一种与MEMS深硅刻蚀工艺相兼容的薄硅释放工艺的制作方法

一种与mems深硅刻蚀工艺相兼容的薄硅释放工艺技术领域1.本发明涉及电子技术领域，特指一种与mems深硅刻蚀工艺相兼容的薄硅释放工艺。背景技术：2.传统烟草会造成吸食者上瘾并有肺部及心血管疾病产生，随着人们对健康越来越重视，电子烟渐渐浮现成为传统烟草吸食的替代品。电子烟是一种模仿传统烟卷的电子产品，透过电池、芯片、雾化器及外围配件构成。电子烟在作用时是透过雾化方式将特制烟油变成蒸气供使用者吸食，相较于传统烟草，雾化的蒸气因为未经过燃烧而有着较少焦油、一氧化碳、硝酸等有害物质，此特性能满足使用者对健康、环保的期望。电子烟除了是传统烟草取代者外，近年来更有厂商将其使用烟油种类、口味多样化，并将电子烟装置外型时尚化使其变成一种时尚潮流。3.目前mems喷雾器的制作工艺为：在硅片正面通过光刻、深硅刻蚀工艺制作出多个mems喷雾器的喷雾通道、出雾口以及切割槽，最后沿着切割槽对硅片上的多个mems喷雾器进行切割，得到单个mems喷雾器，但这种制作工艺得到的mems喷雾器出雾口效果不是很完美，切割时产生的颗粒会进入出雾口内，从而降低了mems喷雾器的出雾质量以及出雾效果。技术实现要素：4.本发明目的是为了克服现有技术的不足而提供一种与mems深硅刻蚀工艺相兼容的薄硅释放工艺。5.为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种与mems深硅刻蚀工艺相兼容的薄硅释放工艺，包含以下步骤：6.s1：在硅片正面通过深硅刻蚀工艺制作出多个mems喷雾器的喷雾通道、出雾口以及切割槽，并在出雾口均预留一层薄硅阻挡层；7.s2：沿着切割槽对硅片上的多个mems喷雾器进行切割；8.s3：将出雾口预留的薄硅阻挡层进行释放工艺，得到mems喷雾器。9.优选的，步骤s1中，所述薄硅阻挡层的厚度为1‑2μm。10.优选的，步骤s1中，所述切割槽的深度为25‑35μm。11.优选的，步骤s1中，所述深硅刻蚀工艺采用的深硅刻蚀机器，通过的深硅刻蚀机器中的垂直刻蚀工艺达到刻蚀作用。12.优选的，步骤s3中，所述薄硅阻挡层释放工艺也采用的深硅刻蚀机器，通过深硅刻蚀机器中的非垂直刻蚀工艺产生侧蚀的效果，达到释放薄硅的作用。13.优选的，步骤s2中，所述对硅片切割前会在硅片的底部铺一层支撑膜。14.由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：15.本发明通过将深硅刻蚀工艺与薄硅释放工艺相结合，在mems喷雾器的出雾口预留一层薄硅阻挡层，可以有效阻止切割产生的残渣进入mems喷雾器的喷雾口，从而提高mems喷雾器的出雾质量以及出雾效果。附图说明16.下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明：17.附图1为本发明中mems喷雾器的结构示意图。18.其中：1、mems喷雾器；2、出雾口；3、切割槽；4、薄硅阻挡层；5、硅片；6、喷雾通道。具体实施方式19.下面结合附图及具体实施例对本发明作进一步的详细说明。20.附图1为本发明所述的与mems深硅刻蚀工艺相兼容的薄硅释放工艺，包含以下步骤：21.s1：在硅片5正面通过光刻、深硅刻蚀工艺制作出多个mems喷雾器1的喷雾通道6、出雾口2以及切割槽3，并在出雾口2均预留一层薄硅阻挡层4；22.s2：沿着切割槽3对硅片5上的多个mems喷雾器1进行切割；23.s3：将出雾口2预留的薄硅阻挡层4进行释放工艺，得到单个mems喷雾器1。24.进一步，步骤s1中，所述薄硅阻挡层4的厚度为1‑2μm；如果薄硅阻挡层4的厚度较薄，则切割产生的残渣容易进入mems喷雾器1的喷雾口内，如果薄硅阻挡层4的厚度厚，则增加了后续释放的成本，因此1‑2μm的厚度最好。25.进一步，步骤s1中，所述切割槽3的深度为30μm；如果切割槽3的深度较浅，则不利于后续切割；如果切割槽3的深度较深，则增加了深硅刻蚀的成本，因此30μm左右的深度最好。26.进一步，步骤s1中，所述深硅刻蚀工艺采用的深硅刻蚀机器，通过的深硅刻蚀机器中的垂直刻蚀工艺达到刻蚀作用。27.进一步，步骤s3中，所述薄硅阻挡层4释放工艺也采用的深硅刻蚀机器，通过深硅刻蚀机器中的非垂直刻蚀工艺产生侧蚀的效果，达到释放薄硅的作用。28.进一步，步骤s2中，所述对硅片5切割前会在硅片5的底部铺一层支撑膜；由于硅片5沿着切割槽3切割后，多个mems喷雾器1呈独立状态，通过支撑膜可防止多个mems喷雾器1散落，便于集中进行释放工艺，提高生产效率。29.此工艺中比较关键的部分就是深硅刻蚀与薄硅释放工艺，这两种工艺主要运用的是深硅刻蚀机器，硅刻蚀与释放硅的气氛均为六氟化硫，这种气氛会与硅产生化学反应形成具有挥发性的四氟化硅，从而可以通过深硅刻蚀机器制造出mems喷雾器1中的切割槽3，并且可以通过深硅刻蚀机器进行薄硅的释放。在深硅刻蚀产生出雾口2，切割槽3以及喷雾通道6的过程中，我们采用的是深硅刻蚀机中的垂直刻蚀工艺(bosch刻蚀工艺)，而在薄硅释放过程中，我们没有采用此工艺，这样可以使气氛不会按照垂直方向刻蚀，产生侧蚀的效果，从而达到释放薄硅的目的。30.以上仅是本发明的具体应用范例，对本发明的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本发明权利保护范围之内。技术特征：1.一种与mems深硅刻蚀工艺相兼容的薄硅释放工艺，其特征在于：包含以下步骤：s1：在硅片正面通过深硅刻蚀工艺制作出多个mems喷雾器的喷雾通道、出雾口以及切割槽，并在出雾口均预留一层薄硅阻挡层；s2：沿着切割槽对硅片上的多个mems喷雾器进行切割；s3：将出雾口预留的薄硅阻挡层进行释放工艺，得到mems喷雾器。2.根据权利要求1所述的与mems深硅刻蚀工艺相兼容的薄硅释放工艺，其特征在于：步骤s1中，所述薄硅阻挡层的厚度为1‑2μm。3.根据权利要求2所述的与mems深硅刻蚀工艺相兼容的薄硅释放工艺，其特征在于：步骤s1中，所述切割槽的深度为25‑35μm。4.根据权利要求3所述的与mems深硅刻蚀工艺相兼容的薄硅释放工艺，其特征在于：步骤s1中，所述深硅刻蚀工艺采用的深硅刻蚀机器，通过的深硅刻蚀机器中的垂直刻蚀工艺达到刻蚀作用。5.根据权利要求1‑4任意一项所述的与mems深硅刻蚀工艺相兼容的薄硅释放工艺，其特征在于：步骤s3中，所述薄硅阻挡层释放工艺也采用的深硅刻蚀机器，通过深硅刻蚀机器中的非垂直刻蚀工艺产生侧蚀的效果，达到释放薄硅的作用。6.根据权利要求5所述的与mems深硅刻蚀工艺相兼容的薄硅释放工艺，其特征在于：步骤s2中，所述对硅片切割前会在硅片的底部铺一层支撑膜。技术总结本发明涉及一种与MEMS深硅刻蚀工艺相兼容的薄硅释放工艺，包含以下步骤：先在硅片正面通过深硅刻蚀工艺制作出多个MEMS喷雾器的喷雾通道、出雾口以及切割槽，并在出雾口均预留一层薄硅阻挡层，然后沿着切割槽对硅片上的多个MEMS喷雾器进行切割，最后将出雾口预留的薄硅阻挡层进行释放工艺，得到MEMS喷雾器；本发明通过将深硅刻蚀工艺与薄硅释放工艺相结合，在MEMS喷雾器的出雾口预留一层薄硅阻挡层，可以有效阻止切割产生的残渣进入MEMS喷雾器的喷雾口，从而提高MEMS喷雾器的出雾质量以及出雾效果。及出雾效果。及出雾效果。技术研发人员：王新亮 罗芳海 雷中柱 俞骁受保护的技术使用者：苏州司南传感科技有限公司技术研发日：2021.08.23技术公布日：2021/11/21