沿衬底第一表面至第二表面方向上依次减小，这样也能够降低振膜在发生大形变时的应力集中，减少器件的失效。113.依照本实用新型的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该实用新型仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本实用新型的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本实用新型以及在本实用新型基础上的修改使用。本实用新型仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。